中国博士后科学基金(200704111137)
- 作品数：2 被引量：12H指数：1
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- 湿法腐蚀工艺研究碳化硅晶体缺陷表面形貌被引量：11
- 2008年
- 采用湿法腐蚀工艺,对PVT法生长的碳化硅单晶缺陷进行了研究。利用熔融态KOH和K2CO3作为腐蚀剂,通过分别改变腐蚀剂配比、腐蚀时间、腐蚀温度的方法,获得了良好的湿法腐蚀工艺参数。用CCD光学显微镜和SEM观察腐蚀以后的晶体表面形貌。结果表明,最佳腐蚀工艺参数为K2CO3∶KOH=5g∶200g,440℃/30min。腐蚀以后(0001)Si表面可以清晰地观察到微管、基面位错、螺位错和刃位错。实验还发现晶片表面抛光质量会影响腐蚀后SiC表面的形貌。
- 杨莺陈治明
- 关键词：碳化硅
- 生长气体流量对SiC单晶缺陷的影响(英文)被引量：1
- 2008年
- 实现了熔融KOH进行SiC体单晶择优腐蚀估测缺陷密度的方法.本文报道了采用该技术对体SiC单晶缺陷密度估测的结果.腐蚀会在Si面形成六边形腐蚀坑,在C面形成圆形腐蚀坑.腐蚀速率和蚀坑形状与SiC生长工艺有关.对在高生长气流量下用PVT工艺制备的SiC样品,其刃位错、螺位错与微管密度分别为2.82×105,94和38cm-2;对在低生长气流量下用PVT工艺制备的SiC样品,其上述缺陷密度分别为9.34×105,2和29cm-2.结果表明:随着生长气体流量的增加,由于避免了N2掺杂,刃位错密度下降.
- 杨莺林涛陈治明
- 关键词：SICPVT
