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精神分裂症患者不同工作记忆范式的事件相关电位研究进展: 2012年; 工作记忆缺陷是精神分裂症患者的核心症状之一,文章基于Baddeley的多成分模型对不同范式下精神分裂症工作记忆的事件相关电位(even-related potential)研究进行回顾,综合分析了工作记忆的典型ERP效应以期对后来的研究有所裨益。; 孙婷婷费召辉罗英姿王湘; 关键词：精神分裂症工作记忆

不同记忆负荷水平下执行控制的ERP效应被引量：14: 2008年; 目的:通过被试在倒数n项测验(n-back task)任务中的行为与事件相关电位(event-related potentials,ERP)表现,分离执行控制不同加工环节的神经电生理指标,探讨在逐步增加的记忆负荷水平下各ERP成分的时间进程及脑区分布变化规律。方法:正常成人20名参加n-back(n=0、1、2)工作记忆任务的ERP实验,同时记录行为数据及EEG脑电信号。离线处理数据后,比较被试在低、中、高工作记忆负荷下的行为表现及ERP成分的差异。结果:0、1两种记忆负荷水平下被试的反应时与正确率无显著差异,2-back任务时的正确率低于0-back与1-back[(87.7±9.9)/(98.7±2.2)、(96.3±3.5),P<0.05],反应时长于0-back与1-back[(1077.0±247.2)/(729.5±83.7)/(837.3±144.7)msP<0.05)]。三种记忆负荷水平的任务均诱发出了明显的P3成分。P3波幅随记忆负荷的逐步增加呈现等级下降规律,潜伏期则未随记忆负荷变化而改变。高记忆负荷与低记忆负荷的任务相减均得到一差异波N450成分,主要分布于额区及顶区。1-0及2-0差异波的N450平均波幅差异在顶区显著。结论:执行控制的注意分配、刷新、编码等成分在刺激后300ms开始,约700ms处结束。P3成分的等级下降规律反映被试有效地进行了注意的分配及转移。高负荷与低负荷差异波N450成分在额区及顶区同步出现,分别反映了执行功能中的更新与编码环节,以及短时贮存过程。; 王湘陈斌刘鼎王晓燕姚树桥; 关键词：事件相关电位

运用基于体素的脑形态测量学法检测缺陷型及非缺陷型精神分裂症患者脑灰质结构异常被引量：4: 2010年; 目的应用基于体素的脑形态测量学（Voxel-based Morphometric,VBM）法,比较缺陷型与非缺陷型精神分裂症患者大脑灰质结构损害的差异.方法采用GE Signa TwinSpeed 1.5T超导型MRI成像系统,对缺陷型精神分裂症（N=10）、非缺陷型精神分裂症（n=11）及正常对照（n=15）进行全脑扫描,获取脑解剖结构MR T1图像.随后基于Matlab7.6及SPM5进行优化的VBM数据分析,再进行成组t检验.结果与正常对照相比,非缺陷型患者的额、顶、颞、枕叶及基底节均有灰质体积下降;而缺陷型患者的灰质下降以广泛及显著的额叶损伤为特征,包括左额内侧回、双侧额下回、左侧额中回及左侧眶回等多个额叶区域,另外还涉及左颞中回、右颞上回以及右侧脑岛（Cluster≥30 mm^3,P〈0.01）.两种亚型患者的比较显示,缺陷型患者在左额内侧回、双侧额下回、右中央前回以及右颞上回等脑区的灰质体积均低于非缺陷型患者（Cluster≥30 mm^3,P〈0.01）.结论精神分裂症的结构异质性可能是在共有额叶-颞叶脑区的灰质结构改变的基础上,缺陷型与非缺陷型的患者各有其特定的灰质下降模式.; 王晓晟王湘颜莉蓉谭长连司徒卫军李亚军姚树桥; 关键词：灰质

