深圳市科技计划项目(JC200903130326A)
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 相关作者：郭金川牛憨笨赵志刚雷耀虎周彬更多>>
- 相关机构：深圳大学华中科技大学中国人民解放军76127部队更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金深圳市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺自动化与计算机技术更多>>
- 大面积高深宽比硅微通道板阵列制作被引量：6
- 2012年
- 利用光辅助电化学刻蚀方法,在厚度为425μm的5英寸硅片上,制作成深宽比达50以上的微通道板阵列结构.理论分析了影响微孔阵列形貌形成的关键因素,并结合实验条件,通过调整刻蚀电压值和根据莱曼模型修正实验电流值得到理想的孔壁形貌.结果表明,相比于目前在硅基上制作高深宽微结构的几种技术,光辅助电化学刻蚀方法能够实现孔壁光滑、面积大和深宽比高的微通道板阵列结构的低成本制作.
- 吕文峰周彬罗建东郭金川
- 关键词：微通道板
- X射线相衬成像图像采集系统的远程控制传输设计被引量：1
- 2010年
- 为了满足X射线相衬成像技术对图像采集装置的大面积和高分辨率的特殊要求,提出了一种基于ARM9和FPGA的远程图像采集控制传输系统的设计方法。系统由LUPA4000CMOS图像传感器、ARM9、DM9000A、FPGA、DDR2 SDRAM等器件组成。采用FPGA和DDR2技术,可以对大数据量的图像数据进行实时缓存,解决了高分辨率、大数据量图像数据实时存储和获取的关键问题。采用以太网远程控制传输的方法,能有效避免X射线辐射。实验结果表明,该系统可以实时准确地获取大面积、高精度图像数据。
- 杜杨郭金川赵志刚黄建衡王健牛憨笨
- 关键词：ARM9FPGADDR2图像采集
- 硅基微通道板微孔结构形貌的实验研究
- 2012年
- 硅基微通道板(MCP)的重要技术挑战之一就是如何在硅基上制作高深宽比的微孔阵列结构。采用光助电化学刻蚀方法研究硅基高深宽比微孔阵列制作技术。考虑到实际反应条件下的物质输送、刻蚀液浓度、光照条件、温度等因素的影响都体现在刻蚀电流与电压上,重点研究了电流、电压与微结构形貌之间的关系。通过空间电荷区的大小以及刻蚀电流与溶液浓度之间的关系,得到合理的刻蚀参数。在5inch(1inch=2.54cm)硅基上制作出深度达200μm以上的均匀深孔,得到大面积、高深宽比的均匀微孔阵列,满足微通道板对结构形貌的要求。
- 吕文峰周彬罗建东雷耀虎郭金川牛憨笨
- 关键词：光学器件空间电荷区
- Si深刻蚀光助电化学方法的研究被引量：1
- 2010年
- 光助电化学刻蚀技术是目前获取高深宽比微纳结构的重要方法之一。由于其制作成本低、三维结构形貌可光控实现而受到重视。从实际应用出发,对Lehmann光照模型和电流密度经验公式进行了修正,并从理论和实验上研究了光照对电化学刻蚀过程和结构形貌的影响。着重分析了光照红移带来的正面效果和负面影响。理论分析和实验均证明,采用提出的修正模型,可以方便地实现对厚度为400～500μm的Si片深刻蚀,并可在刻蚀深度为150μm的情况下,实现壁厚在0.2μm到数微米的控制,Si片刻蚀面的直径可达5英寸(125 mm)或更大。为该技术的实现提供了修正的理论模型和实用化的工艺技术。
- 雷耀虎郭金川赵志刚牛憨笨
- 关键词：光照电化学刻蚀N型硅
- 光助电化学刻蚀法制作大面积高深宽比硅深槽被引量：2
- 2010年
- 为解决用光助电化学刻蚀法制作大面积高深宽比硅深槽过程中出现均匀性差的问题,在分析了传统光助电化学刻蚀装置中存在的不足的基础上,设计并制作了一套新型大面积光助电化学刻蚀装置.该装置通过特殊设计的花洒式溶液循环机构和水冷隔热系统,解决了大面积硅片在长时间深刻蚀过程中出现的溶液升温和气泡堆积的问题.借助这套装置能够实现127 mm(5 inch)及以上大面积硅片的均匀深刻蚀.同时,通过采用以0.01 A/min的速率逐步增加刻蚀电流的方法,来补偿侧向腐蚀对槽底电流密度的影响,保证了整个刻蚀过程中硅深槽形貌的一致性.最终在整个127 mm硅片上制作出了各处均匀一致的硅深槽,深度达60μm、深宽比在20以上.
- 赵志刚牛憨笨雷耀虎郭金川
- 关键词：高深宽比均匀性
