国家重点基础研究发展计划(G20000366)
- 作品数:27 被引量:134H指数:6
- 相关作者:余金中陈少武樊中朝严清峰韩伟华更多>>
- 相关机构:中国科学院更多>>
- 发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域:电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- 一种新的基于最小平方逼近的广角光束传播方法被引量:5
- 2003年
- 用最小平方逼近展开传播算子 ,实现了一种新的半矢量显式高阶有限差分光束传播方法 .这种方法中不需要选择参考折射率 ,并在整个传播常数 (包括辐射模的传播常数 )分布区域进行逼近 ,解决了在泰勒展开和庞德逼近中存在的参考折射率选择和远离展开点误差增大等问题 .用这种方法对几种典型波导结构进行了数值模拟 ,模拟结果验证了算法的正确性和可靠性 .
- 夏金松余金中
- 关键词:有限差分集成光学数值模拟
- SOI基光耦合器研究进展
- 2007年
- 文章综述了国内外光耦合器的最新研究进展,着重介绍了目前耦合效率最高(55%),且与偏振无关的双光栅辅助定向耦合器的工艺流程、结构性能以及进一步提高耦合效率的可行性。
- 刘艳余金中
- 关键词:耦合器
- 紧缩型SOI多模干涉光开关的设计被引量:1
- 2003年
- 提出了一种新的紧缩型SOI多模干涉(MMI)光开关。开关由单模输入输出波导和MMI耦合器组成。通过在多模波导区域引入调制区,利用Si的等离子色散效应(PDE)改变调制区的折射率来实现开关动作。用FD BPM方法对开关的工作原理和性能进行了模拟与分析。结果表明,光开关良好的综合性能,而整个开关的长度只有7mm。
- 王章涛余金中
- 关键词:SOI多模干涉耦合器
- 光开关矩阵控制和驱动电路及集成技术的研究进展被引量:11
- 2005年
- 文章简要介绍了光开关矩阵控制和驱动电路及集成技术的研究进展,重点分析了控制和驱动电路的功能以及不同类型和材料的光开关的控制和驱动电路的实现形式。同时讨论了控制和驱动电路与光开关芯片的系统集成方法。
- 李运涛陈少武余金中
- 关键词:光开关光电集成
- SOI电光开关中热光效应分析被引量:4
- 2003年
- 分析了 SOI(silicon- on- insulator) 2× 2电光开关工作时热光效应对等离子色散效应的影响。采用二维半导体器件模拟器 PISCES- 对器件进行了模块。结果表明 ,热光效应对等离子色散效应的影响与调制区长度密切相关 ,当调制区长度较短时 ,热光效应的影响不容忽视 ;当调制区长度大于 5 0 0μm时 ,这种影响可以忽略不计。
- 严清峰余金中
- 关键词:电光开关热光效应SOI
- 一种紧缩型的SOI3- d B多模干涉耦合器(英文)被引量:1
- 2003年
- 采用线锥形结构 ,在 silicon- on- insulator(SOI)材料上设计并实现了一种新的紧缩型 3- d B多模干涉耦合器(MMI) .与普通的矩形结构 3- d B MMI耦合器相比 ,该器件长度减少了 4 0 % .耦合器输出均衡度为 1.3d B,过剩损耗为 2 .5 d B.
- 严清峰余金中刘忠立
- 关键词:多模干涉耦合器SOI
- 介电常数对比和填充率对光子晶体中光子禁带和局域态的调节(英文)被引量:2
- 2003年
- 用有限时域差分法 (FDTD)和 Padé近似分析了二维光子晶体的能带结构和缺陷引起的局域态 .针对介电常数对比和填充率对完整光子晶体中光子禁带以及缺陷态的影响作了研究 .计算了不同缺陷的光子晶体模式的振荡频率和质量因子 .数值模拟的结果表明通过改变介电参数对比和填充率可以实现对光子禁带的位置、宽度、数目以及对缺陷态的调整 .
- 陈沁黄永箴国伟华于丽娟
- 关键词:光子晶体光子禁带有限时域差分法局域态介电常数填充率
- BPM方法在SOI结构中的应用被引量:1
- 2002年
- 采用交错隐式算子分裂 (ADI)算法 ,设计、实现了一种高速、高精度的波束传播方法 (BPM)来模拟 SOI波导中不同偏振态的光传输 ,研究了 PML 边界层的选取对虚传播计算基模和基模传播常数的影响 ,给出了大光腔
- 张小峰余金中王启明魏红振
- 关键词:SOI结构波导
- 湿法腐蚀制备的SOI光波导(英文)
- 2003年
- 用化学湿法腐蚀的方法制作了SOI光波导 ,并且用三维波束传播方法分析和设计了单模波导和 1× 2 3dB多模干涉分束器 ,修正了有效折射率和导模传输方法的误差 .制作的器件具有低传输损耗 (- 1 37dB/cm)、低附加损耗 (- 2 2dB)、良好的均衡性 (0 3dB)等优良性能 .
- 王小龙严清峰刘敬伟陈少武余金中
- 关键词:SOI湿法腐蚀多模干涉单模波导
- 硅片接触表面的弹性形变范围被引量:4
- 2001年
- 提出了键合过程中硅片接触的一种弹性形变模型。接触硅片表面的周期性应力场决定着接触表面形貌的变化。Airy应力函数给出了满足键合界面应力平衡微分方程的解。根据应变场的分布 。
- 韩伟华余金中
- 关键词:应力场硅片键合