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上海市科学技术委员会资助项目(09700713800)

作品数:3 被引量:6H指数:1
相关作者:赖宗声张伟刘盛富张书霖陈磊更多>>
相关机构:华东师范大学上海大学更多>>
发文基金:上海市科学技术委员会资助项目上海市教育委员会重点学科基金国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇电流
  • 1篇电流注入
  • 1篇噪声系数
  • 1篇增益
  • 1篇增益可控
  • 1篇上变频
  • 1篇上变频混频器
  • 1篇驱动放大器
  • 1篇混频
  • 1篇混频器
  • 1篇发射机
  • 1篇发射机系统
  • 1篇放大器
  • 1篇SIGE_B...
  • 1篇UHF_RF...
  • 1篇WCDMA
  • 1篇BICMOS
  • 1篇HBT
  • 1篇SIGE

机构

  • 3篇华东师范大学
  • 1篇上海大学

作者

  • 3篇赖宗声
  • 2篇陈磊
  • 2篇张书霖
  • 2篇刘盛富
  • 2篇张伟
  • 1篇田应洪
  • 1篇李斌
  • 1篇张勇
  • 1篇张润曦
  • 1篇冉峰

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇电子器件

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
用于WCDMA发射机系统的SiGe BiCMOS上变频混频器被引量:1
2011年
设计了一种用于WCDMA发射机系统的1.95 GHz上变频混频器。电路采用传统的双平衡吉尔伯特结构,并引入电流注入和多双曲正切技术,实现了较高的转换增益和线性度。基于宏力0.18μm SiGe BiCMOS工艺,对电路进行仿真。结果显示,该双平衡有源混频器转换增益约为6 dB,1 dB输出线性度约为4 dBm,噪声在15 dB左右,表明该电路达到基本性能要求。
张伟刘盛富张书霖陈磊赖宗声
关键词:上变频混频器电流注入BICMOSWCDMA
UHF RFID阅读器中增益可控驱动放大器的设计被引量:1
2011年
基于宏力半导体公司0.18μm SiGe HBT工艺,提出了一种应用于UHF(860~960MHz)RFID频段的增益可控驱动放大器(DA)。电路采用全差分发射极电感负反馈共射共基(Cascode)结构,其中,增益控制由三对结构相同的共射电路通过外加偏压实现,增益可控的步长为3 dB。仿真结果显示,在1.8 V电源电压下、910 MHz频段处,增益(S21)分别达到17 dB、20 dB和23 dB,噪声系数(NF)分别为3 dB、2.6 dB和2.2 dB,并且实现了良好的输入输出匹配。
刘盛富张伟张书霖陈磊冉峰赖宗声
关键词:SIGEHBT驱动放大器增益可控噪声系数
射频识别阅读器中信道选择滤波器的设计被引量:4
2010年
基于IBM0.18μm标准CMOS工艺,设计了一种适用于UHF RFID(Radio Frequency Identification)阅读器的信道选择滤波器。这种滤波器和其他结构滤波器相比,可以获得更高的线性度和更好的噪声特性。设计中,低通滤波器截止频率0.3~1.3 MHz范围内可调。当截止频率设置为900 kHz时,带内增益稳定在0 dB,在1.8 MHz频率处具有大于49 dB的幅度衰减。
李斌田应洪张勇张润曦赖宗声
共1页<1>
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