国家高技术研究发展计划(2003AA31G030)
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
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- 1212Gb/s 0.25μm CMOS低功耗1∶4分接器(英文)
- 2006年
- 实现了一种能运用于光传输系统SONET OC-192的低功耗单级分接器,其工作速率高达12Gb/s.该电路采用了特征栅长为0.25μm的TSMC混和信号CMOS工艺.所有的电路都采用了源极耦合逻辑,在抑制共模噪声的同时达到尽可能高的工作速率.该分接器具有利用四分之一速率的正交时钟来实现单级分接的特征,减少了分接器器件,降低了功耗.通过在晶圆测试,该芯片在输入12Gb/s长度为231-1伪随机码流时,分接功能正确.芯片面积为0.9mm×0.9mm,在2.5V单电源供电的情况下的典型功耗是210mW.
- 丁敬峰王志功朱恩章丽王贵
- 关键词：分接器锁存器CMOS光接收机
- 10Gb/s0.25m CMOS1∶4键合分接器被引量：1
- 2006年
- 首先分析了1∶4分接器的树型结构及其主要特点。在此基础上,进一步探讨了树型结构中所用的1∶2分接器,并给出其中的锁存器电路结构。此外,还讨论了分频器电路及输入输出电路。最后分析了超高速键合电路并给出测试方案。测试结果表明,在采用标准0.25μmCMOS工艺设计的分接器中,本设计首次达到键合后能够在STM-16和STM-64所要求的数据速率上稳定工作的性能,最高工作速率达10.58Gb/s。
- 王贵王志功朱恩丁敬峰李伟
- 关键词：光纤通信分接器键合互补金属氧化物半导体
- 27.5GHz 0.2μm PHEMT1∶4静态分频器被引量：1
- 2005年
- 描述了一种能运用于未来光传输系统SONETOC768的超高速1∶4静态分频器,其工作频率超过27GHz.该电路采用栅长为0.2μm,截止频率约为60GHz的砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管工艺制作,采用共面波导作为电感实现了宽带阻抗匹配.通过采用推拉式有源跟随器,在没有增加功耗的情况下拓宽了频带.单端输入和差分信号输出的方式,为实际应用提供了便利.通过晶圆测试,在单端时钟输入的情况下,芯片的最高工作频率超过27GHz.测试所得到的波形均方根抖动小于820fs.芯片的面积是1.6mm×0.5mm,功耗为440mW.
- 丁敬峰王志功杨守军王贵朱恩熊明珍
- 关键词：分频器锁存器GAAS共面波导
- 基于GaAs工艺的36GHz压控振荡器被引量：1
- 2006年
- 利用法国OMMIC公司的0·2μm GaAs PHEMT工艺,设计实现了一个36GHz压控振荡器电路.该电路采用完全差分的调谐振荡器结构,通过引进容性源极耦合差动电流放大器和调谐负载电路,提高了电路的性能.测试表明:该压控振荡器中心频率为36GHz,调谐范围约为800MHz,在偏离中心频率10MHz处的单边带相位噪声为-98·83dBc/Hz.芯片面积为0·5mm×1mm,采用-5V单电源供电,核心单元功耗约为200mW.
- 仇应华王志功朱恩冯军熊明珍夏春晓
- 关键词：压控振荡器共面波导砷化镓
- 基于锗硅工艺的40-Gb／s分接器被引量：2
- 2009年
- 采用0.35μmSiGeBiCMOS工艺设计了一个1∶2分接器,核心电路单元采用经过改进的电路结构实现。由于传统的发射极耦合逻辑结构(ECL)电路的工作速度不能达到要求,对此加以了改进,在发射极耦合逻辑结构中增加一级射极跟随器,形成发射极-发射极耦合逻辑(E2CL)结构,从而提高电路的工作速度。测试结果显示,所设计分接器的工作速度可以达到40Gb/s。整个电路采用单电源5V供电,功耗为510mW。
- 王贵王志功李伟唐万春
- 关键词：分接器锗硅锁存器缓冲器
