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国家高技术研究发展计划(2007AA03Z424)

作品数:7 被引量:26H指数:4
相关作者:蒋亚东于军胜徐建华杨亚杰李璐更多>>
相关机构:电子科技大学上海交通大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇电致发光
  • 4篇电致发光器件
  • 4篇有机电致发光
  • 4篇有机电致发光...
  • 4篇发光
  • 4篇发光器件
  • 2篇导电
  • 2篇导电聚合物
  • 2篇电聚合
  • 2篇溅射
  • 2篇OLED
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇带电粒子
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇电粒子
  • 1篇多工位
  • 1篇性能研究
  • 1篇气敏

机构

  • 7篇电子科技大学
  • 1篇上海交通大学

作者

  • 7篇蒋亚东
  • 5篇于军胜
  • 2篇杨亚杰
  • 2篇王涛
  • 2篇李璐
  • 2篇吴志明
  • 2篇徐建华
  • 2篇于贺
  • 1篇文雯
  • 1篇董翔
  • 1篇靖红军
  • 1篇赵娟
  • 1篇陈苏杰
  • 1篇张巍
  • 1篇姜晶
  • 1篇张清

传媒

  • 2篇光电子.激光
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇真空

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 4篇2009
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
NPB:CBP复合空穴传输层对黄色有机电致发光器件的影响被引量:4
2011年
采用N,N′-diphenyl-N,N′-bis(1-naphthyl-pheny1)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine(NPB):4,4′-N,N′-dicarbazole-biphenyl(CBP)掺杂体系为复合空穴传输层,制备了结构为indium-tin oxide(ITO)/NPB:CBP/CBP:bis[2-(4-tert-butylphenyl)benzothiazolato-N,C2′]iridium(acetylacetonate)[(t-bt)2Ir(acac)]/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-phenanthroline(BCP)/Mg:Ag的黄色有机电致发光器件(organic light-emitting devices,OLEDs).通过调节NPB:CBP掺杂体系的组分,研究了不同掺杂质量比的OLEDs的电致发光特性.结果表明,将CPB掺杂到NPB中可调控空穴的传输能力,对器件的发光效率有显著的影响.当NBP和CPB的质量比为1∶3时,器件的的性能得到最大限度的优化,最大功率效率达到18.1lm/W.
陈苏杰于军胜文雯蒋亚东
导电聚合物纳米线的制备及气敏性能研究被引量:5
2009年
首次采用简单的浸润多孔氧化铝(AAO)模板法制备了导电聚合物聚-3,4-乙烯二氧噻吩(PE—DOT)纳米线。导电聚合物溶液浸润AAO模板后,PEDOT吸附于孔道壁并进一步聚合生成导电聚合物纳米线。紫外-可见光-近红外光谱(UV—vis—NIR spectrum)分析表明生成的纳米线处于掺杂态。采用四探针仪分析了导电聚合物纳米线的导电性能,结果显示纳米线电导率相比普通PEDOT材料有数量级增加,且表现出良好的掺杂/脱掺杂能力。研究了导电聚合物纳米线的气体敏感性能,发现其对挥发性醇类,尤其对甲醇在较低浓度下表现出优异的敏感性,对5×10^-6甲醇气体的响应时间约为10~20s,测试可重复性超过20次,达到饱和吸附时的气体浓度明显大于普通PEDOT材料。表明PEDOT纳米线不仅提供了较大表面积供气体分子吸附,而且纳米线中导电通道取向一致,从而体现出较好的气体敏感性能。
徐建华杨亚杰蒋亚东于军胜
关键词:纳米线导电聚合物电导率气敏特性
磁控溅射带电粒子的运动分布以及靶面刻蚀形貌的研究被引量:1
2009年
首先使用有限元分析方法求解磁控溅射电磁场的分布,然后结合受力分析,仿真了单电子运动轨迹并较好地呈现螺旋形状,同时模拟出多粒子束的靶面位置分布以及刻蚀形貌图,最后把计算结果与实验中靶面刻蚀形貌进行对比,所求结果与实验测量数据吻合。
