山东建筑大学校内基金(XN070109)
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
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- 钕离子注入硅晶体的横向离散研究
- 2009年
- 利用离子注入技术掺杂制作光电子器件时,需要了解离子注入材料的射程分布、射程离散和横向离散.介绍了用400 keV能量的Nd离子分别垂直和倾斜60o角注入两块相同的Si晶体样品中,利用卢瑟福背散射技术研究了400 keV,5×1015 ions/cm2 Nd离子注入Si晶体的横向射程离散.测出的实验值和TRIM’98得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM’98模拟计算的理论值能较好地符合.
- 秦希峰季燕菊王凤翔付刚赵优美
- 关键词：离子注入
- 铒离子注入晶体硅的射程分布和离散研究
- 2009年
- 用400 keV能量的铒离子垂直注入晶体硅(Si)样品中。利用卢瑟福背散射技术研究了能量为400 keV、剂量为5×1015ions/cm2的铒离子注入Si晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布。测出的实验值和TRIM 98得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM 98模拟计算的理论值符合较好。
- 秦希峰季燕菊王凤翔付刚赵优美
- 关键词：离子注入
- 铒离子注入6H-SiC的横向离散研究
- 2010年
- 利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散规律等是很重要的.用400keV能量的铒(Er)离子分别与样品表面法线方向成0°,45°和60°倾角注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015cm-2的400keVEr离子注入6H-SiC晶体的横向离散.测出的实验值与TRIM'98和SRIM2006得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM'98和SRIM2006计算的理论值都符合较好,TRIM'98计算的理论值与试验值符合得更好一些.
- 秦希峰王凤翔梁毅付刚赵优美
- 关键词：离子注入6H-SIC
- 铒离子注入碳化硅的射程和退火行为研究被引量：2
- 2011年
- 用300—500keV能量的铒(Er)离子注入碳化硅(6H-SiC)晶体中,利用卢瑟福背散射技术研究了剂量为5×1015cm-2的Er离子注入6H-SiC晶体的平均投影射程Rp和射程离散ΔRp,将测出的实验值和TRIM软件得到的理论模拟值进行了比较,发现Rp的实验值与理论值符合较好,ΔRp的实验值和理论值差别大一些.结果表明,注入剂量一定时,注入能量越高,晶格损伤程度越高.1400℃的高温退火,可以实现6H-SiC的完美再晶化,但伴随着产生了Er原子向表面的外逸出.
- 秦希峰梁毅王凤翔李双付刚季艳菊
- 关键词：离子注入退火行为
