甘肃省自然科学基金(ZS021-A25-022-C)
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
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- 相关机构：兰州大学徐州空军学院更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- Cu_3N薄膜的制备及其霍尔效应研究被引量：1
- 2006年
- 采用反应射频磁控溅射的方法在纯氮气气氛下、氮气流量为12 sccm、衬底温度为100℃的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜。XRD显示薄膜择优[100]晶向生长。用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察了样品的表面形貌,发现样品表面平整、结构紧密。用四探针法检测了薄膜的霍尔特性,发现随温度的降低薄膜的霍尔系数、霍尔电阻率均增加。霍尔迁移率在高温范围也呈降低的趋势,但是变化的范围比较小,在低温范围又有所增加。随温度的降低薄膜的载流子浓度降低。我们还通过变温的霍尔系数估算了氮化铜薄膜的禁带宽度约为1.35 eV。
- 王明旭岳光辉范晓彦闫德闫鹏勋杨强
- 关键词：XRDSEMAFM
- 氮化铜薄膜的半导体特性
- 本文采用反应射频磁控溅射法成功的制备了氮化铜（Cu3N）纳米薄膜。运用四探针法测量了薄膜的电学和半导体特性,证明了实验制备得到的Cu3N薄膜是一种n型半导体,禁带宽度约为 1．18-2．6eV．
- 岳光辉王明旭渠冬梅闫鹏勋
- 关键词：电阻率
- 文献传递
- 氮化铜薄膜的半导体特性
- 本文采用反应射频磁控溅射法成功的制备了氮化铜(Cu3N)纳米薄膜。运用四探针法测量了薄膜的电学和半导体特性,证明了实验制备得到的Cu3N薄膜是一种n型半导体,禁带宽度约为1.18.6eV.
- 岳光辉王明旭渠冬梅闫鹏勋
- 关键词：电阻率
- 文献传递
- 纳米结构Cu3N薄膜的直流磁控溅射法制备及其特性
- 采用柱状靶多弧直流磁控溅射法,室温下在玻璃衬底上制备了CuN薄膜。用X射线衍射方法研究了不同氮气分压对CuN薄膜晶体结构及晶粒尺寸的影响。XRD测试结果显示薄膜由准ReO结构的CuN纳米晶构成。氮气分压(N/N+Ar)较...
- 吴志国张伟伟白利峰陈强吴现成
- 文献传递
- Cu_3N薄膜及其研究现状
- 2007年
- Cu3N薄膜是近10年来研究的热点材料之一。Cu3N是立方反ReO3结构,理想立方反ReO3结构的一个晶胞中Cu原子占据立方边的中心位置而N原子占据立方晶胞的八个顶点,此结构的体心位置有一较大间隙,Cu原子以及其他原子如Pd、碱金属原子等很有可能进入此位置导致Cu3N的电学性能、光学性能等发生很大的变化,这使得该材料具有很大的潜在应用价值。Cu3N的晶格常数为0.3815nm,密度5.84g/cm3,分子量204.63,颜色呈黑绿色或红褐色,空间点群Pm3m。Cu3N薄膜在室温下相当稳定并且热分解温度较低(300℃左右),热分解前后薄膜的光学反射率有较大差别,这可使Cu3N薄膜用作一次性光记录材料。此外,Cu3N薄膜还可用作在S i片上沉积金属Cu线的缓冲层、低磁阻隧道结的阻挡层、自组装材料的模板等。
- 王君陈江涛苗彬彬闫鹏勋
- 氮气分压对Cu3N薄膜性质的影响
- 2008年
- 采用反应射频磁控溅射法,通过改变混合气体(N2+Ar)中氮气分压来改变元素的沉积能量和密度,在玻璃基底上制备出了表面光滑、致密的氮化铜(Cu3N)薄膜,研究了不同氮气分压对Cu3N薄膜的择优生长取向和晶粒尺寸的影响.结果表明:随着氮气分压的增加,Cu3N薄膜由沿(111)晶面择优生长转变为沿(100)晶面择优生长,晶粒尺寸变小,表面均方根粗糙度和光学带隙Eopt增大;薄膜在300℃的条件下会完全分解成铜和氮气;薄膜表面的Cu元素以+1价形式存在,Cu2p3/2,Cu2p1/2和N1s峰分别位于932.7,952.7和397.3 eV.
- 袁晓梅闫鹏勋孔凡成方延平郑晓慧
- 关键词：射频磁控溅射表面形貌
- Ar对柱状靶多弧直流磁控溅射制备的Cu3N薄膜的沉积速率、结构、形貌和热稳定的影响
- 采用柱状靶多弧磁控溅射系统制备了氮化铜薄膜,利用XRD和SEM分析了薄膜的相结构和表面形貌,并采用真空热处理研究了氮化铜的热稳定性。结果表明,发现氩的加入对氮化铜薄膜的相结构没有明显的影响,但是对薄膜表面的形貌有较大影响...
- 王明旭张广安吴志国范晓彦闫鹏勋
- 文献传递
- Ar对柱状靶多弧直流磁控溅射制备的Cu3N薄膜的沉积速率、结构、形貌和热稳定的影响
- 采用柱状靶多弧磁控溅射系统制备了氮化铜薄膜,利用XRD和SEM分析了薄膜的相结构和表面形貌,并采用真空热处理研究了氮化铜的热稳定性。结果表明,发现氩的加入对氮化铜薄膜的相结构没有明显的影响,但是对薄膜表面的形貌有较大影响...
- 王明旭张广安吴志国范晓彦闫鹏勋
- 文献传递
- 射频磁控溅射法制备Cu_3N薄膜及其性能研究被引量：3
- 2006年
- 采用反应射频磁控溅射法，在氮气和氩气的混合气体氛围中，玻璃基底上制备出了具有半导体特性的氮化铜（Cu，N）薄膜，并研究了混合气体中氮气分量对Cu，N薄膜的择优生长取向、平均晶粒尺寸、电阻率和光学带隙的影响。原子力显微镜，X射线衍射仪，四探针电阻仪，紫外可见光谱分析及纳米压痕仪等测试结果表明：薄膜由紧密排列的柱状晶粒构成，表面光滑致密；随着氮气分量的增加，Cu3N薄膜由沿（111）晶面择优生长转变为沿（100）晶面择优生长，晶粒尺寸变小，电阻率ρ从1．51×10^2Ω·cm逐渐增加到1．129×10^3Ω·cm；薄膜的光学带隙在1．34～1．75eV间变化；薄膜的硬度约为6．0GPa，残余模量约为108．3GPa。
- 袁晓梅王君吴志国岳光辉闫鹏勋
- 关键词：射频磁控溅射表面形貌光学带隙显微硬度
