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河北省自然科学基金(195051)

作品数：4 被引量：10H指数：1
相关作者：杨瑞霞刘力锋郭惠李光平陈国鹰更多>>
相关机构：河北工业大学天津电子材料研究所更多>>
发文基金：河北省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇砷化镓
  • 3篇GAAS
  • 2篇淬火
  • 1篇电参数
  • 1篇电路
  • 1篇受主
  • 1篇碳浓度
  • 1篇中碳
  • 1篇温度关系
  • 1篇激发态
  • 1篇集成电路
  • 1篇高温
  • 1篇高温淬火
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇半绝缘
  • 1篇半绝缘砷化镓
  • 1篇EL2
  • 1篇掺杂
  • 1篇AS

机构

  • 4篇河北工业大学
  • 2篇天津电子材料...

作者

  • 4篇杨瑞霞
  • 2篇郭惠
  • 2篇李光平
  • 2篇刘力锋
  • 1篇孙以才
  • 1篇付浚
  • 1篇陈国鹰

传媒

  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇红外技术
  • 1篇河北工业大学...

年份

  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
非掺杂半绝缘LECGaAs中电参数与碳浓度及EL2浓度的关系
1999年
利用范德堡方法和光吸收方法研究了非掺杂半绝缘（ＳＩ）ＬＥＣＧａＡｓ 中电参数与碳（Ｃ）浓度及ＥＬ２ 浓度的关系。通过比较实验结果和理论计算结果发现。
杨瑞霞李光平
关键词：砷化镓EL2电参数掺杂半导体材料
GaAs中碳受主局域振动模积分吸收的温度关系被引量：1
2000年
Ga As中碳 (C)受主局域振动模 (LVM)积分吸收的温度关系是一个受到广泛关注和研究的问题。但是 ,不同研究者得到的定量研究结果具有很大差异。迄今对导致这种差异的原因及积分吸收随温度变化的机理尚不完全清楚。本研究表明 ,二者均与 C受主 L VM主吸收带的低能边出现的一个吸收边带有关。该边带可能起因于 C受主 L VM第一激发态向第二激发态的跃迁。
杨瑞霞李光平付浚陈国鹰孙以才
关键词：激发态砷化镓
高温淬火对GaAs中深施主缺陷的影响
2001年
研究了１ １２０℃ 高温淬火对非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡＳ中 ＥＬ２浓度的影响．发现真空条件Ｔ，在１１２０℃热处理２ｈ～８ｈ并快速冷却后，样品中ＥＬ２浓度下降近一个数量级，提高高温过程中的 ＡＳ压，可抑制 ＥＬ２浓度的大幅下降．
杨瑞霞刘力锋郭惠
关键词：砷化镓集成电路
热处理和淬火影响GaAs中EL2浓度机理的研究被引量：9
2002年
对非掺杂 (ND)半绝缘 (SI)液封直拉 (LEC)GaAs单晶在 5 0 0～ 1170℃温度范围进行了单步和多步的热处理和淬火 ,研究了热处理及淬火对GaAs中EL2浓度的影响 。
刘力锋杨瑞霞郭惠
关键词：半绝缘砷化镓淬火
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