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广州市科技攻关项目(2005Z1-D0071)

作品数:11 被引量:171H指数:7
相关作者:范广涵陈琨丁少锋郭志友毕艳军更多>>
相关机构:华南师范大学西安交通大学邢台职业技术学院更多>>
发文基金:广州市科技攻关项目国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信文化科学更多>>

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 7篇理学
  • 3篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 7篇第一性原理
  • 6篇掺杂
  • 3篇第一性原理计...
  • 3篇第一性原理研...
  • 3篇密度泛函
  • 3篇密度泛函理论
  • 3篇泛函
  • 3篇泛函理论
  • 3篇ZNO
  • 2篇电子结构
  • 2篇铁磁
  • 2篇铁磁性
  • 2篇子结构
  • 2篇赝势
  • 2篇共掺
  • 2篇共掺杂
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性质
  • 2篇P型

机构

  • 11篇华南师范大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇邢台职业技术...

作者

  • 7篇范广涵
  • 4篇毕艳军
  • 4篇郭志友
  • 4篇丁少锋
  • 4篇陈琨
  • 3篇董玉成
  • 3篇林竹
  • 3篇章勇
  • 2篇李述体
  • 1篇张涛
  • 1篇郑树文
  • 1篇姚光锐
  • 1篇肖冰
  • 1篇于敏丽
  • 1篇孙慧卿
  • 1篇李军
  • 1篇杨昊

传媒

  • 5篇物理学报
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇发光学报
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇激光与红外
  • 1篇实验技术与管...

年份

  • 2篇2009
  • 7篇2008
  • 2篇2007
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
P型GaMnAs/AlGaAs量子阱红外探测器研究被引量:1
2008年
介绍了P型量子阱中空穴子带间跃迁原理,提出了一种基于铁磁性半导体的P型GaMnAs/AlGaAs量子阱红外探测器的设计方案,分析了器件的性能,对于新型量子阱红外探测器的研制提供一种可能的参考。
毕艳军郭志友于敏丽
关键词:红外探测器
界面介质层对GaN基LED漏电流的影响被引量:1
2008年
在LED电极欧姆接触中,载流子在金属电极和半导体间有不同的传输机制。通过载流子在金属半导体界面传输机制的模拟,讨论了界面介质层及其势垒对器件串联电阻和漏电流的影响,发现介质层电阻比LED的串联电阻小得多,可以忽略不计;但是随着器件的老化,介质层及其所含的缺陷会产生相当大的漏电流,使器件的可靠性和稳定性下降,也为LED的失效机理提供了理论依据。
李军范广涵杨昊姚光锐
关键词:光电子学发光二极管介质层欧姆接触漏电流
InN材料及器件的最新研究进展被引量:2
2007年
InN材料是性能优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在光电子领域有着非常重要的应用价值,由此成为最近国际国内研究的热点。就InN材料的制备方法、p型掺杂、电学特性、光学特性、器件的研究应用以及国内研究的最新进展进行了综述。
丁少锋范广涵李述体郑树文陈琨
关键词:INN
氮化铟p型掺杂的第一性原理研究被引量:22
2007年
采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,对Mg,Zn,Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,其中非掺杂体系的理论值与实验值符合很好.计算了掺杂InN晶体的结合能,总体态密度、集居数,差分电荷密度,并对此做了细致的分析.计算结果表明,相对于Zn和Cd,MgIn在InN中的溶解度会更大,并能提供更多的空穴态,非常有利于InN的p型掺杂.
丁少锋范广涵李述体肖冰
关键词:氮化铟P型掺杂电子结构第一性原理
产学研相结合建设LED研发实验室被引量:1
2009年
从建设LED(light emitting diode,发光二级管)研发实验室的实践出发,总结了华南师范大学以产学研相结合建设LED研发实验室的思路、目标、管理体制、运行机制与取得的成效。
张涛范广涵
N掺杂p-型ZnO的第一性原理计算被引量:40
2008年
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了纤锌矿ZnO和N掺杂p-型ZnO晶体的电子结构,分析了N掺杂p-型ZnO晶体的能带结构、电子态密度、差分电荷分布以及H原子和N2分子对p-型掺杂ZnO的影响.
陈琨范广涵章勇丁少锋
关键词:密度泛函理论第一性原理
Co和Mn共掺杂ZnO电子结构和光学性质的第一性原理研究被引量:17
2008年
采用基于密度泛函理论的总体能量平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似,对未掺杂ZnO与Co和Mn共掺杂ZnO的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,计算了纤锌矿结构ZnO与Co和Mn共掺杂ZnO的能带结构、电子态密度和光学性质,并进行了详细的分析.计算结果表明,相对于未掺杂ZnO,Co和Mn共掺杂ZnO的禁带宽度有所减小,对紫外-可见光的吸收能力明显增强.
毕艳军郭志友孙慧卿林竹董玉成
关键词:ZNO第一性原理电子结构光学性质
Mn掺杂ZnO光学特性的第一性原理计算被引量:34
2008年
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了纤锌矿ZnO及不同量Mn掺杂ZnO晶体的电子结构,分析了掺杂对ZnO晶体的能带结构、电子态密度、差分电荷分布的影响.计算结果表明,随着Mn掺杂含量的增加,ZnO禁带宽度相应增加并且对紫外吸收区的光吸收能力也随之增强.
陈琨范广涵章勇
关键词:第一性原理
Cu掺杂的AlN铁磁性和光学性质的第一性原理研究被引量:24
2009年
采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA),对Cu掺杂AlN32原子超原胞体系进行了几何结构优化,计算了Cu掺杂AlN的晶格常数,能带结构,电子态密度和光学性质.结果表明,Cu掺杂AlN会产生自旋极化状态,能带结构显示半金属性质,掺杂后带隙变窄,长波吸收加强,能量损失明显减小.同传统的稀磁半导体(DMS)相比,Cu掺杂AlN不会有铁磁性沉淀物的问题,因为Cu本身不具有磁性.因而,Cu掺杂的AlN也许是一种非常有前途的稀磁半导体.
林竹郭志友毕艳军董玉成
关键词:ALN第一性原理铁磁性光学性质
Co和Mn共掺杂ZnO铁磁性的第一性原理被引量:10
2008年
基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA),对Co单独掺杂ZnO和(Co,Mn)共掺杂ZnO的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,计算了纤锌矿结构ZnO、Co-ZnO及(Co,Mn)共掺杂ZnO的能带结构、电子态密度,并对此进行了详细的分析。计算结果表明,ZnO中单独掺杂Co元素显示出铁磁性行为,Mn的引入减弱了Co-ZnO的铁磁性。
毕艳军郭志友林竹董玉成
关键词:氧化锌第一性原理铁磁性
共2页<12>
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