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天津市自然科学基金(06YFJZJC01700)

作品数:4 被引量:30H指数:3
相关作者:耿新华赵颖薛俊明孙建陈新亮更多>>
相关机构:南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室河北省信息产业厅更多>>
发文基金:天津市自然科学基金国家重点基础研究发展计划天津市重点科技攻关项目更多>>
相关领域:理学电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇ZNO薄膜
  • 1篇电池
  • 1篇电压
  • 1篇氧分压
  • 1篇绒面
  • 1篇散射
  • 1篇散射机制
  • 1篇湿法刻蚀
  • 1篇太阳电池
  • 1篇透明导电
  • 1篇脉冲电源
  • 1篇刻蚀
  • 1篇溅射
  • 1篇ZNO
  • 1篇ZNO:AL
  • 1篇ITO薄膜
  • 1篇MOCVD
  • 1篇表面处理
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 3篇南开大学
  • 2篇光电信息技术...
  • 1篇教育部
  • 1篇天津大学
  • 1篇河北省信息产...

作者

  • 4篇薛俊明
  • 4篇赵颖
  • 4篇耿新华
  • 2篇张德坤
  • 2篇孙建
  • 2篇陈新亮
  • 1篇熊强
  • 1篇王雅欣
  • 1篇张晓丹
  • 1篇蔡宁
  • 1篇侯国付
  • 1篇段苓伟
  • 1篇马铁华
  • 1篇黄宇
  • 1篇刘丽杰
  • 1篇曹丽冉

传媒

  • 1篇光电子.激光
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
氧分压对低温反应热蒸发制备ITO薄膜性能的影响被引量:13
2009年
采用反应热蒸发法制备ITO薄膜,详细研究了氧分压对薄膜的晶体结构及光电性能的影响。当氧分压较小时,在XRD谱中发现了对应于SnO(112)晶向的衍射峰,随着氧分压的增大,薄膜的晶体结构变得完整,性能得到了改善,在较低的衬底温度下(TS=160℃)获得最小的电阻率为5.3×10-4Ωcm,但是,当更多的氧进入薄膜后一方面填充了氧空位,另一方面与Sn4+相结合形成复合中性粒子(Sn+In)2O"i,使得锡的掺杂作用减弱,薄膜的电阻率增大,同时在近红外区域的透过率增大。
曹丽冉陈新亮薛俊明张德坤孙建赵颖耿新华
关键词:ITO薄膜氧分压散射机制
ZnO:Al绒面透明导电薄膜的制备及分析被引量:10
2007年
利用中频脉冲磁控溅射方法,采用Al掺杂(质量百分比2%)的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜。利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时间后,形成表面凹凸起伏的绒面结构。研究了平面ZAO薄膜的结构特性以及衬底温度、溅射功率和腐蚀时间对绒面ZAO薄膜表面形貌的影响,并对腐蚀前后薄膜的电阻变化进行了分析。结果表明:高温、低功率条件下制备的绒面ZAO薄膜表面形貌较好,在硅薄膜太阳电池中具有潜在的应用前景。
薛俊明黄宇熊强马铁华孙建赵颖耿新华
用脉冲电源溅射ZnO薄膜时脉冲及工艺条件对靶电压的影响被引量:5
2007年
用磁控溅射法制备ZnO∶Al透明导电膜时,降低靶电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离子和负氧离子对基片的轰击,提高薄膜的质量,降低薄膜电阻。本文研究了用中频脉冲直流溅射法和Zn∶Al合金靶反应溅射制备ZnO∶Al透明导电膜时,脉冲参数,如脉冲频率、反向脉冲幅度、反向脉冲时间、功率、氧氩比、溅射气压等工艺条件对靶电压的影响。结果表明,延长反向脉冲时间是降低靶电压的最有效方法。当反向时间由2μs增加到10μs时,靶电压降低了60%以上。
薛俊明侯国付王雅欣段苓伟刘丽杰赵颖耿新华
关键词:磁控溅射
绒面结构ZnO薄膜及其表面处理被引量:2
2008年
本文制备出(110)峰取向的绒面结构MOCVD-ZnO:B薄膜并提出CH3COOH湿法刻蚀的表面处理技术。研究表明,绒面结构ZnO:B薄膜具有"类金字塔"晶粒形状;处理前后ZnO:B薄膜的微观结构,方块电阻和光学性能变化不大。适当的表面处理有助于使薄膜表面趋于柔和,有望改善ZnO/Si界面特性,从而应用于μc-Si薄膜太阳电池。
陈新亮薛俊明张德坤蔡宁张晓丹赵颖耿新华
关键词:MOCVD湿法刻蚀太阳电池
共1页<1>
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