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陕西省教育厅科研计划项目(08JK487)

作品数:8 被引量:9H指数:2
相关作者:王海军曹新亮宋蓓薛娓娓邵思飞更多>>
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相关领域:电子电信文化科学更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 3篇显示器
  • 3篇场发射显示
  • 3篇场发射显示器
  • 2篇F
  • 2篇N
  • 1篇第二代电流传...
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁干扰
  • 1篇电磁兼容
  • 1篇电流传输
  • 1篇电流传输器
  • 1篇电流模
  • 1篇电路
  • 1篇电视
  • 1篇电视机
  • 1篇电源
  • 1篇调制器
  • 1篇新教
  • 1篇新教育
  • 1篇阴极

机构

  • 8篇延安大学

作者

  • 4篇王海军
  • 2篇宋蓓
  • 2篇曹新亮
  • 1篇李严
  • 1篇宋永东
  • 1篇杨延宁
  • 1篇邵思飞
  • 1篇薛娓娓
  • 1篇张威虎
  • 1篇宋家鳌

传媒

  • 3篇现代显示
  • 3篇现代电子技术
  • 1篇价值工程
  • 1篇中国有线电视

年份

  • 3篇2011
  • 5篇2010
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
场发射显示器阴极结构的发展被引量:2
2010年
场发射显示器(FED)集传统的阴极射线管显示器(CRT)与液晶显示器(LCD)的优点于一身,具有很大的发展潜力,有望成为数字电视时代显示器件的主流。文章详细论述了电子场发射的原理,从F-N公式出发探讨了FED阴极材料的选取和阴极结构设计的原则,最后论述了FED阴极结构的发展。
武怀玉艾延平赵富宝王海军
关键词:场发射显示器
彩色电视机开关电源电磁干扰与抑制研究
2010年
开关电源因体积小、效率高、功率因数大等优点,被广泛使用在各种类型的电视机中,但由于本身的工作特性使得电磁干扰问题相当突出,限制了其使用。从彩色电视机开关电源电磁干扰的模型入手分析开关电源电磁干扰的干扰源、干扰途径和敏感器件的干扰问题,提出抑制彩色电视机开关电源电磁干扰的方法。
赵富宝艾延平王海军
关键词:开关电源电磁兼容电磁干扰功率因数校正
三网融合背景下CMMB的发展研究被引量:5
2011年
为了探讨三网融合对广播电视的深入影响,从国家最新政策出发,分析了当前中国移动多媒体广播(CMMB)的发展状况,发现目前CMMB主要存在网络与终端技术、节目内容、收费以及3G的冲击等问题,给出了相应对策,为三网融合背景下CMMB的发展提供借鉴。
姚力赵富宝王海军
关键词:三网融合CMMB技术标准
一种16×16点阵纳米金刚石FED驱动电路的软件设计被引量:1
2010年
文章介绍了FED驱动系统字符点阵显示原理,针对纳米金刚石FED特点,设计了扫描显示程序,运用汇编语言编写了软件程序,在Keil μVision3环境下进行编译和调试,通过XLISP下载软件下载到驱动电路的单片机中对单片机进行控制口的控制,最后在LED屏上显示了一些汉字效果,验证了所编软件的扫描程序,进而验证了所设计的纳米金刚石FED逻辑控制电路的正确性,为金刚石FED驱动电路的商品化奠定了一定的基础。
王海军杨延宁邵思飞李严薛娓娓
关键词:场发射显示器驱动电路软件设计
计算机创新教育研究
2010年
分析了高校计算机教育的现状,提出了计算机创新教育的基本思路,观点和做法,并通过实践取得了初步的成效。
宋家鳌宋蓓
关键词:计算机教育创新知识结构
电流模集成电抗元件与频率变换电路的设计被引量:1
2011年
为了拓宽电流模单元电路结构在低压低功耗射频集成电路中的应用,研究把第二代电流传输器用作电抗器件和频率变换电路。以第二代电流传输器为核心,辅助予外围电路,构造从输入到输出端口不同性质传输阻抗的有源电容倍增器和有源电感,并且基于第二代电流传输器组合结构差异的分析,设计了集成频率变换电路。从理论上,推出有源电容倍增器和有源电感结构的合理性。仿真集成频率变换电路,结果表明对40 MHz以下正弦波倍频功能正确,且以100 kHz正弦波为调制信号和以10 MHz的正弦波为载波获得了双边带调幅信号。这为射频集成电路设计提供了新的思路。
宋永东曹新亮宋涛
关键词:第二代电流传输器有源电感振幅调制器
场发射显示器阴极材料的发展
2010年
文章介绍了显示器件的发展现状,场发射显示器(FED)是显示领域内有发展潜力的一种平板显示器,有望成为数字电视时代的主流显示器件。阴极技术是FED的关键技术,文章还分析了FED的工作原理,并详细论述了FED阴极材料的应用与发展。
姚力武怀玉艾延平宋蓓
关键词:场发射显示器阴极材料
集成PMOS管变容特性分析与仿真建模
2011年
为适应PMOS变容管在集成电路设计中的晶体管级仿真,在分析MOS变容管特性的基础上,通过确定关键点、以曲线拟合的方法建立与工艺参数相关的PMOS集成变容管高频特性模型。选用Charted 0.35μm这个特定的工艺库,并离散地改变电容连接的PMOS静态偏压、用HSpice仿真并对寄生电容提取后描绘出变容特性的准静态曲线;用Matlab对所建的简化高频变容模型进行仿真、得出高频变容曲线。仿真与理论结果相比较表明:PMOS管变容特性曲线与理论曲线的变化趋势吻合;2种仿真对变容显著区吻合较好。从而证明了PMOS集成变容管高频简化模型的正确性。
曹新亮张威虎
关键词:PMOS管
共1页<1>
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