江苏省高校自然科学研究项目(09KJD510003)
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 相关作者：邱云贞王志亮张雪锋徐静平张振娟更多>>
- 相关机构：华中科技大学南通大学更多>>
- 发文基金：江苏省高校自然科学研究项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 叠层高k栅介质中远程界面粗糙散射的理论模型被引量：2
- 2010年
- 利用双子带近似,从理论上研究了远程界面粗糙散射对叠层高k栅介质MOSFET反型载流子迁移率的退化作用,模拟了叠层高k栅介质结构参数和材料参数对远程界面粗糙散射的影响。结果表明,对于精确的迁移率模型,远程界面粗糙散射必须加以考虑,另外,在设计叠层高k栅介质MOSFET时,在EOT得到满足的条件下,尽可能利用具有较高介电常数的界面层和具有较低介电常数的高k栅介质,可以减小迁移率退化。
- 张雪锋邱云贞张振娟陈云黄静王志亮徐静平
- 关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管
- HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究
- 2010年
- 为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁移率退化的原因,模型计算结果与实验结果一致。
- 张雪锋季红兵邱云贞王志亮陈云张振娟黄静徐静平
- 关键词：迁移率
- 超薄HfN界面层对HfO_2栅介质Ge pMOSFET电性能的改进被引量：1
- 2010年
- 通过在高k介质和Ge表面引入一层超薄HfN界面层,实验制备了HfO2/HfON叠层栅介质Ge MOS器件。与没有界面层的样品相比,HfO2/HfON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和高有效迁移率。因此利用HfON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的high-k/Ge界面质量有着重要的意义。
- 张雪锋季红兵邱云贞王志亮黄静张振娟徐静平
- HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究被引量：1
- 2010年
- 为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MOS器件的界面钝化层对于获得小的等效氧化物厚度和高的高k/Ge界面质量有着重要的意义。
- 张雪锋季红兵邱云贞王志亮徐静平
