国家自然科学基金(21171081)
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
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- 相关机构：辽宁大学更多>>
- 发文基金：辽宁省科技厅自然科学基金辽宁省教育厅高等学校科学研究项目国家自然科学基金更多>>
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- 一种快速模乘运算器的设计被引量：1
- 2014年
- 设计了一种257 bit快速Montgomery模乘器。针对Montgomery算法中大数乘法操作存在耗时过长问题,采用二次Booth32编码与Wallace树压缩思想,将三次乘法做成三级流水结构,并将加法和可能的减法巧妙的结合在第3次乘法中,最大限度地提高计算并行性。仿真结果表明,整个模乘器可工作在140 MHz频率下,建立流水的时间是42.329 ns,其后每次模乘时间是7.022 ns,性能远远优于现有的模乘器。所设计的模乘器可用于模乘运算的高性能实现,尤其在设计多核运算模块时其性能优势比较明显。
- 曹军刘兴辉张文婧赵宏亮姜长仁
- 关键词：MONTGOMERY模乘有限状态机
- 基于异质双栅电极结构提高碳纳米管场效应晶体管电子输运效率被引量：3
- 2013年
- 为改善碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)器件性能,提高电子输运效率,提出了一种异质双金属栅(HDMG)电极结构CNTFET器件.通过对单金属栅(SMG)-CNTFET器件输运模型的适当修改,实现了对HDMG-CNTFET器件电子输运特性的研究.研究结果表明,对于所提出的HDMG结构器件,如果固定源端金属栅S-gate的功函数WGS使其等于本征CNT的功函数,而选取漏端金属栅D-gate的功函数WGd,使其在一定范围内小于WGS,可优化器件沟道中的电场分布,提高器件沟道电子平均输运速率;同时由于HDMG-CNTFET的D-gate对沟道电势具有调制作用,使该器件阈值电压降低,导致在相同的工作电压下,HDMG-CNTFET器件具有更大的通态电流;而D-gate对漏电压的屏蔽作用又使HDMG-CNTFET与SMG-CNTFET相比具有更好的栅控能力及减小漏极感应势垒降低效应、热电子效应和双极导电性等优点.本研究通过合理选取HDMG-CNTFET双栅电极的功函数,有效克服了现有研究中存在的改善CNTFET性能需要以减小通态电流为代价的不足,重要的是提高了器件的电子输运效率,进而可提高特征频率、减小延迟时间,有利于将CNTFET器件应用于高速/高频电路.
- 刘兴辉赵宏亮李天宇张仁李松杰葛春华
- 关键词：CNTFET
