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国家自然科学基金(51377025)

作品数：9 被引量：5H指数：1
相关作者：袁寿财乐江源刘亚媚宋力张文更多>>
相关机构：赣南师范大学中国计量大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金江西省教育厅科学技术研究项目江西省科技厅科技支撑计划项目更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 2篇IGBT
  • 1篇单片
  • 1篇单片功率放大...
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇低压化学气相...
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷补偿
  • 1篇电机
  • 1篇电力
  • 1篇电力滤波
  • 1篇电力滤波器
  • 1篇电流控制
  • 1篇电路
  • 1篇淀积
  • 1篇定理
  • 1篇掩膜
  • 1篇液位

机构

  • 9篇赣南师范大学
  • 2篇中国计量大学

作者

  • 5篇袁寿财
  • 4篇乐江源
  • 3篇宋力
  • 3篇刘亚媚
  • 2篇赖小华
  • 2篇王兴权
  • 2篇张文
  • 2篇韩建强
  • 1篇袁新娣
  • 1篇李孟山
  • 1篇武华
  • 1篇荣垂才
  • 1篇陈建萍
  • 1篇罗聪

传媒

  • 5篇赣南师范大学...
  • 3篇赣南师范学院...
  • 1篇广东技术师范...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
基于电荷补偿的槽栅IGBT设计和工艺研究
2015年
大功率半导体器件是现代工业和国防进行能量转换及控制的核心器件,也是制约我国电力电子技术水平和竞争力提升的关键器件.本文以降低器件导通电阻和功耗、提高击穿电压为目标研究电荷补偿槽栅IGBT,着重器件结构创新和关键工艺优化.电荷补偿槽栅IGBT导通电阻与器件间隔排列的p、n区半导体层厚及击穿电压成正比,相比传统IGBT导通电阻正比于击穿电压2.5次方理论,同等击穿电压下,允许n区有更高的掺杂浓度,这降低了器件的导通电阻和功耗.采用倾斜角离子注入制作电荷补偿结构,调节注入倾斜角和优化注入剂量是精确控制n区掺杂浓度的有效方法,也是保证器件电参数指标的关键制作工艺.用难熔金属硅化物设计双掩膜版的全自对准制作工艺,系统研究电荷补偿槽栅IGBT工艺制作原理,探索保证器件电参数指标的制作工艺控制机制,提出电荷补偿槽栅IGBT结构和版图设计优化方法和制作工艺参数优化方法.
袁寿财乐江源宋力刘亚媚
关键词：电荷补偿硅化物掩膜漂移区
新型薄膜热电变换器的误差分析及其设计制作
2017年
交流电压(流)基准是国家交流电压(流)量值传递中的基准计量器具.首先分析新型薄膜热电变换器的热电转换误差,提出采用微桥谐振器非接触式测量加热电阻温度,属于新型薄膜热电变换器中加热电阻的高灵敏度温度检测方式、减小温度传感器与加热电阻之间的寄生电容、减小因热电效应、寄生电容和介质损耗引起的交直流转换误差,从而具有较高的测温灵敏度.其次研究新型薄膜热电变换器设计制作中的关键工艺,加热电阻辐射的热量使得微机械桥平均温度上升,轴向压应力增加(或拉应力减小),谐振频率减小,通过测量微桥谐振频率的变化获得加热器的温度信息,而温度测量元件从加热电阻汲取的热量极小.这种新型薄膜热电变换器的测量输出量为频率信号,受电路噪声影响很小,因此是一种高计量精度的薄膜热电转换器.
袁寿财韩建强刘亚媚宋力
关键词：谐振器微电子机械系统
双容水箱液位智能控制实训装置研究
2022年
基于工科专业控制类课程教学改革需要,设计一种双容水箱液位控制实训装置,该装置采用模块化思想,具有组合方便、实训项目设计灵活等特点.同时,从物理机理出发,推导该装置的数学模型;随后基于强化学习方法,提出一种智能液位控制算法,并通过仿真分析验证算法的可行性和优越性.
