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教育部科学技术研究重点项目(212169)

作品数:4 被引量:32H指数:4
相关作者:焦尚彬赵跃刘丁任超黄伟超更多>>
相关机构:西安理工大学更多>>
发文基金:教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇噪声
  • 2篇直拉硅
  • 2篇直拉硅单晶
  • 2篇数值模拟
  • 2篇随机共振
  • 2篇硅单晶
  • 2篇值模拟
  • 1篇单晶硅
  • 1篇多频
  • 1篇信号
  • 1篇信噪比
  • 1篇信噪比增益
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元数值模...
  • 1篇噪声环境
  • 1篇直拉单晶硅
  • 1篇弱信号
  • 1篇三维数值模拟
  • 1篇随机共振现象

机构

  • 4篇西安理工大学

作者

  • 4篇焦尚彬
  • 2篇刘丁
  • 2篇赵跃
  • 1篇梁炎明
  • 1篇黄伟超
  • 1篇任超
  • 1篇张晶
  • 1篇姜雷
  • 1篇何童

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇计算机工程与...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇材料热处理学...

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2013
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
α稳定噪声环境下多频微弱信号检测的参数诱导随机共振现象被引量:16
2013年
本文将α稳定噪声与双稳随机共振系统相结合,研究了不同α稳定噪声环境下高低频(均为多频)微弱信号检测的参数诱导随机共振现象,探究了α稳定噪声的特征指数α(0<α≤2)和对称参数β(-1≤β≤1)及随机共振系统参数a,b对共振输出效应的作用规律.研究结果表明,在不同分布的α稳定噪声环境下,通过调节系统参数a和b均可诱导随机共振来实现多个高、低频微弱信号的检测,且存在多个a,b参数区间均可诱导随机共振,这些区间不随α或β的变化而变化;在高、低频微弱信号检测中,α或β对随机共振输出效应的作用规律相同.本研究结果将有助于α稳定噪声环境下参数诱导随机共振现象中系统参数的合理选取,进而可为实现基于随机共振的多频微弱信号检测方法的工程应用奠定基础.
焦尚彬任超黄伟超梁炎明
关键词:随机共振
基于双稳随机共振的多频弱信号检测被引量:9
2014年
针对利用非线性双稳系统随机共振逐一检测多个频率弱信号存在效率低、无法满足信号实时处理要求的问题,研究了基于随机共振的多频弱信号同时检测方法。首先建立了同时检测多频弱信号的仿真模型,通过调节双稳态随机共振系统参数、噪声强度,将在单个低频弱信号上产生的随机共振效应扩展到多个低频弱信号上,实现了多个低频弱信号的同时检测,分析了检测结果所呈现出的特点、原因。进一步研究了多频弱信号同时检测时不同频率信号之间的最小频带间隔问题。采用参数补偿的方法将其扩展应用到高频弱信号的检测中,实现了多个高频弱信号的检测。仿真结果表明该方法是可行的,能有效提高信号检测的速度及效率。
焦尚彬何童
关键词:随机共振噪声
直拉硅单晶放肩过程的有限元数值模拟与控制参数研究被引量:5
2013年
放肩是直拉法生长硅单晶保持无位错生长的过程,是晶体能够顺利进入等径生长的关键。生产实践中发现,在放肩前段经常出现液流线切入晶体随之变晶的现象。本文提出了放肩前期的变晶转拉晶工艺,采用有限元数值模拟的方法计算出熔体热对流及温度分布,给出了固液界面附近熔体中的流速变化规律,解释了液流线的成因,通过仿真结果和拉晶实验结果表明该方法的有效性。
张晶刘丁赵跃焦尚彬
关键词:直拉硅单晶放肩有限元数值模拟
水平磁场作用下Φ300mm直拉单晶硅生长三维数值模拟被引量:4
2013年
设计一种二维轴对称和三维混合的数值计算模型,对水平磁场作用下的直拉硅单晶生长进行了研究。结果表明,由于水平磁场的非轴对称性,只有在三维模型中才能获得确切的温度、速度分布。温度场、熔体中的流函数和固液界面形状在水平磁场的作用下也具有非轴对称性,这种非轴对称性随磁场强度的变化而改变。提高晶体旋转速度有利于减小固液界面形状的非轴对称性,并会改变界面形状的凹凸程度;提高坩埚旋转速度则有利于提高熔体中温度分布的均匀性,但会扩大熔体中的径向温度梯度。
姜雷刘丁赵跃焦尚彬
关键词:直拉硅单晶数值模拟
共1页<1>
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