国家自然科学基金(59966002)
- 作品数:5 被引量:3H指数:1
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- 相关机构:云南师范大学四川大学更多>>
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- 相关领域:动力工程及工程热物理电气工程更多>>
- MIp+-AlxGa1-xAs/p-n-n+-GaAS太阳电池的电特性
- 太阳电池在光照工作状态下,两极间有一个正向偏压V加在结上,这时在电池内产生光电流I的同时,将产生一个与之方向相反的“暗电流I(V)”,则输出到负载上的电流I为I=I-I(V)。因此,在一定工作电压下,欲获得最高的转换效率...
- 陈庭金王履芳涂洁磊
- 关键词:太阳电池
- 文献传递
- 热壁外延生长GaAs薄膜的结构特征被引量:2
- 2003年
- 该文介绍以Si和SnO2 / glass两种材料为衬底 ,采用热壁外延方法 ,制得GaAs多晶薄膜。采用电子探针 (EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌 ,x射线衍射 (XRD)分析薄膜的结构情况。结果表明该薄膜表面呈绒面结构、其晶粒为柱状结构 ,初步证明这种GaAs多晶薄膜有希望成为新一代廉价、高效太阳电池的候选材料。
- 涂洁磊林理彬陈庭金章晨静吴长树施光顺
- 关键词:太阳电池
- 利用界面固定负电荷在MIP-Al_xGa_(1-x)As中构造感应势的理论计算及其太阳电池的实验研究
- 2004年
- 介绍利用界面固定负电荷在MIP-AlxGa1-xAs中产生的感应势,并用于提高Al1-xGaxAs/GaAs太阳电池光电转换效率的构想。提出了分段计算求解泊松方程的数值计算方法。报道了利用分段数值计算,得到不同界面固定负电荷密度下,在不同掺杂浓度的半导体P-AlxCa1-xA5中界面附近的价带曲线Ev(x),以及Ev(0)值,空穴积累区宽度w值和表面空穴浓度p(0)值。文中还报道了基于这种思想所研制太阳电池的实验结果。
- 袁海荣陈庭金涂洁磊王履芳
- 关键词:ALGAAS势垒泊松方程
- MI-Al_xGa(1-x)As/GaAs太阳电池中界面势的构成及其界面复合分析被引量:1
- 2002年
- 在MIp AlxGa1 xAs结构的I层表面上 ,引入固定负电荷 ,并用减反射膜覆盖 ,将p Al1 xGaxAs层中的空穴感应至界面 ,可建立界面电子感应势垒 ,并将其构成MIp AlxGa1 xAs/p n n+ GaAs太阳电池。通过求解泊松方程 ,理论上分析了界面感应势的高度、宽度与 p AlxGa1 xAs层掺杂浓度及减反射膜中固定负电荷面密度的关系 ,以及该感应势的建立对电池界面复合速度的影响。结果表明 ,p AlxGa1 xAs层掺杂浓度的降低以及固定负电荷面密度的增高 ,都将导致界面感应势的高度与宽度的增加 ,从而能有效降低电池界面复合速度几个量级 。
- 涂洁磊林理彬陈庭金袁海荣
- 关键词:固定负电荷开路电压
- 在导电玻璃衬底上热壁外延生长GaAs薄膜
- 2003年
- 该文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构,Raman散射(RSS)、光致发光光谱(PL)分析其光学性能.结果表明该薄膜性能良好、表面呈绒面结构、适合制作GaAs薄膜太阳电池.并全面分析了现有制备工艺条件对GaAs薄膜性能的影响,得出最佳的生长温度条件:源温为900~930℃,衬底温度为500℃.
- 涂洁磊
- 关键词:热壁外延太阳电池
- 生长条件对GaAs/Si薄膜结构特性的影响
- 2003年
- 该文介绍以单晶Si为衬底,热壁外延制备适合作太阳电池的GaAs多晶薄膜.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍射(XRD)分析生长薄膜的结构特性.并分析了各种工艺条件对GaAs薄膜结构特性的影响,得出制备表面呈绒面结构、晶粒为柱状结构、可用作廉价、高效GaAs太阳电池衬底的多晶薄膜材料的最佳生长条件:源温为900℃,衬底温度为700℃,生长时间为3h.
- 涂洁磊
- 关键词:太阳电池绒面
- MIp+-AlxGa1-xAS/p-n-n+-GaAS太阳电池的光电流
- 本文对MIp-AlGaAs/p-n-n-GaAs太阳电池,在各区域都存在恒定漂移场以及能带结构模型下,对其光电流和光谱响应在理论上进行了严格的数学处理,得到了该电池光电流依赖于太阳电池表面、界面复合速度、各区存在的漂移场...
- 涂洁磊陈庭金王履芳
- 关键词:太阳电池光电流
- 文献传递
- MIp+-AlxGa1-xAs/p-n-n+-GaAs太阳电池的理论I-V特性
- 本文对新型高效率复合结构太阳电池进行了理论设计。首先设计了该电池的能带结构:在其I/p-AlGaAs结构的Ⅰ层表面引入固定负电荷,并用减反射膜覆盖,使其将p-AlGaAs层的空穴吸引到表面,使得该表面的能带向上弯曲,构成...
- 王履芳涂洁磊陈庭金
- 关键词:太阳电池I-V特性
- 文献传递