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上海市引进技术的吸收与创新计划项目(05ZBXX1-24)

作品数：2 被引量：1H指数：1
相关作者：吕洪涛张铮栋程东方更多>>
相关机构：上海大学更多>>
发文基金：上海市引进技术的吸收与创新计划项目上海市科委国际合作基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇神经网
  • 1篇神经网络
  • 1篇闩锁
  • 1篇闩锁效应
  • 1篇网络
  • 1篇集成电路
  • 1篇高压LDMO...
  • 1篇反向传播神经...

机构

  • 2篇上海大学

作者

  • 2篇程东方
  • 2篇张铮栋
  • 2篇吕洪涛

传媒

  • 2篇半导体技术

年份

  • 2篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
BP神经网络法在高压LDMOS器件设计中的应用
2008年
利用一个3×5×1的3层BP神经网络结构对高压LDMOS的器件性能进行优化设计。将3个重要的工艺参数n-drift层注入剂量、p-top层注入剂量和p-top层长度作为网络的输入,LDMOS击穿电压作为网络的输出,利用训练得到的网络对工艺参数进行优化。结果表明,训练样本和测试样本的网络输出值和通过TCAD工具得到的测量值均非常接近,得到的最优工艺参数非常理想。
程东方吕洪涛张铮栋
关键词：反向传播神经网络
高阻衬底集成电路抗闩锁效应研究被引量：1
2008年
研究用增加多子保护环的方法抑制功率集成电路的闩锁效应,首次给出环距、环宽设计与寄生闩锁触发阈值的数量关系,并比较了不同结深的工序作为多子环的效果。对于确定的设计规则,还比较了不同电阻率衬底材料的CMOS单元中的闩锁效应,结果表明合理设计可以有效地改善高阻衬底的寄生闩锁效应,仿真结果验证了正确性。
程东方张铮栋吕洪涛
关键词：闩锁效应
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