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江苏省自然科学基金(BK20130263)

作品数:11 被引量:15H指数:3
相关作者:王晓丹毛红敏曾雄辉陈飞飞徐科更多>>
相关机构:中国科学院苏州科技学院苏州科技大学更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金国家自然科学基金江苏高校优势学科建设工程资助项目更多>>
相关领域:理学电子电信文化科学机械工程更多>>

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 5篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 5篇发光
  • 3篇ER
  • 3篇GAN
  • 3篇掺杂
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化铝
  • 2篇晶体
  • 2篇激光
  • 2篇发光特性
  • 2篇ALN薄膜
  • 2篇GAN薄膜
  • 1篇氮化镓
  • 1篇导体
  • 1篇电子行业
  • 1篇电子学
  • 1篇调谐
  • 1篇多通道
  • 1篇性能研究
  • 1篇石榴石
  • 1篇提拉法

机构

  • 8篇中国科学院
  • 7篇苏州科技学院
  • 4篇苏州科技大学
  • 1篇中国科学院上...
  • 1篇江苏师范大学

作者

  • 11篇王晓丹
  • 7篇毛红敏
  • 5篇曾雄辉
  • 3篇徐科
  • 3篇陈飞飞
  • 2篇王建峰
  • 2篇高崴崴
  • 2篇阳明明
  • 1篇赵志伟
  • 1篇徐晓东
  • 1篇梁晓燕
  • 1篇韩佰祥
  • 1篇张晶华
  • 1篇马锡英
  • 1篇徐国定

传媒

  • 4篇人工晶体学报
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇光子学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇发光学报
  • 1篇中国教育技术...
  • 1篇大学物理实验

