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国家自然科学基金(61107027)

作品数:12 被引量:11H指数:2
相关作者:端木庆铎王国政宋忠华杨继凯单高峰更多>>
相关机构:长春理工大学吉林大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金吉林省教育厅资助项目更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 2篇机械工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 3篇电化学
  • 3篇光学
  • 2篇电流
  • 2篇形貌
  • 2篇溶胶
  • 2篇溶胶-凝胶法
  • 2篇射线
  • 2篇退火
  • 2篇纳米
  • 2篇刻蚀
  • 2篇检出限
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性能
  • 2篇X射线
  • 2篇EDXRF
  • 2篇粗糙度
  • 1篇导光
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷转移
  • 1篇电化学刻蚀

机构

  • 12篇长春理工大学
  • 1篇吉林大学

作者

  • 10篇端木庆铎
  • 6篇王国政
  • 4篇杨继凯
  • 3篇宋忠华
  • 3篇崔丹丹
  • 2篇李野
  • 2篇秦旭磊
  • 2篇单高峰
  • 2篇王云龙
  • 2篇李珅
  • 1篇陈长鸣
  • 1篇齐丹
  • 1篇衣云骥
  • 1篇王希斌
  • 1篇宁智超
  • 1篇樊书晓
  • 1篇王菲
  • 1篇王蓟
  • 1篇孙小强
  • 1篇张大明

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 2篇光学学报
  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇长春理工大学...
  • 1篇光电技术应用
  • 1篇中国科技论文
  • 1篇国防光电子论...

