天津市自然科学基金(05YFJMTC01600)
- 作品数：9 被引量：27H指数：5
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- 宽带隙化合物半导体Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的制备被引量：2
- 2008年
- 利用超声雾化热分解技术,在玻璃衬底上生长出宽带隙的Zn1-xMgxO薄膜。所有样品在可见光范围内的透过率可达到85%以上。X射线衍射的测试结果表明所有样品都具有c轴择优生长特性,并且随薄膜中Mg含量的不同出现规律性变化。光致发光谱表明Mg掺入后ZnO薄膜的紫外发射峰出现了蓝移,实现了对禁带宽度的调节。
- 边楠张晓丹张霞赵颖杨瑞霞
- 关键词：宽带隙半导体禁带宽度
- p型ZnO的制备以及衬底温度对薄膜特性的影响被引量：5
- 2006年
- 本文主要讨论了采用改进的超声雾化设备制备了不同衬底温度条件下的ZnO薄膜。研究了该系统下不同衬底温度对ZnO薄膜电学、结构特性的影响。霍耳测试结果表明:获得了p型ZnO薄膜,其载流子浓度高达1.30×1019cm-3。样品的X射线衍射和场发射扫描电子显微镜的测试结果显示,在该系统下450℃时薄膜结晶性能最佳。
- 范红兵张晓丹赵颖孙建魏长春谷士彬张存善
- 关键词：ZNO衬底温度
- 非晶/微晶过渡区内材料性能及电池的研究被引量：2
- 2007年
- 本文采用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,通过调节硅烷浓度,获得了系列硅薄膜材料,并用拉曼散射光谱和X射线衍射光谱对材料的结构特性进行了测试分析,同时还使用原子力显微镜观察比较了薄膜的表面形貌。结果发现:在非晶/微晶过渡区内存在着一个光敏性较大的区域,这个区域内的材料晶化率为零,但是表面存在一些微小的晶粒;与拉曼散射光谱相比,X射线衍射光谱对微小的晶化更加敏感。以这部分材料作为太阳电池的本征层,在SnO2衬底上制备了p-i-n型太阳电池,电池的初始开路电压(Voc)达到了0.891V。
- 陈飞张晓丹赵颖魏长春孙建
- 关键词：过渡区太阳电池
- 基于生长方向的P型ZnO薄膜特性的研究被引量：5
- 2008年
- 利用超声雾化热分解法(USP),通过N-Al共掺的方法,制备出p型ZnO薄膜。利用霍尔测试、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜分析了不同生长时间ZnO薄膜样品的电学特性、结构和表面形貌的变化。结果表明:其它条件固定时,只有在合适的生长时间条件下,才能得到电学性能较好的N-Al共掺p型ZnO薄膜(电阻率为46.8Ω.cm、迁移率为0.05cm2.V-1.s-1、载流子浓度是2.86×1018cm-3。
- 焦宝臣张晓丹赵颖魏长春孙建赵静杨瑞霞
- 关键词：P型ZNO
- 用超声喷雾热分解法制备p型Zn_(1-x)Mg_xO薄膜
- 2009年
- 利用超声喷雾热分解(USP)技术,采用N-Al共掺法,在eagle2000衬底上制备出了电学特性较好的p型Zn0.93Mg0.07O薄膜:电阻率为18.43Ω.cm、迁移率是0.362 cm2/(V.s)、载流子浓度为1.24×1018cm-3。系统分析了前驱溶液中Al掺杂量或Mg掺杂量变化时对p型Zn1-xMgxO薄膜电学特性和结构特性的影响。紫外可见光透射测试表明:Zn1-xMgxO薄膜在紫外-可见光范围内的透过率达到了80%。
- 边楠张晓丹张霞赵颖杨瑞霞
- 关键词：透过率
- 玻璃衬底上p型ZnO薄膜的制备被引量：5
- 2006年
- 本文主要采用超声喷镀法在玻璃衬底上制备了N-A l共掺的p型ZnO薄膜.研究了前驱溶液的不同配比对薄膜电学、结构特性的影响.X射线衍射的结果显示:共掺与本征ZnO具有很相似的结晶特性。霍耳测试结果表明:随着A l原子掺入量的逐渐增加,制备ZnO的类型逐渐由n型转换成p型,进一步提高后又转换成n型,文中对其中的原因进行了讨论。在普通玻璃衬底上制备出了空穴浓度达到4.6×1018cm-3,同时迁移率和电阻率分别为0.4 cm2.V-1.-s1、3.3Ω.cm的p型ZnO薄膜。
- 范红兵张晓丹赵颖孙建魏长春王锐张存善
- 关键词：ZNO喷雾热分解
- 衬底温度对ZnO纳米结构的影响被引量：5
- 2009年
- 利用超声喷雾热解(USP)技术,以普通玻璃为衬底,制备了不同衬底温度下的系列ZnO薄膜。用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)研究了衬底温度对ZnO结构的影响。结果表明,薄膜的微观结构随衬底温度变化显著。在410℃获得了ZnO纳米棒,纳米棒直径在50 nm左右,沿c轴择优生长,结晶质量较好。
- 张霞张晓丹边楠杨瑞霞赵颖
- 关键词：ZNO纳米棒衬底温度
- 硅薄膜沉积过程中等离子发光基团的一维空间分布研究被引量：1
- 2008年
- 使用光发射谱(OES)对甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积硅薄膜时的等离子体发光基团的空间分布进行了在线监测和研究.研究表明:等离子体的不同发光基团都存在着一个中间强度较大的区域和两边电极附近的暗区;增大硅烷浓度和提高辉光功率都会增大SiH*峰强度;硼烷的加入,使得SiH*和Hα*峰强度增大,但硼烷流量变化的影响很小;硼烷流量增大,材料的晶化率下降,而I[Hα*]/I[SiH*]值却上升;当硅烷浓度改变时,空间各个区域内的I[Hα*]/I[SiH*]值的变化规律不同;而改变辉光功率或改变硼烷流量的情况下,空间各个点的I*/I*值变化规律都是相同的.
- 陈飞张晓丹赵颖魏长春孙建
- 关键词：等离子体
- P型ZnO薄膜的制备及其在太阳电池中的初步应用被引量：6
- 2008年
- 利用超声雾化热分解技术(USP)、通过N-Al共掺的方法,在corning 7059衬底上生长出p型透明导电膜。该薄膜在可见光范围内的透过率可达到90%以上。X射线衍射的测试结果表明:p型透明导电膜具有c轴择优生长特性。通过霍耳测试得到p型ZnO薄膜的电学特性为:电阻率为4.21Ω.cm、迁移率是0.22cm2/(V.s)、载流子浓度为6.68×1018cm-3。此材料初步应用到微晶硅电池中,其开路电压为0.47V。
- 焦宝臣张晓丹赵颖孙建魏长春杨瑞霞
- 关键词：ZNO薄膜P型透明导电薄膜太阳电池
