国家重点基础研究发展计划(2006CB3027-01)
- 作品数：4 被引量：4H指数：2
- 相关作者：毕津顺海潮和韩郑生罗家俊范紫菡更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- SOI反偏肖特基势垒动态阈值MOS特性(英文)
- 2006年
- 将Ti硅化物-p型体区形成的反偏肖特基势垒结构引入绝缘体上硅动态阈值晶体管.传统栅体直接连接DTMOS,为了避免体源二极管的正向开启,工作电压应当低于0.7V.而采用反偏肖特基势垒结构,DTMOS的工作电压可以拓展到0.7V以上.实验结果显示,室温下采用反偏肖特基势垒SOIDTMOS结构,阈值电压可以动态减小200mV.反偏肖特基势垒SOIDTMOS结构相比于传统模式,显示出优秀的亚阈值特性和电流驱动能力.另外,对浮体SOI器件、传统模式SOI器件和反偏肖特基势垒SOIDTMOS的关态击穿特性进行了比较.
- 毕津顺海潮和
- 关键词：SOI肖特基势垒
- 基于PDSOI单粒子翻转物理机制的SPICE模型研究被引量：2
- 2011年
- 通过研究半导体器件单粒子翻转的物理机制,利用Synopsys TCAD工具对基于中国科学院微电子所开发的0.35μm部分耗尽SOI器件进行单粒子翻转的模拟,讨论了器件模拟物理模型的选择,验证了理论分析的正确性,并对重离子撞击引起的瞬态电流过程进行分析.分析表明单粒子翻转存在两个放电阶段,第一阶段过量电子漂移扩散电流组成激增电流部分;第二阶段部分耗尽SOI器件寄生三极管放电机制以及过量空穴放电机制引起的缓慢电流放电"尾部".结合激增电流的物理意义,提出合理的数学模型,推导出描述此电流的一维解析解;对于缓慢衰减的"尾部"电流,提出子电路模型,并基于SPICE三极管模型进行参数提取,着重讨论了单粒子翻转的敏感参数.最后给出了以反相器为例的SPICE模拟与TCAD模拟在瞬态电流,输出节点电荷收集,LET阈值的对比结果,验证了SPICE模型的合理性和精确性.
- 范紫菡毕津顺罗家俊
- 关键词：单粒子翻转SPICE模型
- 辐照对PDSOI RF MOS体接触结构器件性能的影响
- 2010年
- 基于抗辐照加固0.35μmPDSOI CMOS工艺制作了RF NMOS器件,研究了电离总剂量辐照对不同体接触结构、栅结构器件性能的影响。在其静态工作模式下,分别考虑了辐照对器件转移特性、泄漏电流、跨导及输出特性的影响;在其交流工作模式下,分别考虑了辐照对其交流小信号电流增益、最大有效/稳定增益、截止频率和最高震荡频率的影响。试验结果表明,与同类非加固工艺器件相比,此种PDSOI RF NMOS抗辐照性能更好,其中以LBBC和LTS型体接触器件受电离总剂量辐照影响最小,并且可获得截止频率22.39 GHz和最高振荡频率29.19 GHz。
- 刘梦新刘刚韩郑生
- 关键词：绝缘体上硅射频增益
- 深亚微米SOI射频LDMOS功率特性研究被引量：3
- 2011年
- 提出了一种SOILDMOS大信号等效电路模型,并给出了功率增益和输入阻抗表达式.基于制备的深亚微米SOI射频LDMOS,测试了功率增益和功率附加效率.深入研究了SOILDMOS功率特性与栅长,单指宽度,工作电压和频率之间关系.栅长由0.5μm减到0.35μm时,小信号功率增益增加44%,功率附加效率峰值增加9%.单指宽度由20μm增加到40μm,600μm/0.5μm器件小信号功率增益降低23%,功率附加效率峰值降低9.3%.漏端电压由3V增加到5V,600μm/0.35μm器件小信号功率增益增加13%,功率附加效率峰值增加5.5%.频率由2.5GHz提高到3.0GHz,射频功率SOILDMOS小信号功率增益降低15%,功率附加效率峰值降低4.5%.
- 毕津顺海潮和韩郑生
- 关键词：深亚微米功率增益功率附加效率
