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上海市科学技术发展基金(0359nm004)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：张苗王石冶刘卫丽宋志棠林成鲁更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
发文基金：上海市科学技术发展基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇击穿电压
  • 2篇高压器
  • 2篇高压器件
  • 2篇SOI

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇林成鲁
  • 2篇宋志棠
  • 2篇刘卫丽
  • 2篇王石冶
  • 2篇张苗

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 2篇2004
共 1 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
SOI在高压器件中的应用
综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论。
王石冶刘卫丽张苗林成鲁宋志棠
关键词：SOI高压器击穿电压
文献传递
SOI在高压器件中的应用被引量：1
2004年
综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论.
王石冶刘卫丽张苗林成鲁宋志棠
关键词：SOI高压器击穿电压
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