于贺王涛吴志明蒋亚东姜晶靖红军
关键词:磁控溅射
芴类衍生物有机电致发光器件中的激基复合物被引量:2
2009年
利用紫外-可见光吸收光谱和荧光发光(PL)光谱,研究了新型芴类小分子材料2,3-bis(9,9-dihexyl-9H-flu-oren-2-yl)-6,7-difluoroquinoxaline(F2Py)的本征光谱特性,并制备了基于F2Py的有机电致发光器件(OLEDs),讨论了器件的电致发光(EL)光谱。结果表明,F2Py在溶液状态下的本征PL峰值位于452 nm,在薄膜状态下的本征PL峰值位于448 nm,而F2Py与NPB的混合物的PL发光峰在544 nm。在器件的EL光谱中,观察到了位于530~550 nm范围的激基复合物发光峰,以及来自F2Py与NPB激子发光的共同作用形成的位于430nm左右的肩峰。当F2Py层厚度为50 nm时,器件的启亮电压为17 V,最高亮度为58 cd/m2;而当F2Py厚度为20 nm并加入了Alq3(10 nm)做电子传输层(ETL)时,器件启亮电压为8 V,最高亮度为5030 cd/m2,EL性能大大提高。
张巍于军胜李璐蒋亚东张清
关键词:激基复合物吸收光谱
(t-bt)_2Ir(acac)超薄层厚度对有机电致发光器件性能的影响被引量:6
2011年
以新型铱配合物黄光磷光染料bis[2-(4-tertbutylphenyl)benzothiazolato-N,C2′]iridium(acetylacetonate)[(t-bt)2Ir(acac)]为超薄层,制备了结构为indiumtinoxide(ITO)/N,N′-bis(naphthalen-1-yl)-N,N′-bis(phenyl)-benzi-dine(NPB)(45 nm)/(t-bt)2Ir(acac)(d)/NPB(5 nm)/2,2′,2′′(1,3,5-benzenetriyl)tris-(1-phenyl-1H-benzimid-azole)(TPBI)(30 nm)/Mg:Ag(200 nm)的有机电致发光器件(OLED)。通过改变超薄磷光发光层的厚度,研究了厚度对器件电致发光(EL)性能的影响。结果表明,当磷光染料层厚度为0.20 nm时,器件的最大发光亮度近18400 cd/m2,并在6 V电压下可实现CIE色坐标为(0.33,0.32)的白光发射;当磷光层厚度为0.10 nm时,器件的最大功率效率为5.4lm/W。分析表明,器件的高性能是由于磷光染料的直接载流子捕获可限制复合发光区域,以及NPB向磷光染料的能量传递的共同作用。
赵娟于军胜李璐蒋亚东
关键词:厚度变化
多工位磁控溅射镀膜系统膜厚均匀性的研究被引量:3
2010年
本文建立了多工位公自转磁控溅射系统镀膜过程的物理模型,通过把基片运动与镀膜过程的模拟结合在一起,运用时间步长划分的算法仿真公自转系统下矩形靶沉积的三维膜厚分布,并使用同样的方法计算纯自转磁控溅射系统沉积薄膜的厚度分布,最后将两个结果进行对比。研究表明,随着自转与公转速度比例的调节,公自转系统在最优转速比0.5时所制得的薄膜厚度均匀性较纯自转系统得到明显地改善,此结论与实验结果保持一致。
王涛于贺吴志明蒋亚东董翔
关键词:磁控溅射膜厚均匀性
导电聚合物有序超薄膜的合成及其作为有机电致发光器件空穴注入层被引量:5
2009年
采用修饰多层LB膜的方法制备了导电聚合物聚-3,4-乙烯二氧噻吩/二十烷酸(PEDOT:AA)复合层状有序膜,构筑了一种导电聚合物镶嵌的多层有序膜结构.将这种导电聚合物有序薄膜沉积于ITO电极表面,将其作为有机电致发光二极管(OLED)的空穴注入层,并研究了ITO/(PEDOT:AA)/MEH-PPV/Al器件的性能.研究结果表明,与采用聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)自组装膜和旋涂膜作为空穴注入层的ITO/(PEDOT:PSS)/MEH-PPV/Al器件相比,器件的发光效率增加,起亮电压降低.我们认为这是由于PEDOT:AA薄膜提供了一种有序层状结构后,减小了ITO与MEH-PPV间的接触势垒,改善了空穴载流子注入效率.进一步的研究表明,由于PEDOT:AA多层膜间靠较弱的亲水、疏水作用结合,这种导电多层有序膜的热稳定性与普通LB膜相似,在较高温度下发生从层状有序态到无序态的变化,这是导致OLED器件性能发生劣化的主要原因.
徐建华杨亚杰蒋亚东于军胜
关键词:导电聚合物LB膜OLED空穴注入层自组装膜
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