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国家科技重大专项(2009ZX02035-006)

作品数：2 被引量：4H指数：2
相关作者：闫江陈广璐高建峰吴次南贺晓彬更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所贵州大学更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电子束
  • 1篇电子束光刻
  • 1篇电子束直写
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇热稳定
  • 1篇金属硅化物
  • 1篇快速热退火
  • 1篇化物
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻技术
  • 1篇硅化物
  • 1篇PT
  • 1篇RTA
  • 1篇EBL

机构

  • 2篇中国科学院微...
  • 1篇贵州大学

作者

  • 2篇闫江
  • 1篇李俊峰
  • 1篇许静
  • 1篇赵利川
  • 1篇张青竹
  • 1篇唐波
  • 1篇孟令款
  • 1篇李春龙
  • 1篇唐兆云
  • 1篇贺晓彬
  • 1篇吴次南
  • 1篇高建峰
  • 1篇陈广璐

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
用于纳米器件的电子束与光学混合光刻技术被引量：2
2013年
成功开发出了一种可用于纳米结构及器件制作的电子束与光学光刻的混合光刻工艺。通过两步光刻工艺,在栅结构层上采用大小图形数据分离的方法,使用光学光刻形成大尺寸栅引出电极结构,利用电子束直写形成纳米尺寸栅结构,并通过图形转移工艺解决两次光刻定义的栅结构的叠加问题。此混合光刻工艺技术可以解决纳米电子束直写光刻技术效率较低的问题,同时避免了电子束进行大面积、高密度图形曝光时产生严重邻近效应影响的问题。这项工艺技术已经应用于先进MOS器件的研发,并且成功制备出具有良好电学特性、最小栅长为26 nm的器件。
陈广璐唐波唐兆云李春龙孟令款贺晓彬李俊峰闫江
超薄Ni_(0.86)Pt_(0.14)金属硅化物薄膜特性被引量：2
2014年
通过研究超薄Ni-0.86 Pt-0.14㈦。金属硅化物薄膜的特性，提出采用310℃／60S与480℃／10s两步快速热退火（RTA）的工艺方案，形成的Ni（Pt）硅化物薄膜电阻率最小，均匀性最好，且在600oC依然保持形态稳定。应用此退火条件，Ni-0.86 Pt-0.14在0．5μm和22nmCMOS结构片中形成覆盖均匀且性能良好的金属硅化物薄膜，同时没有形成任何尖峰。对于更薄的硅化物，实验结果表明，2nmNi-0.86 Pt-0.14形成的超薄硅化物界面平整，均匀性好，没有在界面出现Ni-0.95 Pt-0.05金属硅化物的“倒金字塔形”尖峰。结果显示，比较在有、无氩离子轰击的硅表面形成的两种Ni（Pt）Si硅化物薄膜，后者比前者电阻率约低10％～26％，该工艺有望在未来超薄硅化物制作被广泛应用。
张青竹高建峰许静赵利川吴次南闫江
关键词：硅化物热稳定
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