国家自然科学基金(51272086)
- 作品数：2 被引量：12H指数：1
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- 相关机构：吉林大学长春理工大学更多>>
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- CdS/TiO_2纳米棒阵列复合材料的制备及其光电化学特性被引量：11
- 2013年
- 以水热法在氟掺杂的氧化锡透明导电玻璃(FTO)上制备的TiO2纳米棒阵列为衬底,通过连续化学水浴沉积(S-CBD)法将CdS量子点(QDs)沉积在TiO2纳米棒上,形成CdS/TiO2阵列复合材料。分别利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)和紫外可见光谱(UV-vis)等对样品的形貌、晶型以及光吸收性能进行了表征。结果表明,TiO2纳米棒阵列长度约为2.9μm,CdS QDs的尺寸大约在5～9nm。随着沉积层数的增加,CdS QDs的厚度增加,同时伴随着光吸收边的红移。通过电流-电压特性曲线对其光电流-电压特性进行了分析,发现光电流和光电转换效率均呈现出先增大后减小的规律。100mW/cm2的光照下,在S-CBD为7层时,光电流和开路电压最大值分别达到2.49mA.cm-2和1.10V,而电池的效率达到最大值1.91%。
- 张亚南付乌有李伊荇杨海滨
- 关键词：硫化镉纳米阵列光电特性
- CdSe纳米棒阵列的制备及其光电化学性能被引量：1
- 2016年
- 在室温条件下,用电化学沉积方法在铟锡氧化物(ITO)基底表面生长CdSe纳米棒阵列,并利用X射线衍射(XRD)、能量色散X射线(EDX)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)表征CdSe纳米棒阵列的晶体结构和表面形貌,考察其光电化学性能;在标准三电极体系下,测试CdSe纳米棒阵列电极的光电化学性能.结果表明:样品沿[001]方向择优生长,并具有明显的光响应特性;在光强为100 mW/cm^2的模拟太阳光照射下,该电极光电流密度Jsc=2.93 mA/cm^2,开路电压Voc=1.16 V,填充因子FF=0.278,该电池的光电转化效率η=0.947%.
- 田乐成杨海滨李云辉绍晶孙晶董群凌宏志王硕温祖旺张鑫丁娟
- 关键词：电化学沉积光电化学性能
