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国家自然科学基金(20271037)

作品数:31 被引量:224H指数:9
相关作者:许并社刘旭光周禾丰郝玉英梁建更多>>
相关机构:太原理工大学教育部北京航空航天大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家杰出青年科学基金山西省自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>

文献类型

  • 31篇期刊文章
  • 16篇会议论文

领域

  • 20篇一般工业技术
  • 13篇理学
  • 9篇电子电信
  • 7篇金属学及工艺
  • 4篇化学工程
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇农业科学

主题

  • 18篇纳米
  • 8篇富勒烯
  • 6篇发光
  • 5篇洋葱状富勒烯
  • 4篇电致发光
  • 4篇纳米片
  • 4篇抗菌
  • 4篇ZNO
  • 3篇荧光
  • 3篇紫外
  • 3篇纳米线
  • 3篇晶体
  • 3篇抗菌剂
  • 3篇光谱
  • 3篇白光
  • 3篇PT
  • 3篇ZNO纳米
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化镓
  • 2篇性能研究

机构

  • 43篇太原理工大学
  • 2篇北京航空航天...
  • 2篇教育部
  • 1篇东京大学
  • 1篇江西蓝天学院
  • 1篇雁北师范学院
  • 1篇中国科学院
  • 1篇江西理工大学

作者

  • 38篇许并社
  • 21篇刘旭光
  • 12篇周禾丰
  • 11篇郝玉英
  • 10篇梁建
  • 9篇王华
  • 7篇韩培德
  • 7篇马淑芳
  • 6篇王晓敏
  • 5篇魏丽乔
  • 4篇王社斌
  • 4篇张颖
  • 4篇贾虎生
  • 4篇侯文生
  • 4篇孙彩云
  • 4篇郭俊杰
  • 4篇李洁
  • 3篇翟雷应
  • 3篇牛梅
  • 3篇杨晓伟

传媒

  • 4篇发光学报
  • 3篇材料导报
  • 3篇光谱学与光谱...
  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇太原理工大学...
  • 2篇机械工程材料
  • 2篇功能材料
  • 2篇电子显微学报
  • 2篇材料热处理学...
  • 2篇Journa...
  • 2篇2005年全...
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇新技术新工艺
  • 1篇金刚石与磨料...
  • 1篇复合材料学报
  • 1篇Chines...
  • 1篇Journa...
  • 1篇材料导报(纳...
  • 1篇2006中国...