精神分裂症患者n-back工作记忆神经机制异常的ERP研究被引量：5: 2010年; 目的:比较精神分裂症患者与正常人在参量变化的工作记忆负荷水平下所诱发的ERP成分及其脑区分布差异,探讨精神分裂症患者工作记忆功能损害的神经机制。方法:精神分裂症患者以及正常对照各20名参加了n-back(n=0,1,2)工作记忆任务的ERP实验,同时记录行为数据及EEG,离线处理数据。结果:精神分裂症患者在1-back及2-back任务中行为表现明显较正常人差(P<0.01)。正常人P3波幅随记忆负荷增长而成比例下降(0-back>1-back>2-back),而精神分裂症患者仅0-back的P3波幅显著高于1-back及2-back,(0-back>1-back=2-back)。三种负荷条件下,精神分裂症组中央区的P3峰值均显著高于正常组,而2-back条件下的顶区P3峰值显著高于正常组。高记忆负荷与低记忆负荷的任务相减均得到一差异波N450成分。在顶区,精神分裂症患者的1-0差异波N450成分的波幅显著高于正常组,而2-1差异波N450成分的波幅显著低于正常组(P<0.05)。结论:精神分裂症患者存在显著的工作记忆损害,其中短时贮存功能损害可能与患者顶叶的生理低效能及工作记忆容量下降有关。; 王湘王晓晟王晓燕刘鼎陈斌姚树桥; 关键词：工作记忆

缺陷型及非缺陷型精神分裂症脑白质异常——基于体素的脑形态学研究被引量：3: 2009年; 目的:应用基于体素的脑形态测量学方法,比较缺陷型与非缺陷型精神分裂症患者大脑白质结构损害的差异。方法:采用GE1.5TMRI成像系统,对缺陷型精神分裂症(n=10)、非缺陷型精神分裂症(n=11)及正常对照(n=15)进行全脑扫描,获取脑解剖结构MRT1图像。随后在SPM2平台上使用VBM工具箱逐例进行全自动数据分析,再进行成组t检验。结果:与正常对照相比,缺陷型患者的白质密度降低区域主要是左侧额叶回下,而非缺陷型患者为左侧额叶回下、右颞中回、右枕叶舌回以及胼胝体。两型患者的比较显示,缺陷型患者双侧额上回以及右侧顶叶的白质密度低于非缺陷型组,而左侧额内侧回的白质密度高于非缺陷型组。结论:这是第一项运用VBM法考察缺陷型与非缺陷型患者之间脑白质损害不同的形态学研究。研究结果为缺陷型患者额-顶环路受损的假说提供了新的证据。; 王湘王晓晟颜莉蓉谭长连李亚军司徒卫军姚树桥; 关键词：精神分裂症缺陷型磁共振成像白质

运用VBM-DARTEL法分析首发精神分裂症患者脑白质结构: 目的结合应用基于体素的脑形态测量学方法与最新的DARTEL标准化工具箱（VBM-DARTEL）,考察首发未服药精神分裂症患者大脑白质结构的损害。方法采用Philips 3.0T MRI成像系统,对18名首发未服药精神分裂...; 王晓晟王湘费召辉孙婷婷司徒卫军; 关键词：磁共振成像精神分裂症白质

精神分裂症的认知神经科学治疗研究进展介绍——与记忆有关的任务选取被引量：1: 2012年; Cognitive Neuroscience Treatment Research to Improve Cognition in Schizophrenia(CNTRICS)的目的是确立一些认知神经科学领域的新方法和新手段,将其有效的转化到精神分裂症认知功能的临床研究和精神药物的开发之中,并最终改善精神分裂症患者的认知和社会功能。本文介绍了CNTRICS确定的与记忆有关的三个认知结构:执行控制,工作记忆和长时记忆,以及相关的实验范式和研究成果。; 费召辉孙婷婷宋小军王湘; 关键词：精神分裂症记忆

运用VBM-DARTEL法分析首发精神分裂症患者脑白质结构: 目的结合应用基于体素的脑形态测量学方法与最新的DARTEL标准化工具箱（VBM-DARTEL）,考察首发未服药精神分裂症患者大脑白质结构的损害。方法采用Philips 3.0 TMRI成像系统,对18名首发未服药精神分裂...; 王晓晟王湘费召辉孙婷婷司徒卫军; 关键词：磁共振成像精神分裂症白质; 文献传递

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国家教育部博士点基金(20070533067)

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