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国家重点基础研究发展计划(51318010101)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：成永红陈小林吴锴更多>>
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相关领域：一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇原子
  • 1篇原子分子
  • 1篇双原子
  • 1篇双原子分子
  • 1篇偶极矩
  • 1篇分子

机构

  • 1篇西安交通大学

作者

  • 1篇吴锴
  • 1篇陈小林
  • 1篇成永红

传媒

  • 1篇西安交通大学...

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
一种非对称双原子分子的电子位移极化率计算模型
2009年
分析了经典的电子位移极化率的计算模型,指出了这些经典模型在计算非对称双原子分子模型时存在局限性,提出了一种针对非对称双原子分子的电子位移极化率的计算模型.该模型考虑了分子内原子偶极矩对电子位移极化的影响,推导了宏观电场与分子轴平行、垂直、呈任意夹角等典型情况下的非对称双原子分子的电子位移极化率的数学模型.根据该模型计算了六方氮化硼(h-BN)晶体的电子位移极化率,并与经典模型的计算结果进行了比较,进一步分析了所提出模型的适用范围.
陈小林成永红吴锴
关键词：偶极矩
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