贵州省优秀青年科技人才计划(20050528)
- 作品数：6 被引量：13H指数：2
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- 低能入射Si与Si(001)2×1重构表面相互作用过程的分子动力学模拟被引量：2
- 2007年
- 利用Tersoff势函数,对300K时初始入射动能为0.03eV的单个Si原子从6个不同位置轰击Si(001)2×1重构表面的动力学过程进行了模拟.分析了入射Si原子的动能变化、势能变化以及其运动轨迹.结果表明:入射原子与表面原子相互作用几个皮秒后即可进入稳定位置,其与基底原子的结合能最大可以达到2.99eV;从位置1,2,3,4入射的原子不能使基底表面的二聚体键断开,而从位置5和位置6入射时,表面二聚体键的断开在入射原子与基底表面原子发生相互作用几十飞秒后即可完成.
- 朱林山金石声苟富均谢泉
- 关键词：分子动力学二聚体
- Fe0．875Mn0．125Si2的几何结构与电子结构的第一性原理研究
- 采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法, 对掺 Mn 的β-FcSi的几何结构和电子结构进行了计算。计算表明：(1)杂质的掺入改变了晶胞体积及原子位置, 掺杂是调制材料电子结构的有效方式;(2)在β-FeSi中掺入杂质时掺...
- 闫万珺谢泉杨创华赵凤娟
- 关键词：第一性原理电子结构
- 文献传递
- 不同溅射气压对β-FeSi2形成的影响
- 采用磁控溅射方法,在不同的溅射气压(Ar 气0．5～3．0Pa)条件下沉积纯金属 Fe 到 Si(100)衬底上, 通过真空退火炉在800℃对样品进行保温2h,直接形成了正交的β-FeSi薄膜,利用 X 射线衍射(XRD...
- 曾武贤谢泉梁艳张晋敏肖清泉杨吟野任学勇
- 关键词：Β-FESI2溅射气压XRDSEM椭偏光谱
- 文献传递
- 应力作用下CrSi2电子结构的第一性原理计算
- 2009年
- 应用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法计算了CrSi2在应力作用下的电子结构,分析和比较了体系的能带结构、态密度及应力对CrSi2体系电子结构的影响.计算结果表明CrSi2在单轴向应力的作用下,随着压力的逐渐增大,导带向高能方向移动,带隙Eg明显展宽;随着负压力的逐渐增大,带隙缓慢减小,当沿a轴的负压力达到约-18.5GPa时,CrSi2将会由间接跃迁型半导体转变为直接跃迁型半导体,直接带隙宽度Eg=0.32eV.
- 周士芸谢泉闫万珺陈茜
- 关键词：第一性原理应力电子结构
- 退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响
- 采用磁控溅射的方法,在高真空条件下,沉积金属 Fe 到 Si(100)衬底上,然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理,直接形成了β-FeSi 薄膜．采用 X 射线衍射仪(XRD)对样品进行了晶体结构分析,利用...
- 梁艳谢泉曾武贤张晋敏杨吟野肖清泉任雪勇
- 关键词：退火温度XRDSEM
- 文献传递
- 掺杂β-FeSi_2的电子结构及光学性质的第一性原理研究被引量：9
- 2008年
- 采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法,对掺入Mn,Cr,Co,Ni的β-FeSi2的几何结构、能带结构和光学性质进行了研究.计算结果表明:(1)杂质的掺入改变了晶胞体积及原子位置,掺杂是调制材料电子结构的有效方式;(2)系统总能量的计算表明Mn掺杂时倾向于置换FeI位的Fe原子,而Cr,Co,Ni倾向于取代FeII位的Fe原子;能带结构的计算表明掺Mn,Cr使得β-FeSi2的费米面向价带移动,形成了p型半导体;而掺Co,Ni则使得β-FeSi2的费米面向导带移动,形成了n型半导体;(3)杂质原子的掺入在费米面附近提供了大量的载流子,改变了电子在带间的跃迁,对β-FeSi2的光学性质造成影响.
- 闫万珺谢泉
- 关键词：光学性质第一性原理
- 不同溅射气压对β-FeSi2形成的影响木被引量：2
- 2007年
- 采用磁控溅射方法，在不同的溅射气压（Ar气0．5-3．0Pa）条件下沉积纯金属Fe到Si（100）衬底上，通过真空退火炉在800℃对样品进行保温2h，直接形成了正交的β-FeSi2薄膜，利用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、椭偏光谱仪，对不同溅射气压下合成的β-FeSi2薄膜的结晶特性、表面形貌及光学性能进行表征，研究了不同溅射气压对制备β-FeSi2薄膜的影响。结果表明：在1．5Pa时能形成较好的β-FeSi2薄膜，临界溅射气压在2．0Pa附近，当溅射气压低与临界值时，β-FeSi2薄膜的成核密度较高，且成核密度随溅射气压的增大而降低；当溅射气压超过临界值以后，β-FeSi2薄膜的成核密度基本不变；薄膜的折射率n随压强的增大而增大，消光系数k随压强的增大而减小。
- 曾武贤谢泉梁艳张晋敏肖清泉杨吟野任学勇
- 关键词：Β-FESI2溅射气压XRDSEM椭偏光谱
- 退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响被引量：2
- 2007年
- 采用磁控溅射的方法，在高真空条件下，沉积金属Fe到Si（100）衬底上，然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理，直接形成了β-FeSi2薄膜．采用X射线衍射仪（XRD）对样品进行了晶体结构分析，利用卢瑟福背散射（RBS）对Fe-Si化合物的形成过程中的Fe原子和Si原子的互扩散机理进行了研究，利用扫描电镜（SEM）对样品表面的显微结构进行表征，结果表明，在900℃条件下退火能够得到质量很好的β-FeSi2薄膜，超过这一温度β相将开始向α相转化，到1000℃，β-FeSi2全部转化为α-FeSi2。
- 梁艳谢泉曾武贤张晋敏杨吟野肖清泉任雪勇
- 关键词：退火温度XRDSEM
- Fe0．875Mn0．125Si2的几何结构与电子结构的第一性原理研究
- 2007年
- 采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法，对掺Mn的β-Fesi2的几何结构和电子结构进行了计算。计算表明：（1）杂质的掺入改变了晶胞体积及原子位置，掺杂是调制材料电子结构的有效方式；（2）在β-FeSi2中掺入杂质时掺杂原子的置换位置具有择位性，Mn掺杂时倾向于置换FeI位的Fe原子；（3）能带结构计算表明：掺Mn使得β-FeSi2的费米面向价带移动，形成了P型半导体。
- 闫万珺谢泉杨创华赵凤娟
- 关键词：第一性原理电子结构
