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上海市引进技术的吸收与创新计划项目(05ZBXX1-24)
作品数:
2
被引量:1
H指数:1
相关作者:
吕洪涛
张铮栋
程东方
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相关机构:
上海大学
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发文基金:
上海市引进技术的吸收与创新计划项目
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相关领域:
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上海大学
作者
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程东方
2篇
张铮栋
2篇
吕洪涛
传媒
2篇
半导体技术
年份
2篇
2008
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BP神经网络法在高压LDMOS器件设计中的应用
2008年
利用一个3×5×1的3层BP神经网络结构对高压LDMOS的器件性能进行优化设计。将3个重要的工艺参数n-drift层注入剂量、p-top层注入剂量和p-top层长度作为网络的输入,LDMOS击穿电压作为网络的输出,利用训练得到的网络对工艺参数进行优化。结果表明,训练样本和测试样本的网络输出值和通过TCAD工具得到的测量值均非常接近,得到的最优工艺参数非常理想。
程东方
吕洪涛
张铮栋
关键词:
反向传播神经网络
高阻衬底集成电路抗闩锁效应研究
被引量:1
2008年
研究用增加多子保护环的方法抑制功率集成电路的闩锁效应,首次给出环距、环宽设计与寄生闩锁触发阈值的数量关系,并比较了不同结深的工序作为多子环的效果。对于确定的设计规则,还比较了不同电阻率衬底材料的CMOS单元中的闩锁效应,结果表明合理设计可以有效地改善高阻衬底的寄生闩锁效应,仿真结果验证了正确性。
程东方
张铮栋
吕洪涛
关键词:
闩锁效应
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