您的位置: 专家智库 > >

江苏省自然科学基金(SBK201121728)

作品数:2 被引量:0H指数:0
相关作者:郑有炓朱顺明朱振邦顾书林黄时敏更多>>
相关机构:南京大学更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇异质结
  • 1篇异质结场效应...
  • 1篇迁移
  • 1篇迁移率
  • 1篇OH
  • 1篇MOCVD
  • 1篇MOCVD法
  • 1篇MOCVD法...
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应管
  • 1篇U
  • 1篇ZNO薄膜
  • 1篇-B

机构

  • 2篇南京大学

作者

  • 2篇顾然
  • 2篇黄时敏
  • 2篇顾书林
  • 2篇朱振邦
  • 2篇朱顺明
  • 2篇郑有炓
  • 1篇叶建东

传媒

  • 2篇发光学报

年份

  • 2篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
MOCVD法生长ZnO薄膜时氧源t-BuOH和H2O的比较研究
2012年
以活性较低的叔丁醇(t-BuOH)和水(H2O)作为氧源,采用MOCVD技术生长了ZnO薄膜。研究发现,t-BuOH作为氧源可以有效地抑制其与锌源之间的气相预反应,比H2O作为氧源进行ZnO薄膜的外延生长具有更高的生长速率,得到的ZnO薄膜晶体质量更优,同时载流子的迁移率可以达到37.0 cm2.V-1.s-1,表明t-BuOH更适合作为氧源通过MOCVD系统生长ZnO薄膜。
朱顺明黄时敏顾书林朱振邦顾然郑有炓
关键词:MOCVD
ZnO/ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究
2012年
利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。在低温条件下,栅绝缘层产生钝化,从而能够改善器件的性能。
朱振邦顾书林朱顺明叶建东黄时敏顾然郑有炓
关键词:异质结场效应管迁移率
共1页<1>
聚类工具0