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国家自然科学基金(50972032)

作品数:7 被引量:7H指数:2
相关作者:孙伟峰郑晓霞熊敏李美成更多>>
相关机构:哈尔滨理工大学黑龙江工程学院哈尔滨工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程机械工程更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 3篇INAS/G...
  • 3篇INAS/G...
  • 3篇超晶格
  • 2篇GASB
  • 2篇INAS
  • 1篇原子链
  • 1篇输运
  • 1篇品格
  • 1篇量子
  • 1篇量子输运
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇结构和光学性...
  • 1篇晶格
  • 1篇缓冲层
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇广义梯度近似
  • 1篇分子束

机构

  • 3篇哈尔滨理工大...
  • 2篇黑龙江工程学...
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇华北电力大学

作者

  • 3篇孙伟峰
  • 2篇郑晓霞
  • 1篇李美成
  • 1篇熊敏

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇Acta M...
  • 1篇Scienc...
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
Suppressing the multimodal size distribution of InAs/GaAs quantum dots through flattening the surface fluctuation被引量:1
2010年
A method of suppressing the multimodal size distribution of InAs/GaAs quantum dots(QDs) using molecular beam epitaxy through flattening the substrate surface is reported in this work.It is found that the surface roughness plays an important role in the growth of QDs through continuous surface evolution(SEQDs).SEQDs are the main components of small QD ensemble in QDs with multimodal size distribution.It is suggested that most of the SEQDs are very likely to nucleate during the growth interruption rather than during the deposition.The growth of QDs on a smoother surface has largely reduced the density of SEQDs.The photoluminescence line width of uniform QDs is found to be only 17 meV at a low temperature.
WANG Lu1,2,LI MeiCheng1,WANG WenXin2,GAO HanChao2,TIAN HaiTao2,XIONG Min1 & ZHAO LianCheng1 1 School of Material Science and Technology,Harbin Institute of Technology,Harbin 150001,China
关键词:DOTSMULTIMODALSURFACEFLUCTUATION
Preparation of Composited Graphene/PEDOT:PSS Film for Its Possible Application in Graphene-based Organic Solar Cells
2015年
The interface between graphene and organic layers is a key factor responsible for the performance of graphene-based organic solar cells(OSCs). In this paper, we focus on coating PEDOT:PSS onto the surface of graphene. We demonstrate two approaches, applying UV/Ozone treatment on graphene and modifying PEDOT:PSS with Zonyl, to get a PEDOT:PSS well-coated graphene film. Our results prove that both methods can be effective to solve the interface issue between graphene and PEDOT: PSS. Thereby it shows a positive application of the composited graphene/PEDOT:PSS film on graphene-based OSCs.
YU YueLI MeichengCHU LihuaYU HakkiWodtke A.M.ZHAO YanZHANG Zhongmo
关键词:GRAPHENECOMPOSITECOATING
InSb缓冲层的波纹结构及其对InSb/GaAs外延薄膜电学性能的影响
2011年
