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中国科学院知识创新工程(KGX2-101)

作品数：2 被引量：1H指数：1
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相关机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇异质结
  • 2篇异质结双极型...
  • 2篇双极型
  • 2篇双极型晶体管
  • 2篇晶体管
  • 1篇英文
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇自对准
  • 1篇合金
  • 1篇INGAP/...
  • 1篇INGAP/...

机构

  • 2篇中国科学院微...

作者

  • 2篇申华军
  • 2篇王润梅
  • 2篇杨威
  • 2篇刘训春
  • 2篇朱旻

传媒

  • 2篇Journa...

年份

  • 2篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
三指发射极InGaP/GaAs HBT的研制被引量：1
2006年
异质结双极型晶体管(HBT)是MMIC领域中最具有竞争力的三端器件之一.本文提出了一种三指发射极HBT的设计.通过与同一版上两指发射极HBT比较,证实了该设计的工艺宽容度高、可靠性和一致性好、成品率高,并且仍然具有两指发射极HBT良好的击穿、直流和高频特性.
杨威刘训春朱旻王润梅申华军
关键词：异质结双极型晶体管自对准
合金温度对薄基区InGaP/GaAs残余电压和欧姆接触的影响(英文)
2006年
研究了薄基区HBT合金温度对残余电压Voffset和欧姆接触电阻Rcontact的影响,给出了薄基区HBT的最佳合金温度区域.用肖特基钳位理论解释了合金温度过高导致Voffset偏大的现象.从晶体管基本物理机制推导出Voffset与集电极、发射极面积比Ac/Ae的关系,并用此解释了U形发射极HBT具有较小Ac/Ae的原因,进一步证明了U型发射极结构的优越性.
杨威刘训春朱旻王润梅申华军
关键词：异质结双极型晶体管合金
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