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国家科技重大专项(2011ZX02606-005)

作品数:3 被引量:3H指数:1
相关作者:秦飞王旭明安彤班兆伟刘程艳更多>>
相关机构:北京工业大学天水华天科技股份有限公司更多>>
发文基金:国家科技重大专项国家自然科学基金北京市教委科技创新平台项目更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 5篇会议论文
  • 3篇期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇封装
  • 4篇电子封装
  • 3篇有限元
  • 2篇可靠性
  • 2篇焊点
  • 2篇QFN
  • 2篇参数优化
  • 1篇有限元法
  • 1篇有限元分析
  • 1篇正交
  • 1篇正交试验
  • 1篇数值模拟
  • 1篇热成像
  • 1篇热成像技术
  • 1篇热疲劳
  • 1篇热疲劳寿命
  • 1篇热性能
  • 1篇热性能分析
  • 1篇热阻
  • 1篇无铅

机构

  • 8篇北京工业大学
  • 1篇天水华天科技...

作者

  • 4篇秦飞
  • 1篇刘程艳
  • 1篇安彤
  • 1篇夏国峰
  • 1篇高察
  • 1篇马晓波
  • 1篇班兆伟
  • 1篇王旭明
  • 1篇朱文辉

传媒

  • 4篇北京力学会第...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇实验力学
  • 1篇北京工业大学...

年份

  • 3篇2013
  • 5篇2012
3 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
QFN封装疲劳寿命优化分析
四方扁平无引脚封装(QFN),为接近晶元尺寸及封装,具有极细间距与小尺寸的特点,将QFN连接到PCB板上,可大大提高封装的电热性能。本文采用数值模拟方法考虑温度循环范围振幅、温度循环范围平均温度、芯片厚度、PCB板厚度、...
高察武伟秦飞
关键词:QFN参数优化
文献传递
基于正交试验的VQFN器件工艺参数优化
将正交试验设计方法同有限元数值模拟相结合,针对电子封装中常用的Die的厚度、Die的CTE以及EMC的CTE三种影响因素,研究了他们对回流焊过程产品性能的影响。以两圈VQFN器件为研究对象,以回流焊过程中发生的翘曲为优化...
武伟夏国锋高察秦飞
关键词:正交试验电子封装有限元
文献传递
基于红外热成像技术的电子封装缺陷无损检测方法被引量:1
2013年
在电子器件封装制造和服役过程中,工艺及温度载荷容易引起器件内部界面分层等缺陷,严重影响产品良率和可靠性,及时发现这些内部缺陷十分重要。红外热成像检测技术由于非接触、实时记录、检测速度快、定量分析等特点,已逐渐成为无损检测等领域有效的检测手段。本文采用主动双面红外测量方法对塑封料和铜界面间的缺陷进行检测,得到了试样的表面温度分布与缺陷的尺寸和深度的对应关系。通过试验数据对缺陷深度理论计算方法进行了对比研究,实现了试样内部缺陷特征的定量化识别。
秦飞刘程艳班兆伟
关键词:电子封装红外热成像无损检测
TO252-5L(B)的热性能分析
本文通过对TO252-5L(B)封装进行有限元分析,得出粘片胶热导率、粘片胶厚度、EMC热导率、框架热导率及PCB板热导率的变化与封装热阻之间的影响关系。为封装热阻的仿真分析及电子元器件散热优化提供参考思路。
高察夏国峰秦飞
关键词:电子封装热阻数值模拟
文献传递
基于有限元的多圈QFN器件焊点可靠性分析
针对电子产品的不断小型化、高密度发展趋势,本文建立了新型VQFN(两圈排列)封装结构的1/4几何模型。利用Anand模型描述了Sn3.0Ag0.5Cu焊料的本构模型,在施加温度循环载荷的情况下,并比较了不同结构参数的VQ...
武伟高察秦飞
关键词:有限元可靠性
文献传递
电子封装焊点的可靠性及其热疲劳寿命预测模型
现代电子产品正向着高功率、高密度、小型化的方向发展,这也促使了微电子封装从外引线封装向平面阵列封装的趋势转变。随着表面贴装(SMT)、高密度的球栅阵列(BGA)、倒装焊等封装形式的广泛应用,焊点通常为封装结构可靠性最薄弱...
别晓锐秦飞
关键词:电子封装焊点可靠性热疲劳
文献传递
考虑损伤效应的无铅焊锡材料的率相关本构模型被引量:2
2013年
考虑冲击过程中无铅焊锡材料试件中的损伤影响,根据实验数据确定了损伤演化参数,对原模型进行了修正,给出了Sn3.0Ag0.5Cu和Sn3.5Ag两种无铅焊锡材料考虑损伤效应的率相关本构模型.结果表明,修正后的模型与实验结果吻合较好.
秦飞安彤王旭明
关键词:无铅焊料本构关系
LQFP和eLQFP热机械可靠性的有限元分析
2012年
封装形式的差异性对产品可靠性具有重要影响。基于有限元法,对比分析了薄型四方扁平封装(LQFP)和载体外露薄型四方扁平封装(eLQFP)在室温和回流焊温度下的翘曲、芯片和粘片胶的应力水平以及各材料界面应力分布。研究表明,LQFP的翘曲比eLQFP的大,但芯片和粘片胶上的最大应力无明显差别;eLQFP在塑封材料与芯片有源面界面的应力水平比LQFP的大;eLQFP在芯片与粘片胶界面、粘片胶与芯片载体界面的剪切应力比LQFP的大,但eLQFP在芯片与粘片胶界面、粘片胶与芯片载体界面的剥离应力比LQFP的小;eLQFP在塑封材料与芯片载体镀银区界面的应力水平高于LQFP的应力水平,由于塑封材料与镀银芯片载体的结合强度弱,eLQFP更易发生界面分层。
夏国峰秦飞朱文辉马晓波高察
关键词:有限元法封装可靠性
共1页<1>
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