赖小华
关键词：液位控制课程实训
三相并网逆变器的新型预测电流控制被引量：1
2018年
分布式发电系统中的并网逆变器电流控制器的性能易受电网谐波和控制延时的影响而下降.本文基于空间矢量脉宽调制(Space Vector Pulse Width Modulation,简称SVPWM)技术提出了一种新型的并网逆变器预测电流控制策略.首先在dq同步旋转坐标系下的离散数学模型基础上,模仿无差拍电流控制原理设计了误差调节器,该调节器预测算法具有运算简单和鲁棒性强的特点.其次通过引入电网电压前馈控制环很好地抑制了电网谐波干扰.最后在实物仿真平台上进行了实验验证,实验结果及分析证明了该控制策略的可行性和优越性.
乐江源施文菀
关键词：并网逆变器预测电流控制分布式发电系统
基于MOSFET的高频宽带线性单片功率放大器研究
2015年
本文基于功率MOSFET设计高频宽带线性功率放大器单片集成电路,主要针对功率放大器自身功耗和因高频下电路容性负载引起的信号相移及与此有关的功率放大器的效率问题.特别是选用高频功率MOSFET器件,通过电路优化设计使功放的转换速率达到最大,频带宽度达5-135 MHZ,在60 MHZ频率下,放大器的线性度为1 d B增益压缩点,在20-110 MHZ频率范围内,输入功率12 d B时,放大器的平均和最大增益分别为51.8 d B和53.5 d B,放大器的增益稳定性测试表明,频率60 MHZ,输入功率6 d B时,放大器的增益在24 d B-29 d B区间内波动.
袁寿财李孟山张文刘亚媚宋力
关键词：功率MOSFET功率放大器单片集成电路宽带
应用MATLAB实现自动控制系统的频域法校正被引量：4
2014年
利用MATLAB下的BODE图进行控制系统串联校正,可以进一步提高利用MATLAB平台下进行控制系统频域分析的能力,通过举例介绍在MATLAB平台上使用频域法进行系统串联校正的理论根据与操作方法 ,给出了用MATLAB进行串联超前校正设计的一般步骤,通过改变系统的开环波德图形状,使之具有满意的性能指标,对工程设计人员有一定的参考价值.
张文陈建萍袁新娣王兴权袁寿财
关键词：MATLAB频域法
基于中心流形定理的永磁同步电机稳定性分析
2021年
基于中心流形定理提出一种永磁同步电机稳定性分析方法.首先在dq同步旋转坐标系下应用时间尺度变换和线性仿射变换,建立了适用于永磁同步电机动力学行为分析的三阶非线性自治系统模型;随后利用中心流形定理和Taylor逼近方法找到了永磁同步电机在断电空载状况下系统在原点附近的中心流形子空间,得到其简化的等效降维方程,并在此基础上讨论其稳定性和分岔情况.
乐江源龚成坚
关键词：永磁同步电机稳定性分析中心流形定理
IGBT深槽刻蚀氮化硅硬掩膜制作工艺研究
2019年
硅基深槽刻蚀是槽栅IGBT器件的基本结构,也是确保器件性能的关键工艺,氮化硅硬掩蔽膜质量对于硅基深槽刻蚀起着重要的作用.本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺淀积氮化硅薄膜,具有均匀性好,而且呈现较大的张应力,可以补偿二氧化硅缓冲层的压应力,有效地解决了硅-二氧化硅-氮化硅夹心结构的应力问题.分析比较了工艺参数,如气体流量、淀积环境的压强、温度等,对氮化硅薄膜生长速率及膜厚的影响,获得了氮化硅薄膜淀积的优化工艺参数.
袁寿财韩建强荣垂才武华李梦超王兴权
关键词：低压化学气相淀积氮化硅刻蚀
基于DSP的有源电力滤波器控制系统设计
2016年
为了满足响应快、精度高的要求,提出了一种基于高速数字信号处理DSP芯片TMS320F2812的全数字有源电力滤波器(Active Power Filter,简称APF)控制方案.着重阐述了控制方案硬件结构的主要电路设计和分析了软件程序的实现流程.最后,在APF样机上进行了补偿典型负载实验,实验结果及分析验证了该控制方案在改善电能质量上的可行性.
赖小华乐江源罗聪
关键词：有源电力滤波器谐波检测PI控制
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