年份

  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 7篇2015
  • 1篇2013
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
电流密度对电化学刻蚀硅微通道壁厚的影响
2015年
针对电化学刻蚀硅微通道过程中通道开口处壁厚值小,通道侧蚀严重的问题,基于电化学腐蚀原理,利用PARSTAT2273电化学工作站及自制的三电极电解槽刻蚀系统,通过一个对比实验,分别在30、20mA/cm2的电流密度下刻蚀了硅微通道样品。刻蚀完成后,沿(100)晶向将样品切开,并利用扫描电子显微镜观察刻蚀完成后通道壁厚情况。实验结果表明,通道壁厚不均匀的情况得到了改善,侧蚀严重的深度从70μm下降到了30μm,得到了壁厚均匀区域更长的硅微通道结构。
王云龙王国政杨继凯崔丹丹端木庆铎
关键词:电化学电流密度
基于湿法腐蚀的硅微通道结构释放技术研究
通过湿法腐蚀的方法,以TMAH为腐蚀剂对电化学刻蚀后未通透的硅微通道进行结构释放。针对湿法腐蚀结构释放硅微通道时遇到的问题,以质量浓度为28.5wt%的TMAH溶液分别对不同电阻率的硅片以及SiO2膜层进行腐蚀,通过不断...
崔丹丹端木庆铎王国政杨继凯李海斌
关键词:湿法腐蚀TMAH腐蚀速率表面粗糙度
文献传递
EDXRF法对湖底水系沉积物中重金属含量的检测被引量:1
2015年
介绍了一种通过EDXRF技术对湖底水系沉积物中重金属元素的定性定量分析方法。在所制备的水系沉积物样品中加入内标元素Y,利用粉末压片法制作样本,通过X射线荧光光谱分析仪在合适的测量条件下分别测得样品中Cu、Zn、Pb和Hg荧光强度,并通过内标元素计算出元素含量。对测得的数据进行相对标准偏差分析,结果均小于5%,符合实验精度要求。与国标ICP-OES法相比,测试结果基本相同,实验过程中不产生有害物质且大大提高了测试效率。经计算,上述四种元素的检出限分别为2.41mg/kg、2.45mg/kg、1.64mg/kg、4.30mg/kg,EDXRF技术可以作为一种方便快捷的环境监测手段来监测水系沉积物的中金属成分。
宋忠华单高峰齐丹
关键词:EDXRF粉末压片法检出限水系沉积物
Mg掺杂对溶胶-凝胶法生长MZO纳米薄膜性能的影响被引量:1
2019年
通过溶胶-凝胶(sol-gel)法分别在石英及Si衬底上制备了含不同Mg原子数分数的氧化镁锌(MZO)纳米薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高阻测量仪研究了Mg掺杂对MZO纳米薄膜的表面形貌、结构及电学性能等方面的影响。结果表明,随着Mg原子数分数的增加,MZO薄膜的晶粒数目增加,且排列致密和均匀,表现为ZnO的六方纤锌矿结构;当Mg原子数分数增加到一定程度时,薄膜XRD的半高宽(FWHM)增大,结晶质量降低,MZO薄膜中ZnO的含量减少,晶粒尺寸变小,其电阻率明显增加且方块电阻稳定性较好;通过紫外-可见光分光度计(UV-VIS)透射率曲线测试,发现MZO薄膜在紫外光区有明显的吸收特性,随着Mg含量的增加透射率曲线发生蓝移。
贲旭博端木庆铎
关键词:溶胶-凝胶法形貌结构
49信道绝热低偏振相关全聚合物阵列波导光栅
2015年
研制了一种新型全聚合物49信道绝热低偏振相关阵列波导光栅(AWG)芯片。利用直接紫外光写入技术,实现了波导芯片的设计与制备。利用Matlab软件对AWG的传输特性进行了优化模拟,通过对聚合物衬底的热膨胀系数和聚合物波导的热光系数进行调控,得到了器件良好的绝热低偏振相关特性。测得AWG的中心波长为1550.918 nm,波长间隔为0.8 nm,插入损耗的信道变化范围是5.51 d B^10.62 d B,串扰大于20 d B,偏振漂移和温度变化分别是0.08 nm和0.03 nm/K。这种新技术十分适用于高性能多功能集成光路中,具有广阔的应用前景。
李浩谷云龙郑洋陈长鸣王希斌衣云骥孙小强王菲张大明
关键词:集成光学阵列波导光栅
基于EDXRF技术茶叶中金属元素检测方法研究被引量:3
2015年
