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陕西省教育厅科研计划项目(08JK374)

作品数:6 被引量:10H指数:2
相关作者:安涛高勇张创李杨袁进更多>>
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相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 4篇单晶
  • 4篇单晶炉
  • 3篇磁场
  • 2篇低功耗
  • 2篇功耗
  • 2篇场强
  • 2篇磁场强度
  • 1篇电池
  • 1篇性能研究
  • 1篇有机太阳能电...
  • 1篇熔体
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇湍流模型
  • 1篇自然对流
  • 1篇微重力
  • 1篇空穴
  • 1篇空穴注入
  • 1篇空穴注入层
  • 1篇横向磁场
  • 1篇OLED

机构

  • 6篇西安理工大学

作者

  • 6篇安涛
  • 4篇高勇
  • 2篇张创
  • 1篇夏艳峰
  • 1篇李杨
  • 1篇杨梅
  • 1篇袁进

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 3篇西安理工大学...

年份

  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
微重力下坩埚内熔体的对流分析被引量:4
2012年
以18英寸坩埚(6英寸单晶炉)为研究对象,利用有限元分析法,选用RNG k-e湍流模型,对不同液面高度下坩埚内熔体的自然对流进行二维模拟分析;在熔体空间内引入横向磁场(微重力环境下)模拟分析其对熔体对流的影响,同时对引入的横向磁场强度进行优化。结果表明,随着液面高度的下降,熔体对流逐渐变弱,液面高度从230 mm下降到140 mm时,平均流速下降了近3/4;引入横向磁场后熔体对流能够得到有效地抑制,当磁感应强度在0.4 T到0.8 T之间时,磁场对熔体的对流抑制作用最为明显。
安涛高勇李杨张创
关键词:单晶炉横向磁场湍流模型自然对流
掺杂红荧烯对有机太阳能电池性能影响的研究被引量:1
2013年
对ITO/CuPc(15nm)/Rubrene(x%):CuPc:C60(1:1)/C60(30nm)/A1(100nm)结构的小分子有机太阳能中活性层I层厚度以及掺杂不同浓度红荧烯(Rubrene)材料对电池的制作工艺和性能影响进行了研究。实验结果表明:在有机太阳能电池的活性层厚度为20nm,掺入浓度为40%的红荧烯材料中电池的短路电流密度增加了42.1%,开路电压提高了13.3%,填充因子为0.31,能量转换效率增加了39.9%。表明红荧烯在460~530nm波段对光子更为有效吸收,且能增加更多有效激子的形成,从而使有机光伏器件的性能得到显著提升。
杨梅安涛
关键词:有机太阳能电池
红光OLED空穴注入层2-TNATA工艺及其性能研究被引量:1
2013年
采用真空热蒸镀的方法在高精度膜厚控制仪的监控下,对多层红光OLED空穴注入层2-TNATA有机薄膜蒸镀工艺的条件及厚度对器件的发光性能进行实验研究。实验表明制备理想的2-TNATA薄膜工艺条件为,基板与蒸发源距离为24 cm,束源炉蒸发孔径为1.5 mm,基片温度为50℃,蒸镀温度为230℃,具有空穴注入层器件较无此层器件的发光性能得到显著提高,其空穴注入层最佳厚度为20 nm。该器件在12 V电压下亮度从1800 cd/m2提高到7600 cd/m2,提高了4倍,发光效率从1.8 cd/A提高到2.6 cd/A,提高了1.4倍,光谱峰值为618 nm。
袁进安涛夏艳峰
关键词:空穴注入层
单晶炉低功耗勾形磁场设计与优化被引量:5
2012年
本文提出了一种低功耗的新勾形磁场结构,来解决现有勾形磁场功耗过大的问题。并以8英寸单晶炉勾形磁场为研究对象,利用有限元法对线圈匝数、电流大小、线圈间距等参数对磁场强度及其分布的影响进行了模拟分析和优化设计。结果表明:在坩埚壁处产生横向磁场强度均为492 GS时,线圈内径820 mm、线圈间距200 mm等结构相同,而线圈匝数分别为2400匝的新结构与96匝的现有结构磁场相比,总功率从现有结构的38.9 kW降低到9.8 kW(降低了74.7%)。该研究为勾形磁场得以广泛应用提供了一种新的设计思路及设计方法。
安涛高勇张创
关键词:单晶炉磁场强度低功耗
单晶炉低功耗勾形磁场设计与实现
2014年
以单晶炉低功耗勾形磁场为研究对象,采用有限元法对主要结构参数进行了模拟分析与优化设计。并对磁场优化设计参数进行了实验验证。结果表明:磁场分布、磁场纵、横向分量强度,以及线圈电压、线圈电流、线圈功率等关键参数的实验结果均满足设计要求;实验结果与模拟结果相吻合,其平均误差小于5%;这说明模拟方法是正确的,结果符合实际、可运用于实际设计。该研究为低功耗勾形磁场设计以及广泛应用提供了一种可靠的模拟方法和经验数据。
安涛高勇
关键词:单晶炉磁场强度低功耗
一种勾形磁场新磁屏蔽体优化设计与分析
2014年
本文在勾形磁场现有磁屏蔽体的基础上,提出一种新的磁屏蔽体结构,并以8寸单晶炉新型磁屏蔽体结构的勾形磁场为研究对象,对其进行了模拟分析及优化设计。结果表明:安匝数一定的情况下(33600),采用新型磁屏蔽体的勾形磁场较现有勾形磁场的磁场强度Br,提高了约27.03%;当坩埚侧处产生横向磁场强度均为491 Gs时,其功耗下降了约35.97%;该研究为进一步降低功耗提供了一种设计思路及设计方法。
安涛高勇
关键词:单晶炉
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