年份

  • 4篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Er^(3+)、Pr^(3+)共掺杂AlN薄膜的发光特性和能量传递机理被引量:3
2017年
采用离子注入的方法在氮化铝(AlN)薄膜中实现Er^(3+)和Pr^(3+)的共掺杂,以阴极荧光光谱仪为主要表征手段,对其发光特性进行研究.对于Er^(3+)单掺杂的AlN薄膜,在410nm和480nm可以观察到Er^(3+)较强的发光峰,在537nm、560nm、771nm和819nm可观察到Er^(3+)的较弱的发光峰;对于Pr^(3+)单掺杂的AlN薄膜,Pr^(3+)的最强发光峰位于528nm,在657nm和675nm可以观察到Pr^(3+)的较弱的发光峰;而对于Er^(3+)和Pr^(3+)共掺杂的AlN薄膜,在494nm观察到与Pr^(3+)相关的新跃迁峰.根据实验现象,对AlN薄膜中Er^(3+)和Pr^(3+)之间的能量传递机制进行了深入分析,结果表明Er^(3+)的4F7/2→4I15/2能级跃迁与Pr^(3+)的3P0→3H4能级跃迁之间发生了共振能量传递,从而使Pr^(3+)产生了494nm新的发光峰.
陈飞飞王晓丹阳明明毛红敏
关键词:光电子学氮化铝发光
GaN∶Er材料研究进展
2015年
半导体行业是一个基础性行业,同时在每个领域所占的比重也越来越高。Er掺杂的GaN材料器件,既具备稀土元素的性能,又充分发挥了半导体材料的优势。本文简要介绍了稀土Er掺杂GaN材料的制备方法,以及目前有关该材料及器件在光学性能方面的研究进展,并对其发展趋势进行了展望。
莫亚娟王晓丹曾雄辉阳明明王建峰徐科
关键词:光学性能
融入地区优势改革半导体物理与器件课程教学模式被引量:2
2016年
以培养高素质创新人才为目标,根据长三角半导体行业蓬勃发展的地区优势,提出因需施教、理论联系实践的教学模式改革。以学生为主体,培养科研创新型人才,从而促进产学研更快发展及半导体行业的技术进步。
王晓丹毛红敏
关键词:电子行业教学改革
Er离子注入GaN薄膜的阴极荧光机制研究被引量:3
2015年
采用离子注入方法制备了一系列不同Er离子剂量的GaN薄膜,并在不同温度、不同气氛下进行了退火处理。深入研究了退火温度和退火气氛对阴极荧光谱的影响机制和阴极荧光中的发光猝灭现象,获得了优化的退火条件。结果表明,当Er离子注入剂量达到1×1015cm-2时,Er离子的发光强度最高;当Er离子注入剂量达到5×1015cm-2时,出现发光猝灭现象。
莫亚娟王晓丹曾雄辉高崴崴王建峰徐科
关键词:GAN薄膜离子注入
Er:GaN微纳米晶发光性能研究
2014年
采用溶液化学方法制备了Er3+掺杂浓度为1at%的Er∶GaN微纳米晶材料。对退火前后材料的结构、形貌和发光性能进行了表征。结果表明:Er∶GaN微纳米晶样品为纯的六方GaN相。退火后出现晶粒长大现象,且氧含量降低,微纳米晶的结晶质量变好。退火处理后出现了Er3+相关的524 nm和547 nm的绿光峰,660 nm的红光峰。在980 nm激发下,在Yb,Er∶GaN微纳米晶样品中实现了上转换荧光发射,并观察到了和Er∶GaN微纳米晶相同的发光峰。
高崴崴王晓丹韩佰祥莫亚娟曾雄辉徐科
关键词:发光性能
多通道可调谐1.55μm光子晶体滤波器被引量:1
2017年
建立了(AB)N型一维光子晶体结构多通道可调谐滤波器模型,其中A层是砷化镓(GaAs)材料,B层是由掺铝的氧化锌层和氧化锌层(AZO/ZnO)交替排列构成的具有人工周期结构的各项异性材料。根据电磁波的传输矩阵理论,推导了光子晶体的透射率公式。数值模拟表明:此结构光子晶体透射中心波长是1.55μm,对应于光子通带;透射峰的数量由光子晶体的周期N决定;B层中填充因子h从2/3增加到11/12,峰值波长蓝移且移动范围超过200 nm;A和B层厚度增加,透射峰中心波长发生红移;而入射角度的增加将使透射峰中心波长蓝移;在各参数的调控范围内,光子晶体均保持较高的透射率不变。这些现象为光通信波段多通道可调谐高性能滤波器的设计提供了理论参考。
毛红敏马锡英王晓丹徐国定
关键词:滤波器光子晶体多通道可调谐
红光发射GaN∶Eu材料与器件研究进展被引量:1
2018年
第三代宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)以其优异的电学和光学性能受到了产业界和科研界的重视。稀土离子Eu掺杂GaN材料,既具备了稀土元素优异的光学性能,又充分发挥了半导体材料的优势,可用于制备新型红光LED器件。因此,对GaN:Eu材料的制备方法,发光机理及器件研究进展进行了总结,并对其未来发展趋势进行了展望。
王晓丹夏永禄韩晶晶毛红敏
关键词:发光机理
稀土离子掺杂AlN薄膜发光材料的研究进展被引量:3
2018年
纤锌矿结构氮化铝(AlN)是一种典型的直接宽禁带化合物半导体,稀土离子掺入后可作为发光材料应用在显示、照明等众多领域。对稀土掺杂氮化铝薄膜的制备方法,结构损伤、发光特性、器件研究等进行了综述,并着重总结了影响发光性能的因素。最后对该研究方向进行了展望。
陈飞飞王晓丹李祥曾雄辉
关键词:氮化铝稀土离子发光特性
高平均功率固态激光器的实验研究被引量:1
2018年
高平均功率固态激光器在先进制造业和激光武器等领域有重要应用。本文从激光工作物质激活离子的选择、基质的不同对激光器性能的影响等方面来进行研究,得到Yb:LuAG晶体是一种应用于高平均功率激光器中更具潜力的增益介质的结论。通过该研究,学生在掌握了激光器相关知识的基础上,培养了科研能力和创新思维。
王晓丹徐晓东张晶华毛红敏
关键词:固态激光器高平均功率石榴石
0.5at%Yb∶YAG晶体光谱与激光性能研究被引量:1
2014年
采用提拉法生长Yb3+掺杂浓度为0.5at%高质量的Yb∶Y3Al5O12(Yb∶YAG)晶体。对晶体的结晶质量、分凝系数和光谱和激光性能进行了表征。结果表明:所生长的晶体结晶质量较好,在空气中退火后晶体吸收系数略有增加,晶体中自吸收效应的影响很小,具有宽的发射带。Yb∶YAG晶体和Yb∶YAG/YAG复合晶体分别在抽运功率为7.1 W和6.15 W的LD抽运下,获得2.19 W和1.354 W的连续激光输出,斜率效率分别为34.58%和25.9%。
王晓丹赵志伟曾雄辉毛红敏梁晓燕
关键词:提拉法激光性能
共2页<12>
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