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退火及掺杂对空穴传输层PEDOT:PSS电学特性的影响被引量：4: 2009年; 采用匀胶机旋转涂成膜的方法,在手套箱中制备PEDOT聚对苯乙烯磺酸(PSS)薄膜。详细研究了退火和掺杂对薄膜电学特性的影响,结果发现,在本实验范围内,薄膜的电导率随退火的温度和时间增加均呈现出最大值,这与薄膜的表面形貌是密切相关的;并且,由于材料的亲水性,导致真空下比N2和空气条件下退火薄膜的电导率要高;通过掺杂N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和乙二醇,使薄膜的电导率提高了近3个量级。; 张亚萍张建军耿新华赵颖; 关键词：退火掺杂电导率

衬底温度对氢化微晶硅锗薄膜生长的影响被引量：3: 2009年; 采用VHF-PECVD技术在玻璃衬底上沉积微晶硅锗薄膜。研究了衬底温度对微晶硅锗薄膜的微结构和光电特性的影响。结果表明:随着衬底温度的升高,微晶硅锗薄膜的生长速率减小,(220)晶向强度增强;而同一衬底温度下,锗浓度的增加将抑制薄膜(220)晶向的生长,通过相应地提高衬底温度可以解决这一问题。利用生长基团在薄膜生长表面的扩散理论对实验结果进行了解释。; 张丽平张建军张鑫孙建赵颖; 关键词：衬底温度

退火方式及PCBM阴极修饰层对聚合物太阳电池的影响被引量：1: 2010年; 研究了不同退火方式及PCBM阴极修饰层对聚合物太阳电池性能的影响。与前退火相比,后退火的器件性能显著提高,电池的开路电压Voc由0.36V增加到0.60V,能量转换效率η从0.85%提高到1.93%,短路电流密度Jsc和填充因子FF也有不同程度的改善;在电池的活性层与Al电极间沉积一定厚度的PCBM阴极修饰层也能改善电池的性能,当PCBM厚度为3nm时,聚合物太阳电池在100mW.cm-2强度光照下,Voc为0.59V,Jsc为6.43mA.cm-2,FF为55.1%,η为2.09%。; 李文杰张建军张亚萍胡子阳郝秋艳赵颖耿新华; 关键词：退火

VHF-PECVD法制备μc-SiGe薄膜的研究被引量：2: 2011年; 分别以Si2H6和GeH4及SiH4和GeH4两种组合气体为源气体,用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备μc-SiGe薄膜,用Raman散射光谱和原子力显微镜(AFM)对薄膜的结构进行研究。结果表明:与SiH4和GeH4制备的薄膜系列相比,Si2H6和GeH4制备的薄膜中Ge的融入速率相对较慢;用Si2H6和GeH4制备的μc-SiGe薄膜,随着GeH4浓度的增加,薄膜结构始终保持一定的有序度;随着H2稀释率、辉光功率的增大,薄膜结构趋于有序。; 敦亚琳张建军张丽平张鑫曹宇郝秋艳耿新华赵颖; 关键词：RAMAN光谱

掺杂PEDOT∶PSS对聚合物太阳能电池性能影响的研究被引量：6: 2011年; 研究了掺杂后poly(3,4-ethylene dioxythiophene):poly(styrenesulphonic acid)(PEDOT∶PSS)电导率的变化以及掺杂PEDOT∶PSS薄膜对聚合物太阳能电池器件性能的影响.实验发现,向PEDOT∶PSS中掺入极性溶剂二甲基亚砜(DMSO)明显提高了薄膜的电导率,掺杂后的电导率最大值达到1.25S/cm,比未掺杂时提高了3个数量级.将掺杂的PEDOT∶PSS薄膜作为缓冲层应用于聚合物电池(ITO/PEDOT∶PSS/P3HT∶PCBM/LiF/Al)中,发现高电导率的PEDOT∶PSS降低了器件的串联电阻,增加了器件的短路电流,从而提高了器件的性能.最好的聚合物太阳能电池在100mW/cm2的光照下,开路电压(Voc)为0.63V,短路电流密度(Jsc)为11.09mA·cm-2,填充因子(FF)为63.7%,能量转换效率(η)达到4.45%.; 郝志红胡子阳张建军郝秋艳赵颖; 关键词：电导率聚合物太阳能电池能量转换效率

低温高速率沉积非晶硅薄膜及太阳电池被引量：2: 2010年; 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,保持沉积温度在125℃制备非晶硅薄膜材料及太阳电池。在85 Pa的低压下以及400～667 Pa的高压下,改变Si H4浓度和辉光功率等沉积参数,对本征a-Si材料的性能进行优化。结果表明,在高压下,合适的Si H4浓度和压力功率比可以使a-Si材料的光电特性得到优化,并且薄膜的沉积速率得到一定程度的提高。采用低压低速和高压高速的沉积条件,在125℃的低温条件下制备出效率为6.7%的单结a-Si电池,高压下本征层a-Si材料的沉积速率由0.06～0.08 nm/s提高到0.17～0.19 nm/s。; 倪牮张建军王先宝李林娜侯国付孙建耿新华赵颖

Open-circuit voltage analysis of p-i-n type amorphous silicon solar cells deposited at low temperature被引量：1: 2011年; This paper identifies the contributions of p-a-SiC：H layers and i-a-Si：H layers to the open circuit voltage of p-i-n type a-Si：H solar cells deposited at a low temperature of 125℃. We find that poor quality p-a-SiC：H films under regular conditions lead to a restriction of open circuit voltage although the band gap of the i-layer varies widely. A significant improvement in open circuit voltage has been obtained by using high quality p-~SiC：H films optimized at the ＂low-power regime＂ under low silane flow rates and high hydrogen dilution conditions.; Ni Jian Zhang Jian-Jun Cao Yu Wang Xian-Bao Li Chao Chen Xin-Liang Geng Xin-Hua Zhao Ying

n-i-p型非晶硅太阳电池中p/ITO界面特性研究被引量：4: 2010年; 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备n-i-p型非晶硅(a-Si)太阳电池,采用反应热蒸发法制备ITO薄膜作为太阳电池的前电极。通过改变B2H6的掺杂浓度获得了不同晶化率的p层,详细研究了p层性能对p/ITO界面特性以及电池性能的影响。结果表明,在合适晶化率的p层上沉积ITO薄膜有利于优化p/ITO界面的接触特性,将其应用于n-i-p型a-Si太阳电池,能够显著改善电池的开路电压(Voc)和填充因子(FF),最终,在不锈钢(SS)衬底上获得了转换效率为6.57%的单结a-Si太阳电池。; 倪牮陈新亮曹丽冉张建军薛俊明孙建王先宝韩东港张德坤赵颖耿新华

Ar等离子体处理PET在非晶硅太阳电池中的应用被引量：1: 2009年; 在射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)系统的腔室内,对聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)塑料薄膜进行Ar等离子体预处理,并采用光发射谱(OES)对不同处理参数下的氩气辉光状态进行在线监测。对处理前后PET及PET/ITO进行透过谱、原子力显微镜(AFM)以及扫描电镜(SEM)的测试结果表明,Ar等离子体处理改善了PET塑料薄膜的表面形貌,使之更适合ITO薄膜的生长。以Ar等离子体处理的PET/ITO为衬底,在沉积温度为125℃条件下,制备出效率为5.4%的p-i-n型非晶硅(a-Si)柔性太阳电池。; 倪牮张建军曹丽冉李林娜孙建耿新华赵颖

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国家高技术研究发展计划(2009AA05Z422)