国家自然科学基金(60244001) 作品数:15 被引量:59 H指数:5 相关作者: 罗毅 孙长征 郝智彪 郭文平 韩彦军 更多>> 相关机构: 清华大学 中国科学院 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 国家重点基础研究发展计划 国家高技术研究发展计划 更多>> 相关领域: 电子电信 环境科学与工程 电气工程 机械工程 更多>>
高In组分In_xGa_(1-x)N/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究 被引量:4 2005年 研究了高In组分InxGa1-xN/GaN(x≈30%)多量子阱(MQWs)结构发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光(EL)谱及反常的双峰现象.结果表明:有源区内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽,这一效应在高In组分InxGa1-xN/GaNMQWs材料的发光复合机理中占有重要地位. 邵嘉平 胡卉 郭文平 汪莱 罗毅 孙长征 郝智彪关键词:多量子阱材料 GAN 荧光谱 发光二极管 内建电场 基于同一外延层结构的10Gb/s单片集成光发射模块(英文) 被引量:1 2005年 利用同一外延层集成工艺方法制作了10Gb/s电吸收调制器/分布反馈(DFB)半导体激光器单片集成光发射模块.在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率,并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低调制器电容.集成器件阈值电流为12mA,在-2V偏置时的消光比为15dB,器件的小信号调制带宽超过10GHz.在10Gb/s 调制速率下经过35km单模光纤传输后,误码率为10-12时的功率代价小于1dB. 孙长征 熊兵 王健 蔡鹏飞 田建柏 罗毅 刘宇 谢亮 张家宝 祝宁华关键词:分布反馈激光器 电吸收调制器 增益耦合 GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响 被引量:2 2004年 分析比较了在不同外延生长条件下 Ga N基高 In组分绿光 L ED材料室温和低温 10 K下光致发光谱中蓝带发光峰 ,研究了外延结构中 p型层蓝带峰发光特性对材料晶体质量和器件电光转换效率的影响 .结果表明 :通过优化 p型层的外延生长条件 ,可有效降低和消除其蓝带发光峰较之多量子阱主峰的相对强度 ,有利于提高 L ED器件特别是高 In组分绿光 L ED器件在同等注入电流条件下的发光功率 . 邵嘉平 郭文平 胡卉 郝智彪 孙长征 罗毅关键词:GAN LED材料 利用光聚合反应制作表面平整的聚合物光栅 被引量:3 2005年 提出利用紫外光聚合反应来制作聚合物光栅的方法 .实验发现 ,光栅的表面起伏深度很小 ,约为 12 4~0 7nm ;折射率调制较大 ,达到 0 0 10左右 .这种方法在低阶分布反馈聚合物激光器的制作中具有很好的应用前景 . 周进波 孙长征 熊兵 王健 罗毅氧气等离子体处理对AlGaN肖特基接触的影响 被引量:1 2004年 研究了不同的干法刻蚀以及氧气等离子体处理条件对AlGaN表面特性的影响。在合适的条件下,氧气等离子体处理可以使AlGaN表面发生氧化,并使肖特基接触的反向漏电流降低两个数量级,反向击穿电压也有显著提高。该方法简单易行,可应用于制备高性能的AlGaN/GaNHEMT器件。 唐广 郝智彪 钱可元 罗毅关键词:ALGAN 肖特基接触 等离子体 p型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量 被引量:7 2005年 采用多种传输线模型方法,测量了p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率.通过比较和分析不同测量方法所得的结果之间的差异,得出了一个准确、可靠测量p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率的方法———圆点传输线模型方法.利用该方法优化了p型GaN上欧姆接触的退火温度,在氧气气氛中650℃退火后获得了最优的欧姆接触,其比接触电阻率为5 12×10-4Ω·cm2. 薛松 韩彦军 吴震 罗毅关键词:比接触电阻率 传输线模型 不同AlGaN层厚度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性(英文) 2003年 利用金属有机化合物气相外延技术研究了 Al Ga N/ Ga N高电子迁移率晶体管 (HEMT)结构的外延生长及器件制作 ,重点比较了具有不同 Al Ga N层厚度的 HEMT器件的静态特性 .实验发现具有较薄 Al Ga N隔离层的结构表现出较好的器件特性 .栅长为 1μm的器件获得了 6 5 0 m A/ m m的最大饱和电流密度和 10 0 m S/ mm的最大跨导 . 吴桐 郝智彪 唐广 郭文平 胡卉 孙长征 罗毅关键词:高电子迁移率晶体管 氮化镓 功率器件 GaN基发光二极管芯片光提取效率的研究 被引量:20 2005年 基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明,GaN与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取效率的提高,通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的正面出光的芯片光提取效率至少高20%;同时,低GaN光吸收系数、高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效的增加芯片光提取效率,并且LEDs芯片尺寸在400μm以下时光提取效率较高。 申屠伟进 胡飞 韩彦军 薛松 罗毅 钱可元关键词:发光二极管 蒙特卡罗方法 芯片尺寸 LEDS P型 GaAs图形衬底上InAs量子点生长停顿的动力学蒙特卡罗模拟 被引量:3 2005年 采用动力学蒙特卡罗模拟方法对GaAs图形衬底上自组织生长InAs量子点的停顿过程进行了研究.用衬底束缚能的表面分布模拟衬底图形,考察生长之后的停顿时间对量子点形成的影响.结果表明,合适的停顿时间使图形衬底上的量子点分布更趋规则化,对量子点的定位生长有积极的影响. 何为 郝智彪 罗毅关键词:量子点 p型GaN材料的表面物理特性 被引量:7 2003年 运用 X射线光电子能谱 (XPS)和俄歇电子能谱 (AES)等表面分析手段对表面状态不同的 p- Ga N样品进行了分析 .在样品表面制作了 Ni/ Au电极并进行了 I- V特性测试 .实验结果表明样品表面镓氮元素化学比 (Ga/ N)的减小以及 C,O杂质含量的减少可以改善电极的欧姆接触性能 . 薛松 韩彦军 郭文平 孙长征 郝智彪 罗毅关键词:P-GAN 表面物理特性 XPS AES X射线光电子能谱 俄歇电子能谱