南京大学固体微结构物理国家重点实验室开放课题基金
- 作品数：5 被引量：10H指数：2
- 相关作者：陈坤基董恒平徐芳张羿陈延峰更多>>
- 相关机构：南京大学南京理工大学西北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目江苏省“青蓝工程”基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信电气工程理学更多>>
- 材料激光损伤中的等离子体微滴雾化过程
- 2010年
- 建立了等离子体微滴的两结果微滴及四结果微滴雾化模型。对比分析了两种模型下的微滴雾化过程,讨论了各自适用的情况。研究了微滴初始参量对微滴雾化过程的影响,分析了在材料激光损伤研究中,如何控制等离子体爆炸现象。该研究对材料激光损伤问题的探索,尤其是在认识和控制等离子体爆炸所造成的影响方面具有一定的价值。
- 夏志林薛亦渝郭培涛李展望
- 关键词：光学薄膜激光损伤等离子体雾化
- 二维金纳米微粒有序阵列的制备被引量：2
- 2003年
- 对于用十二烷基硫醇包覆的金纳米微粒 ,用Langmuir Blodgett(LB)技术制备了二维金纳米微粒有序阵列 .在单纯的硫醇包覆的金纳米微粒形成的LB膜中 ,由于硫醇分子之间的疏水相互作用 ,容易导致金纳米微粒的自组织而在LB膜中形成缺陷 .为了改善金纳米微粒的成膜性能和提高金纳米微粒阵列的有序性 ,正十二醇作为添加剂和润滑剂加入到金纳米微粒的氯仿溶液中与金纳米微粒一起形成LB膜 .用透射电子显微镜对金纳米微粒的二维阵列进行了表征 .结果表明 ,正十二醇的加入可以有效地减少用LB技术制备的二维金纳米微粒阵列中的缺陷 。
- 廖建辉吴仲岿葛存旺虞伟徐丽娜陈坤基顾宁
- 关键词：金纳米微粒有序阵列LB技术二维阵列成膜性能纳米电子器件
- 非晶掺氧氮化硅薄膜中N-Si-O发光缺陷态的研究被引量：1
- 2017年
- 在室温下利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备出非晶掺氧氮化硅(a-SiN_x∶O)薄膜.通过改变硅烷(SiH_4)和氨气(NH_3)流量比R,可实现薄膜光致发光(PL)峰位在2.06~2.79eV可见光能量范围内的波长调制.光吸收谱中光吸收峰位与PL峰位重叠,表明薄膜发光来源于光吸收边以下0.65eV左右处的缺陷态.通过对傅里叶变换红外光谱(FTIR)的键浓度分析和X射线光电子能谱(XPS)Si 2p峰的分峰拟合,发现薄膜PL强度的增强与N-Si-O键合浓度的升高紧密相关.R=1∶4时,PL强度与N-Si-O键合浓度同时达到最大.进一步证明了a-SiN_x∶O薄膜中的发光缺陷态与N-Si-O键合结构密切相关.此外,PL峰位随流量比R的增大而发生红移的现象可能源自于N-Si-O组态转变造成的缺陷态密度最大位置处的能级偏移和光学带隙变窄引起的价带顶上移.
- 董恒平陈坤基宗波井娥林王昊窦如凤郭燕徐骏
- 关键词：缺陷态
- 非晶氮氧化硅薄膜中新发光缺陷态的研究被引量：2
- 2014年
- 利用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法在室温下制备出非晶氮氧化硅（a-SiNxOy）薄膜。通过调节薄膜中的Si/N比例,可使其光致发光峰位在450-600nm的较宽波长范围内连续可调。对比a-SiNx薄膜和aSiNxOy薄膜的发光特性,发现此薄膜发光来源于由氧引入的新发光缺陷态。由光吸收谱的测量结果可以推断出此发光缺陷态在光吸收边之下约0.65eV处的禁带中。并且,通过傅里叶变换红外光谱（FTIR）和X射线光电子能谱（XPS）测量,证实了这种新发光缺陷态与薄膜中存在的O-Si-N键合结构有关。
- 董恒平陈坤基李伟孙正凤黄敏段欢曹燕王友凤
- 关键词：缺陷态
- 碳/碳化硅刹车材料的显微结构分析被引量：5
- 2008年
- 采用反应熔体渗透法(reactive melt infiltration,RMI)制备了碳/碳化硅(C/SiC)刹车材料,利用X射线衍射分析了材料组成,并通过光学、扫描电子和透射电子显微镜从不同尺度观察了刹车材料的微观结构.结果发现,反应生成的SiC是面心立方的β-SiC,主要分布在胎网层、针刺纤维附近以及无纬布层的纤维束间;残余的单质Si分布在SiC的颗粒间.SiC在SiC-Si界面上,以大约5～15μm的粗大颗粒存在;而在SiC-C界面上,以粒径100nm左右的细小颗粒存在.
- 徐芳张立同孟祥康陈延峰徐永东范尚武张羿
- 关键词：刹车材料显微结构
