国家自然科学基金(11005021)
- 作品数：1 被引量：1H指数：1
- 相关作者：梁荣庆成卫海范晓轩区琼荣何龙更多>>
- 相关机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 等离子体浸没式氧离子注入技术修饰ITO表面的研究被引量：1
- 2013年
- 有机电致发光器件(OLED)具有自发光、低功耗、响应快、亮度高、可视角度大等特点,是下一代理想的显示技术及面光源.当前OLED广泛采用氧化铟锡(ITO)透明阳极兼出光窗口,然而,ITO表面功函数与器件内层有机材料最高电子占有轨道(HOMO)之间的势垒较高,器件工作电压高,导致能效偏低以及稳定性差等问题.射频等离子体处理ITO可获得一定幅度功函数提高(约0.4eV),但仍未达到与有机材料最高电子占有轨道匹配程度,而且,处理效果时效性很短,只有数小时.而采用等离子体浸没式氧离子注入(PIII)技术修饰ITO表面,可精确控制氧离子注入剂量及深度,改变ITO表层氧、铟、锡3种元素原子比例.在不改变ITO薄膜主体透明性及导电性的基础上,表面功函数提高幅度达0.8eV,与主要的OLED空穴输运有机材料的HOMO能级匹配,并且,处理效果经过50h后未见明显衰退迹象.
- 成卫海何龙范晓轩区琼荣梁荣庆
- 关键词：等离子体浸没离子注入表面改性氧化铟锡
