江苏省自然科学基金(BK2008019)
- 作品数：6 被引量：23H指数：2
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- 相关机构：南京大学南京大学扬州光电研究院更多>>
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- 利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究
- 2009年
- 采用金属有机物化学气相沉积技术在r面蓝宝石衬底上制备了a面GaN薄膜,用熔融的KOH在400℃对样品分别腐蚀1.0,1.5和2.0min.用扫描电镜、原子力显微镜、X射线衍射谱和阴极射线荧光对腐蚀前后的表面形貌进行分析.研究表明,400℃下腐蚀1.5min后出现了长平行四边形的条纹状,这是由于无极化的a面GaN表面极性各向异性,c向与m向上N原子悬挂键密度不同,同时稳定性不同,对OH-离子的吸附能力不同造成的,其中沿c方向易于腐蚀.同时,a面GaN腐蚀后出现了六角突起.我们认为这与穿透位错有关,而其形貌则与GaN薄膜的位错局部极性有关.
- 崔影超谢自力赵红梅琴李弋刘斌宋黎红张荣郑有炓
- 关键词：堆垛层错
- 琥珀色InGaN基多量子阱的制备及其性能表征
- 通过MOCVD系统在c面蓝宝石衬底上生长了5个周期的琥珀色InGaN/GaN多量子阱。应用高分辨x射线衍射仪、原子力显微镜、PL谱研究了InGaN/GaN多量子阱样品的结构和光学特性。(002)面高精x射线衍射ω/2θ扫...
- 李毅张荣谢自力刘斌苏辉傅德颐赵红华雪梅韩平施毅郑有炓
- 关键词：金属有机化学气相沉积INGAN/GAN多量子阱琥珀色X射线衍射
- 文献传递
- AlGaN薄膜和AlGaN/AlN超晶格结构横向/纵向生长及应变状态研究
- 我们采用金属有机物化学汽相外延技术(MOCVD)研究了在蓝宝石衬底(α-AlO)生长不同Al组分AlGaN(0002)薄膜(0≤x≤0.8)和AlGaN/AIN超晶格结构。通过缓冲层的设计对AlGaN薄膜中的张应变和压应...
- 刘斌李亮张荣谢自力赵红郑建国韩平修向前陆海陈鹏郑有炓
- 关键词：MOCVDALGAN表面能应变能
- 文献传递
- PECVD法氮化硅薄膜生长工艺的研究被引量：20
- 2010年
- 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在单晶硅衬底(100)上成功制备了不同生长工艺条件下的氮化硅薄膜。分别采用XP-2台阶仪、椭圆偏振仪等手段测试了薄膜的厚度、折射率、生长速率等参数。并采用原子力显微镜(AFM)研究了薄膜的表面形貌。结果表明,温度和射频功率是影响薄膜生长速率的主要因素,生长速率变化幅度可以达到230nm/min甚至更高。对于薄膜折射率和成分影响最大的是NH3流量,折射率变化范围可以达到2.7～1.86。分析得出受工艺参数调控的薄膜生长速率对薄膜的性质有重要影响。
- 陶涛苏辉谢自力张荣刘斌修向前李毅韩平施毅郑有炓
- 关键词：氮化硅薄膜生长速率折射率硅衬底
- GaN薄膜中的马赛克结构随厚度发生的变化被引量：1
- 2013年
- 利用高分辨率X射线衍射(HRXRD)对MOCVD系统中生长在c面Al2O3上的不同厚度的GaN薄膜内马赛克结构进行了研究.在对称面的三轴X射线衍射曲线中,用两种方法计算得到晶粒的垂直关联长度和水平关联长度,两者均随着薄膜厚度的增加而增加,并且垂直关联长度近似膜厚从倒易空间图中得出的横向关联长度也有相同的趋势,结合非对称面的衍射曲线用Williamson-Hall方法和外推法分别拟合出晶粒的面外倾斜角和面内扭转角,他们随着薄膜厚度的增加显著减少,这一切都表明厚度的增加,晶粒的单向有序排列越来越整齐,外延片的质量越来越高.
- 张韵谢自力王健陶涛张荣刘斌陈鹏韩平施毅郑有炓
- 关键词：厚度HRXRD
- 比较AAO和SiO_2薄膜对InGaN/GaN MQW出光效率的影响
- 分别在InGaN/GaN多量子阱(MQW)上生长了SiO_2薄膜和孔隙率不同的多孔氧化铝(AAO)膜,测定了这些样品的光致发光谱(PL),并计算了两种薄膜覆盖下的InGaN/GaN多量子阱相比无覆盖时的出光增强因子。实验...
- 刘荣海陈鹏于治国谢自力韩平刘斌宋雪云施毅张荣郑有
- 关键词：INGAN/GAN多量子阱多孔氧化铝膜
- 文献传递
- 生长温度对AlGaInN四元合金薄膜性质的影响
- 2009年
- 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石(α-Al2O3)衬底上外延生长了铝镓铟氮(AlGaInN)四元合金薄膜.合金薄膜的生长温度设置为800,850,900℃,对获得的样品进行对比分析发现:随着生长温度的升高,合金中的In组分单调降低,而Al组分则基本保持恒定.当合金薄膜的生长温度升高到850℃时,薄膜表面开始出现V型缺陷;生长温度进一步升高到900℃时,偏析In原子的脱吸附作用加剧,V型缺陷成核被弱化,使V型缺陷的特征尺寸和分布密度大幅降低.
- 刘启佳邵勇吴真龙徐洲徐峰刘斌谢自力陈鹏
- 关键词：金属有机物化学气相沉积生长温度
- 采用高分辨XRD确定AlxGa1-xN／GaN异质结的应变状态
- 2009年
- 利用高分辨X射线衍射方法,分析了采用金属有机物汽相沉积生长的AlxGa1-xN/GaN薄膜的晶体结构和应变状态.通过(002)和(105)面的倒易空间映射,分析获得AlxGa1-xN外延层的应变程度,并且计算了不同Al组分的AlxGa1-xN在倒易空间图上的弛豫方向;同时利用Vegard原理,推导了在双轴应变下Al组分的计算方程式,得出完全应变情况下Al组分为30%,与卢瑟福背散射实验结果比较符合.
- 谢自力张荣张彤周元俊刘斌张曾李弋宋黎红崔颖超傅德颐修向前韩平施毅郑有炓
- 关键词：高分辨X射线衍射弛豫
- AlGaN/GaN量子阱中子带的Rashba自旋劈裂和子带间自旋轨道耦合作用研究被引量：2
- 2012年
- 首先把本征值方程投影到导带的子空间中,进而得到AlGaN/GaN量子阱中第一、二子带的Rashba自旋劈裂系数(α_1,α_2)和子带自自旋-轨道耦合系数η_(12).然后自恰求解薛定谔方程和泊松方程计算了不同栅压的量子阱中的α_1,α_2和η_(12),并分别讨论了量子阱阱层、左右异质结界面和垒层对它们的贡献.结果表明可以通过栅压来调节自旋-轨道耦合系数,子带间自旋轨道耦合系数η_(12)比Rashba自旋劈裂系数α_1,α_2小,但基本在同一数量级.
- 李明张荣刘斌傅德颐赵传阵谢自力修向前郑有炓
- 关键词：二维电子气