年份

  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 6篇2007
  • 14篇2006
  • 17篇2005
  • 6篇2004
31 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
纳米SiO_2氢氧化铝/十二烷基苯磺酸钠的表面包覆改性被引量:10
2006年
通过氢氧化铝和十二烷基苯磺酸钠(SDBS)对纳米SiO2进行表面包覆和改性处理,改善纳米SiO2的表面结构和分散性。使用IR、FESEM、EDS、MalvernZetasize3000HSA自动电位粒度仪等表征手段,对表面包覆改性后纳米SiO2的表面结构、形貌及等电点等进行了测试和分析。结果表明,经Al(OH)3表面包覆后,纳米SiO2粉体等电点(IPE)的pH值从1.58变为7.1;经SDBS对表面包覆Al(OH)3的纳米SiO2进行改性后,纳米SiO2粉体团聚现象减少,单个纳米SiO2颗粒的粒径约为30nm。
张颖侯文生魏丽乔许并社
关键词:纳米SIO2表面包覆ZETA电位
Fabrication and Life Prediction of SSiC Ceramic Joint Joined with Silicon Resin YR3370被引量:1
2007年
Joints between sintered silicon carbide (SSiC) were produced using a polysiloxane silicon resin YR3370 (GE Toshiba Silicones) as joining material. Samples were heat treated in a 99.99% nitrogen flux at temperatures ranging from 1 100 ℃ to 1 300 ℃. Three point bending strength of the joint reached the maximum of 179 MPa as joined at 1 200℃. The joining layer is continuous, homogeneous and densified and has a thickness of 2 μm -5μm. The joining mechanism is that the amorphous silicon oxycarbide (SixOyCz) ceramic pyrolyzed from silicon resin YR3370 acts as an inorganic adhesive to SSiC substrate, which means the formation of the continuous Si-C bond structure between SixOyCz structure and SSiC substrate. Life prediction of the ceramic joint can be realized through the measurement of the critical time of the joint after the cyclic loading test.
YUAN Xiao-kunXU Bing-she
GaN纳米棒的合成与表征
2007年
利用化学气相沉淀法(CVD)以Ga2O3和NH3为原料在沉积有乙酸镍的硅衬底上合成出了GaN纳米棒,纳米棒直径在50-200nm,长度在2-10μm,表面比较光滑,利用场发射扫描电镜(FESEM),X射线衍射仪(XRD),能量散射谱(EDS)对样品进行了成分和结构分析,表明GaN纳米棒是单晶的纤锌矿结构,同时对其生长机理进行了探讨。
王连红梁建马淑芳万正国许并社
关键词:氮化镓纳米棒催化剂
用有机硅树脂连接结构陶瓷的研究进展被引量:2
2006年
有机硅树脂已经成为结构陶瓷的重要连接剂之一。本文综述了用有机硅树脂连接SiC和Si3N4陶瓷的研究现状,以及用有机硅树脂连接结构陶瓷的研究方向,并报导了用有机硅树脂YR3370连接SiC陶瓷以及连接SiC陶瓷基复合材料的工作。
原效坤许并社
关键词:有机硅树脂结构陶瓷
合成温度对水杨醛缩乙二胺锌荧光性能的影响
研究了合成温度对水杨醛缩乙二胺锌荧光性能的影响,红外光谱、x射线衍射谱及扫描电镜分析结果表明,低温下合成的水杨醛缩乙二胺锌主要以单体形式存在,合成温度提高,通过酚氧桥键形成低聚体,合成温度提高,聚集程度增加,聚集状态不同...
郝玉英高志翔王华周禾丰赵兴国刘旭光许并社
关键词:荧光性能合成温度聚集体
文献传递
纳米ZnS基白光发射材料的制备和表征被引量:10
2005年
利用溶胶凝胶法,通过直接掺杂Mn2+获得白光发射且操作工艺简单的纳米ZnS∶Mn荧光粉,使用XRD、UV、PL及FT IR等方法研究了ZnS∶Mn纳米微粒的粒径、结构及荧光特性。结果表明:ZnS∶Mn纳米微粒的平均粒径约为7nm,为闪锌矿晶体结构;所制备样品的荧光发射光谱有强度相当的两个峰,一个是峰值位于480nm的基质发光,另一个是峰值位于590nm的橙色光,样品总体发白光;Mn2+的掺杂量对ZnS∶Mn纳米白光荧光粉发光性能的影响很大;在纳米微粒的形成过程中,聚甲基丙烯酸将该纳米粒子包覆。
岳利青周禾丰郝玉英刘旭光许并社
关键词:白光发射
四足空心氧化锌晶须的研究被引量:6
2004年
以氧化锌和碳粉为原料 ,利用高温气相氧化反应法制备出了四足空心氧化锌 (T ZnO)晶须。采用XRD、FE SEM、TEM和PL等手段对产物进行了表征。初步得出形成机理可能是先形成八面体晶核 ,然后在其交错面上生长出 4个空心单晶足。产物的光致发光谱显示出红移现象 ,在低波段的发射峰被抑制 ,而出现强烈的绿光发射峰。
梁建淑芳孙彩云许并社
关键词:氧化锌晶须气相氧化
1,5-萘二胺衍生物的合成及发光行为被引量:4
2005年
通过在CuI的强碱溶液中Ullmann反应合成了纯度较高的1, 5 萘二胺衍生物NPN,制备了NPN薄膜。利用紫外/可见吸收光谱和荧光发射光谱的溶剂效应对化合物NPN的发光行为进行了研究,了解了该分子在基态和激发态时的性质。差热扫描法(DSC)测定其玻璃化温度(Tg)高达129. 7℃,熔点达245. 7℃。结果表明,NPN薄膜在365nm紫外光的激发下,产生发光峰在448. 6nm附近、谱线带宽为72. 6nm的蓝光发射,发光亮度高,色纯度高。该材料具有良好的热稳定性,期望通过设计合理的器件结构实现电致蓝光发射。同时NPN保持了TPD、NPB三苯胺的基本结构特征,具有较好的给电子性,而且引入1, 5 萘二胺结构单元,使结构更紧凑,有利于空穴迁移率的提高,也可望成为优良的空穴传输材料。
李洁王华郝玉英周禾丰刘旭光许并社
关键词:电致发光热稳定性空穴传输材料
热处理对载银4A沸石抗菌剂结构与性能的影响
侯文生张颖魏丽乔戴晋明贾虎生刘旭光许并社
文献传递
GaN/C60多层膜结构及光学特性的理论分析
使用转移矩阵方法计算了GaN/C多层膜一维光子晶体的带隙结构。计算结果表明由厚度分别为21mm、49nm的GaN、C薄膜组成的多层膜结构在中心带隙为6.46eV处有一不完全的光子带隙存在,反射率最高可达64.3%。
韩培德王丽萍迟美党随虎贾伟许并社
关键词:富勒烯GAN多层膜
文献传递
共5页<12345>
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