能量色散X射线荧光光谱(EDXRF)法作为化学元素分析的一种检测手段,被广泛应用于地质勘测、工矿石油、生化医疗及刑侦考古等各行各业,它是户外现场检测与分析的首选方法之一。利用EDXRF法检测茶叶中金属元素含量,对环境条件要求低,且无需对茶叶样品进行化学处理。实验检测发现,用该方法分析茶叶中金属元素时,有效X射线荧光光子能量段在3~16keV之间,故校正光谱元素选择位于能量中心位置(8keV)附近的铜元素,并用铜元素定标做标准曲线,在茶叶有效X射线荧光光子能量段中,通过样品加标方法分析铜、铁、锌、铅四种元素,求得平均检出限为1.25mg·kg^-1。在检测茶叶中金属元素的化学方法中,选用火焰原子吸收法测得茶叶中金属元素含量作为标准值,比较得出,EDXRF法测得数值实际相对误差小于6%,相对标准偏差小于5%,经过t检验,p〉0.05,说明EDXRF法与火焰原子吸收法在统计学上没有显著差异,两种方法所测结果吻合。结果表明,EDXRF法检测茶叶中金属含量的方法是可行的,结果满足现场检测分析需求。
秦旭磊李野宋忠华王国政李珅单高峰端木庆铎
关键词:检出限相对标准偏差
NaxMg0.2Zn0.8-xO纳米薄膜的光学性能
2019年
采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上以二水乙酸锌(C4H6O4Zn·2H2O)、乙酸镁(C4H14-MgO8)、氯化钠(NaCl)为前驱体制备NaxMg0.2Zn0.8-xO纳米薄膜,借助扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、喇曼光谱及光致发光谱(PL)等手段,对NaxMg0.2Zn0.8-xO薄膜的晶格结构、表面形貌及光学性能进行表征及分析,研究了Na+不同掺杂浓度对NaxMg0.2-Zn0.8-xO薄膜的结构及光学性能的影响。研究结果表明,所有样品均为六方纤锌矿结构;Na+的掺入弥补了MgZnO薄膜本身存在的晶格缺陷,颗粒分布均匀且紧密,晶粒尺寸增大;当x在0~0.04内,x为0.02时,Na0.02Mg0.2Zn0.78O薄膜的结晶性能更加优秀,且缺陷减少,光致发光性能达到最佳。
张舒婷端木庆铎王浚宇
关键词:光学性能溶胶-凝胶法微观结构
化学刻蚀硅中电荷转移和纳米结构的形成
2013年
Turner机理对于化学刻蚀中多孔硅形成的描述中,并未对表面活性数据和纳米结构的形成进行详细解释。通过研究发现氧化物在纳米多孔硅薄膜的形成中并不起重要作用,基于对化学刻蚀和纳米结构形成机理的理解提出了刻蚀溶液选择的七条规则。使用这七条规则尝试了三种新的含有Fe3+,VO2+和Ce4+的刻蚀溶液并证实能有效制备多孔硅。这些溶液可以避免由硝酸盐/亚硝酸盐为基础的刻蚀溶液所造成的问题,其优点包括无需活化、诱导时间缩短以及厚度均一膜的可重复性,因而是化学刻蚀工艺中一个重要的进展。
樊书晓宁智超
关键词:电化学电荷转移电解抛光
退火温度对TiO2/ZnO复合纳米棒光学性能的影响被引量:1
2019年
通过两步水热法在氟掺杂SnO2(FTO)玻璃衬底上制备出了不同退火温度的TiO2/ZnO复合纳米棒,分别利用X射线衍射、扫描电子显微镜、喇曼光谱和光致发光谱等手段对不同退火温度下的TiO2/ZnO复合纳米棒的表面形貌、微观结构以及光学性能进行了研究。结果表明,当退火温度从400℃逐渐升高至425℃时,TiO2/ZnO复合纳米棒变得致密、均匀,表现为六方纤锌矿结构,同时复合纳米棒结晶性能良好且缺陷少;当退火温度高于425℃时,TiO2/ZnO复合纳米棒变得稀疏,缺陷较多,结晶质量降低。喇曼光谱和光致发光谱测试表明,当退火温度为425℃时,TiO2/ZnO复合纳米棒的紫外发光峰强度高,蓝移明显,激发的紫外光波长达到365.414 nm。
王浚宇端木庆铎张舒婷
关键词:退火温度光学性能形貌表征
阳极氧化条件对多孔硅性质的影响
2015年
基于硅的电化学腐蚀基理,通过电化学阳极氧化法制备多孔硅结构,用扩散限制模型和Si的氧化原理来探究阳极氧化条件对多孔硅性质的影响。首先,研究HF对多孔硅孔隙率和刻蚀速率以及腐蚀界面的粗糙度的影响,然后研究了在不同电流密度时多孔硅的刻蚀特性。结果表明,在HF(49 wt.%)与乙醇的体积比为2:3的电解液中刻蚀多孔硅时,随电流密度的增大,多孔硅结构的孔隙度及刻蚀速率均逐渐增大;在电流密度为55 m A/cm2时,刻蚀速率随电解液中HF体积含量的增大而增大,多孔硅的孔隙度随HF体积含量的增大而减小;多孔硅-硅的界面粗糙度随电流密度和HF体积含量的增大而增大,在HF与乙醇的体积比高于3:2时多孔硅-硅的界面粗糙度很大,而且多孔硅膜层发生龟裂现象,这将严重影响多孔硅光学器件的发光质量。
崔丹丹端木庆铎王国政杨继凯王云龙
关键词:电化学多孔硅孔隙度刻蚀速率粗糙度
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