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国家自然科学基金(50972024)

作品数:4 被引量:19H指数:1
相关作者:蒋书文孙雷张万里肖瑶赵华更多>>
相关机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇介电
  • 2篇NB
  • 2篇BI
  • 1篇电损耗
  • 1篇电子设备
  • 1篇压阻
  • 1篇压阻式
  • 1篇氧空位
  • 1篇智能化技术
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇陶瓷
  • 1篇陶瓷薄膜
  • 1篇体声波
  • 1篇退火
  • 1篇物联网
  • 1篇联网
  • 1篇介电损耗
  • 1篇介质损耗
  • 1篇溅射

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇蒋书文
  • 1篇肖瑶
  • 1篇张万里
  • 1篇许程源
  • 1篇孙雷
  • 1篇肖勇
  • 1篇张光强
  • 1篇杨天应
  • 1篇黎彬
  • 1篇赵华

传媒

  • 3篇电子元件与材...
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2012
  • 1篇2011
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Tunable Ba_(0.5) Sr_(0.5) TiO_3 film bulk acoustic resonators using SiO_2 /Mo Bragg reflectors
2012年
Tunable and switchable Ba 0.5 Sr 0.5 TiO 3 film bulk acoustic resonators(FBARs) based on SiO 2 /Mo Bragg reflectors are explored,which can withstand high temperature for the deposition of Ba x Sr 1 x TiO 3(BST) films at 800 C.The dc bias-dependent resonance may be attributed to the piezoelectricity of the BST film induced by an electrostrictive effect.The series resonant frequency is strongly dc bias-dependent and shifts downwards with dc bias increasing,while the parallel resonant frequency is only weakly dc bias-dependent and slightly shifts upwards at low dc bias(< 45 V) while downwards at higher dc bias.The calculated relative tunability of shifts at series resonance frequency is around 2.3% and the electromechanical coupling coefficient is up to approximately 8.09% at 60-V dc bias,which can be comparable to AlN FBARs.This suggests that a high-quality tunable BST FBAR device can be achieved through the use of molybdenum(Mo) as the high acoustic impedance layer in a Bragg reflector,which not only provides excellent acoustic isolation from the substrate,but also improves the crystallinity of BST films withstanding higher deposition temperature.
杨天应蒋书文李汝冠姜斌
关键词:布拉格反射镜陶瓷薄膜体声波BST薄膜
溅射气压对Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜结构及介电性能的影响被引量:1
2011年
采用射频磁控溅射法在Pt/Si基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜。研究了溅射气压对BMN薄膜结构、表面形貌、化学成分及介电性能的影响。结果表明,制备的薄膜具有立方焦绿石结构。高溅射气压下制备的BMN薄膜晶粒的平均尺寸比低溅射气压下制备的薄膜晶粒的大。薄膜的介电调谐率及相对介电常数随溅射气压的升高而增大。且随着溅射气压的升高,薄膜中各元素含量逐渐接近理论值。在基片温度为675℃,溅射气压为5 Pa,体积比??(O2:Ar)为15:85的条件下制备得到的BMN薄膜在1.6×106 V/cm外加电场下的介电调谐率为26%,介质损耗约0.8%;在5.0×105 V/cm外加电场下其漏电流密度不超过6×10–8 A/cm2。
黎彬赵华杨天应蒋书文
关键词:射频磁控溅射介质损耗
Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜的介电损耗机理研究
2012年
采用射频磁控溅射法在Al2O3基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜,研究了不同退火条件下BMN薄膜的介电损耗机理。结果表明,充分的退火能够减小氧空位缺陷密度,并降低介电损耗。氧气气氛下退火能够有效补偿BMN薄膜中的氧空位,使得介电损耗进一步降低。这说明氧空位导致的带电缺陷损耗是BMN薄膜材料主要的介电损耗机制。此外,BMN薄膜中也存在晶界损耗机制。
肖勇许程源张光强蒋书文
关键词:氧空位退火
压阻式柔性压力传感器的研究进展被引量:18
2019年
随着智能化技术及物联网的不断发展,柔性压力传感器作为可穿戴电子设备和电子皮肤的核心器件,拥有了越来越广阔的市场。经过了十余年的发展,压阻式柔性压力传感器的相关研究已经从探究具有压敏效应的导电高分子复合材料发展到了对高性能传感器的制备研究。为了获得高性能的柔性压力传感器,研究者们在传感器的材料、结构及器件设计等方面进行一系列的创新型研究工作。目前已经研制出了一些基于新型材料与结构的高性能、低成本的柔性压力传感器,并且在可穿戴传感器、电子皮肤等应用领域已经获得了一定程度的发展。本文综述了近年来压阻式柔性压力传感器在材料、结构及应用方向的创新及发展,并对该类传感器的发展进行了展望。
于江涛孙雷肖瑶蒋书文张万里
关键词:智能化技术物联网
共1页<1>
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