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中国科学院知识创新工程(KGX2-101)

作品数:2 被引量:1H指数:1
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相关机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:中国科学院知识创新工程更多>>
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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇INGAP/...
  • 1篇异质结
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  • 1篇双极型
  • 1篇双极型晶体管
  • 1篇自对准
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  • 1篇EMITTE...

机构

  • 2篇中国科学院微...

作者

  • 2篇申华军
  • 2篇王润梅
  • 2篇杨威
  • 2篇刘训春
  • 2篇朱旻

传媒

  • 2篇Journa...

年份

  • 2篇2006
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
三指发射极InGaP/GaAs HBT的研制被引量:1
2006年
异质结双极型晶体管(HBT)是MMIC领域中最具有竞争力的三端器件之一.本文提出了一种三指发射极HBT的设计.通过与同一版上两指发射极HBT比较,证实了该设计的工艺宽容度高、可靠性和一致性好、成品率高,并且仍然具有两指发射极HBT良好的击穿、直流和高频特性.
杨威刘训春朱旻王润梅申华军
关键词:异质结双极型晶体管自对准
Alloy Temperature Dependence of Offset Voltage and Ohmic Contact Resistance in Thin Base InGaP/GaAs HBTs
2006年
The alloy temperature dependence of Voffset and Rcontact is studied, and an optimal alloy temperature range for the best trade-off between Voffset and Rcontact, is given for thin base HBTs. In addition,the reason for the high Voffset at high alloy temperature is interpreted using Schottky clamped theory. The lower Voffset of our U-shaped emitter HBT than that of traditional strip emitter HBTs is explained.
杨威刘训春朱旻王润梅申华军
关键词:ALLOY
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