江苏省自然科学基金(BK2008025)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 相关作者：施毅濮林曹瑞华郑有炓陈鹏更多>>
- 相关机构：南京大学湖南大学更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- InGaN/GaN多量子阱纳米线发光二极管制备及研究被引量：1
- 2011年
- 用SiO2纳米图形层作为模板在以蓝宝石为衬底的n-GaN单晶层上制备了InGaN/GaN多量子阱纳米线,并成功实现了其发光二极管器件(LED)。场发射扫描电子显微镜(FESEM)的测量结果表明,InGaN/GaN多量子阱纳米线具有光滑的表面形貌和三角形的剖面结构。室温下阴极射线荧光谱(CL)的测试发现了位于461 nm处的强发光峰,其峰位与多量子阱薄膜相比发生了明显的蓝移。I-V测量表明,多量子阱纳米线LED具有典型的p-n结伏安特性,在20 mA注入电流下,开启电压为4.28 V,且与多量子阱LED的绿色发光相比,其电致发光偏紫色。
- 曹瑞华殷垚陈鹏万青濮林施毅郑有炓
- 关键词：发光二极管
- Ge纳米点/Si纳米线复合结构制备及微结构特征分析
- 2010年
- 结合金属纳米颗粒辅助化学刻蚀法制备Si纳米线和低压化学气相外延自组织生长Ge纳米点制备了Ge纳米点/Si纳米线复合结构,采用电子显微镜、微区原子力/拉曼联合测试系统进行了微结构表征。Ge纳米点基本均匀地分布于Si纳米线上,通过改变生长参数可有效控制Ge纳米点的尺寸和密度。在非常扁薄的无支撑的纳米点/线复合结构中,由于应力和热效应的作用使Si和Ge的拉曼散射特征峰发生了较大的红移。
- 叶敏华王丁迪徐子敬濮林施毅韩民张荣郑有蚪
- 关键词：纳米点纳米线微结构