采用分子束外延方法在GaAs(001)衬底上生长了InSb外延薄膜,其中采用"二步法"制备了不同厚度的低温InSb缓冲层结构。利用Mullins扩散模型对缓冲层的生长过程进行了具体演化。结合扩散模型的计算结果,通过原子力显微镜以及透射电子显微镜研究了InSb缓冲层表面的波纹结构对后续InSb薄膜生长的影响规律。研究表明,适当的缓冲层厚度有利于InSb薄膜的外延生长,缓冲层厚度超过60 nm后,InSb薄膜表面的粗糙度明显增加,引人了大量位错导致外延薄膜的电性能下降,采用"二步法"生长30~50 nm厚的InSb缓冲层比较合适。
熊敏李美成
关键词:INSB薄膜分子束外延
(InAs)1/(GaSb)1超品格纳线第一原理研究被引量:1
2012年
半导体纳米线作为纳米器件的作用区和连接部分具有理想的形状,把电子运动和原子周期性限制在一维结构当中.通过体材料的已知特性,有效地选择材料组分使纳米线的低维结构优点更加突出.此外,还可以通过其他方式来调整纳米线特性,如控制纳米线直径、晶体学生长方向、结构相、表面晶体学晶面和饱和度等内部或固有的特性;施加电场、磁场、热场和力场等外部影响.体材料InAs和GaSb的晶格常数非常相近,因此InAs/GaSb异质结构晶格失配很小,可生长成为优良的红外光电子材料.另外,体材料InAs在二元Ⅲ—Ⅴ化合物半导体中具有最低的有效质量,这使得电子限制在InAs层的InAs/GaSb超晶格具有良好的输运特性.本文通过第一原理计算研究轴线沿[001]和[111]闪锌矿晶体学方向的(InAs)_1/(GaSb)_1超晶格纳米线(下标表示分子或双原子单层的数量)的结构、电子和力学特性,以及它们随纳米线直径(线径约为0.5—2.0 nm)的变化规律.另外,分析了外部施加的应力对电子特性的影响,考察了不同线径(InAs)_1/(GaSb)_1超晶格纳米线的电子带边能级随轴向应变的变化,从而确定超晶格电子能带的带边变形势.
孙伟峰郑晓霞
关键词:INAS/GASB超晶格半导体纳米线
(InAs)1/(GaSb)1超晶格原子链的第一原理研究
2012年
利用第一原理平面波赝势法,对(InAs)_1/(GaSb)_1超晶格原子链的原子结构、力学特性、电子能带结构、声子结构和光学特性进行研究,并结合密度泛函理论数值原子轨道赝势法和非平衡格林函数法计算量子输运特性.与二维层结构的(InAs)_1/(GaSb)_1超晶格相比,(InAs)_1/(GaSb)_1超晶格原子链的能带结构有明显不同,在某些情况下表现为金属能带特性.对理想条件下(InAs)_1/(GaSb)_1超晶格原子链的力学强度计算表明,该结构可承受的应变高达ε=0.19.通过对声子结构的完整布里渊区分析,研究了(InAs)_1/(GaSb)_1超晶格原子链的结构稳定性.对两端接触电极为Al纳米线的InAs/GaSb超晶格原子链的电子输运特性计算表明,电导随链长和应变的改变而发生非单调变化.光吸收谱的计算结果表现出在红外波段具有陡峭吸收边,截止波长随超晶格原子链的结构而变化.预计InAs/GaSb超晶格原子链可应用于红外光电子纳米器件,通过改变超晶格原子链的结构来调节光电响应波段.
孙伟峰
关键词:INAS/GASB超晶格原子链量子输运
第一原理研究界面弛豫对InAs/GaSb超晶格界面结构、能带结构和光学性质的影响被引量:3
2012年
通过广义梯度近似的第一原理全电子相对论计算,研究了不同界面类型InAs/GaSb超晶格的界面结构、电子和光吸收特性.由于四原子界面的复杂性和低对称性,通过对InAs/GaSb超晶格进行电子总能量和应力最小化来确定弛豫界面的结构参数.计算了InSb,GaAs型界面和非特殊界面(二者交替)超晶格的能带结构和光吸收谱,考察了超晶格界面层原子发生弛豫的影响.为了证实能带结构的计算结果,用局域密度近似和Hartree-Fock泛函的平面波方法进行了计算.对不同界面类型InAs/GaSb超晶格的能带结构计算结果进行了比较,发现界面Sb原子的化学键和离子性对InAs/GaSb超晶格的界面结构、能带结构和光学特性起着至关重要的作用.
孙伟峰郑晓霞
关键词:INAS/GASB超晶格广义梯度近似
In-situ Observation of Crack Growth and Domain Switching Around Vickers Indentation on BaTiO_3 Single Crystal Under Sustained Electric Field被引量:2
2013年
The crack propagation and domain switching process around the indentation on the surface of barium titanate single crystal under the external electric field was investigated by atomic force microscope and polarized light microscope. The evolutions of domain switching and crack propagation were in-situ observed when a 90°a- c domain wall moved across the indentation which was driven by external electric field. The results show that the incompatible strain induced by domain switching in the residual stress zone around the indentation is the driving force of the anisotropic crack propagation. The crack propagation results in the changes of the fine domain stripes around the crack tip.
Bing JIANGYusong LIUMeicheng LI
关键词:INDENTATIONBATIO3
共1页<1>
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