辽宁省高校创新团队支持计划(2007T130)
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
- 相关作者：揣荣岩王健刘晓为刘本伟崔林更多>>
- 相关机构：沈阳工业大学哈尔滨工业大学沈阳化工学院更多>>
- 发文基金：辽宁省高校创新团队支持计划国家自然科学基金辽宁省科学技术基金更多>>
- 相关领域：机械工程动力工程及工程热物理电子电信理学更多>>
- 牺牲层结构压力传感器技术被引量：1
- 2009年
- 为使多晶硅纳米薄膜良好的压阻特性在微机电系统压阻传感器中得到有效应用,在设计牺牲层结构压力传感器芯片中探索性地采用多晶硅纳米薄膜作为应变电阻,并对这种传感器的工艺方法进行了研究.通过对牺牲层材料及结构的分析,给出了传感器的工艺流程,指出其中存在的工艺难点并给出了解决方法.利用牺牲层技术和多晶硅纳米薄膜制做压阻传感器,不但可以提高传感器的灵敏度,还可改善温度特性,而且可与集成电路工艺相兼容.
- 揣荣岩郑雁公刘本伟王文东崔林李新
- 关键词：牺牲层灵敏度化学气相淀积多晶硅密封腔
- 多晶硅纳米薄膜牺牲层压力敏感结构设计被引量：3
- 2010年
- 为使多晶硅纳米薄膜良好的压阻特性在MEMS（微机电系统）压阻传感器中得到有效应用，在设计牺牲层结构压力传感器芯片中探索性地采用了多晶硅纳米薄膜作为应变电阻，并给出这种传感器的设计方法。分析了牺牲层结构弹性膜片的应力分布对传感器灵敏度的影响，优化设计了量程为0—0．2MPa多晶硅纳米膜压力传感器芯片的结构参数。有限元法仿真结果表明：在保证传感器灵敏度大于50mV／（MPa·V）的前提下，零点温漂系数可小于1×10^-3FS／℃；灵敏度温漂（无电路补偿）可小于1×10^-1FS／℃．为高灵敏、低温漂、低成本的高温压力传感器集成化发展提供了一条可行途径。
- 揣荣岩崔林王健王健刘本伟郑雁公
- 关键词：牺牲层有限元密封腔
- 基于电流致重结晶的Poly-Si纳米薄膜电阻电学修正特性
- 2011年
- 为了提高基于多晶硅纳米薄膜的压阻传感器的性能及成品率,对不同厚度多晶硅薄膜的电阻电学修正特性进行了研究.采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺,620℃下制备多晶硅薄膜.通过固相扩散法实现高掺硼,并基于光刻工艺制作成电阻.实验结果表明,在薄膜电阻上施加高于阈值的电流,可有效降低电阻值.薄膜厚度的变化改变了薄膜结晶度及晶粒尺寸,从而影响其修正阈值电流密度及修正速率.用所建立的晶界填隙原子-空位对模型对电学修正现象进行了理论分析,认为该现象是大电流激励产生的焦耳热导致晶界发生逐层重结晶,从而增大载流子迁移率的结果.研究表明,该方法可用于高掺杂多晶硅电阻的封装后调阻.
- 施长治崔虹云刘晓为揣荣岩李智
- 关键词：多晶硅薄膜厚度
- 高灵敏压力传感器过载保护结构设计被引量：5
- 2011年
- 采用微机电系统（MEMS）牺牲层技术制作的压力传感器具有芯片尺寸小,灵敏度高的优势,但同时也带来了提高过载能力的难题。为此,利用有限元法,对牺牲层结构压阻式压力传感器弹性膜片的应力分布进行了静态线性分析和非线性接触分析。通过这两种分析方法的结合,准确的模拟出过载状态下传感器的应力分布。在此基础上给出了压力传感器的一种结构设计方法,从而可使这种压力传感器过载保护能力提高180%~220%。
- 揣荣岩孙瑞刘晓为王健
- 关键词：压力传感器牺牲层技术过载保护
