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国家自然科学基金(61376095)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化物
  • 1篇氮化物半导体
  • 1篇导体
  • 1篇载流子
  • 1篇输运
  • 1篇自旋
  • 1篇量子
  • 1篇量子输运
  • 1篇禁带
  • 1篇宽禁带
  • 1篇宽禁带半导体
  • 1篇半导体

机构

  • 1篇北京大学

作者

  • 1篇沈波
  • 1篇许福军
  • 1篇唐宁
  • 1篇张姗
  • 1篇段俊熙
  • 1篇王新强

传媒

  • 1篇中国科学：物...

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Ⅲ族氮化物半导体异质结构中载流子的量子输运和自旋性质
2013年
Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙,很强的极化电场,优异的物理特性,是发展高频、高温、高功率电子器件和光电子器件的优选材料.同时,Ⅲ族氮化物半导体有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度,也成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一.本文介绍了用量子输运和自旋光电流方法对GaN基异质结构中载流子的量子输运和自旋性质的研究进展.对Ⅲ族氮化物半导体中的能带结构,子带占据和散射,自旋分裂及自旋轨道耦合机制等进行了讨论.
唐宁段俊熙张姗许福军王新强沈波
关键词：宽禁带半导体输运自旋
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