教育部科学技术研究重点项目(2010ME208)
- 作品数：1 被引量：4H指数：1
- 相关作者：潘红星张学贵鲁植全李亮杨宇更多>>
- 相关机构：云南大学昆明理工大学更多>>
- 发文基金：云南省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 离子束溅射自组装生长Ge/Si量子点浸润层的研究
- 采用离子束溅射技术,通过控制沉积量、温度等参数,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,并研究浸润层随生长参数的变化情况。结果表明,在离子束溅射...
- 张学贵王茺杨杰鲁植全潘红星李亮杨宇
- 关键词：离子束溅射GE量子点表面形貌RAMAN光谱
- 文献传递
- 磁控溅射生长Ge/Si纳米岛的AFM和Raman光谱研究
- 采用AFM和Raman光谱对磁控溅射生长的一系列Ge/Si(100)纳米岛样品进行了研究,具体分析了Ge的沉积量、Ge的生长温度及Si缓冲层的生长温度等对Ge岛的影响。结果表明,在我们研究的范围内,随着沉积量增加Ge岛的...
- 鲁植全王茺杨杰张学贵潘红星李亮杨宇
- 关键词：AFMRAMAN光谱
- 文献传递
- 温度对离子束溅射生长Ge/Si量子点的形貌影响被引量：4
- 2010年
- 采用离子束溅射技术,在不同温度的Si(100)衬底上生长了一系列Ge量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,结果表明,随着温度升高,量子点密度增大(750℃生长的量子点密度达到1.85×1010cm-2),均匀性变好及结晶性增强;但随生长温度升高,Si-Ge互混程度也同时加剧。
- 张学贵王茺杨杰潘红星鲁植全李亮杨宇
- 关键词：离子束溅射量子点表面形貌RAMAN光谱
