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国家科技型中小企业技术创新基金(05C26113500892)

作品数:5 被引量:11H指数:2
相关作者:程贤甦林俊鸿马海峰林音更多>>
相关机构:福州大学闽江学院更多>>
发文基金:国家科技型中小企业技术创新基金更多>>
相关领域:电气工程化学工程理学电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电气工程
  • 2篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇电容
  • 6篇电容器
  • 4篇电解电容器
  • 4篇铝电解
  • 4篇铝电解电容
  • 4篇铝电解电容器
  • 3篇片式
  • 2篇电子技术
  • 2篇吡咯
  • 2篇聚吡咯
  • 1篇导电性
  • 1篇电容器用
  • 1篇片式铝电解电...
  • 1篇器用
  • 1篇去耦电容
  • 1篇噻吩
  • 1篇漏电
  • 1篇漏电流
  • 1篇聚苯
  • 1篇聚苯胺

机构

  • 5篇福州大学
  • 1篇闽江学院

作者

  • 5篇林俊鸿
  • 5篇程贤甦
  • 3篇马海峰
  • 1篇林音

传媒

  • 2篇功能材料
  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇广州化学

年份

  • 2篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
5 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
PA-Cap聚合物电容器在模拟CPU电源中的应用
2008年
在计算机CPU的电源电路中,采用电解电容器作为电源的去耦电容。研究了CPU的负载高速变化时,三种类型电容器提供瞬时电流以稳定电源电压的情况。结果显示:PA-Cap聚合物片式叠层铝电解电容器(56μF)的Res为23mΩ,△V为–90mV,而220μF钽电容Res为73mΩ,△V为–172mV,1000μF液体铝电解电容Res为56mΩ,△V为–232mV。因此,PA-Cap聚合物电容器用在开关电源和数字电路中应用前景广阔。
陈由雄林莹
关键词:电子技术CPU去耦电容
低漏电流聚吡咯铝电解电容器的研制被引量:4
2007年
采用化学氧化聚合法在铝箔上原位聚合聚吡咯阴极层,研究了不同氧化剂、4-硝基酞酸加入方式对聚吡咯电容器性能的影响。结果表明:添加4-硝基酞酸明显降低了电容器的漏电流,制备出tanδ为0.012(100Hz),IL小于0.8μA,且具有良好频率特性的固体片式铝电解电容器。
马海峰程贤甦林俊鸿
关键词:电子技术聚吡咯固体铝电解电容器漏电流
化学聚合法制备电容器用聚苯胺被引量:5
2006年
采用化学聚合法制备电容器用聚苯胺,研究了不同的掺杂剂对聚苯胺(Pan)电导率的影响,并利用TGA、FT-IR等分析手段对聚苯胺的热老化性质进行研究,研究了乳液法产物的二次掺杂现象,并把萃取液涂布于铝箔表面制成固体电容器,结果表明这种聚苯胺应用于固体电容器是可行的。
林俊鸿林音程贤甦潘德源
关键词:苯胺聚苯胺导电性
片式聚吡咯铝电解电容器的研究进展
综述聚吡咯固体片式铝电解电容器的研究进展,介绍聚吡咯固体片式铝电解电容器性能的影响因素以及改进措施,展望今后聚吡咯固体片式铝电解电容器的发展前景.
程贤甦林俊鸿马海峰
关键词:聚吡咯铝电解电容器
文献传递
片式聚吡咯铝电解电容器的研究进展被引量:2
2007年
综述聚吡咯固体片式铝电解电容器的研究进展,介绍聚吡咯固体片式铝电解电容器性能的影响因素以及改进措施,展望今后聚吡咯固体片式铝电解电容器的发展前景。
程贤甦林俊鸿马海峰
关键词:铝电解电容器
聚合工艺对聚噻吩固体片式铝电解电容器的影响被引量:2
2008年
采用导电高分子材料聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDT)制备固体片式铝电解电容器,主要探索了化学聚合工艺对聚噻吩固体片式铝电解电容器性能的影响。结果表明,低的聚合溶液浓度可以提高所制备电容器的容量、降低损耗和等效串联电阻(ESR),但需要增加聚合次数以获得所需厚度的PEDT膜;化学聚合过程中烘干温度为40℃并进行适当次数的清洗,其所制备的产品容量较高,损耗较小,ESR低;增加聚噻吩的化学聚合次数可以提高电容器的容量引出水平,并降低损耗和ESR。
吴耿云程贤甦林俊鸿
关键词:固体片式铝电解电容器
共1页<1>
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