2025年1月24日
星期五
|
欢迎来到青海省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
教育部重点实验室开放基金(2011-6)
作品数:
1
被引量:7
H指数:1
相关作者:
邹宇
伍建春
蒋勇
范晓强
王春芬
更多>>
相关机构:
中国工程物理研究院
四川大学
洛阳船舶材料研究所
更多>>
发文基金:
教育部重点实验室开放基金
国家教育部博士点基金
国家自然科学基金
更多>>
相关领域:
核科学技术
更多>>
相关作品
相关人物
相关机构
相关资助
相关领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
1篇
中文期刊文章
领域
1篇
核科学技术
主题
1篇
多孔硅
1篇
形貌
1篇
阳极
1篇
阳极氧化
1篇
异丙醇
1篇
阵列
1篇
阵列结构
1篇
探测器
1篇
中子
1篇
中子探测
1篇
中子探测器
1篇
丙醇
机构
1篇
洛阳船舶材料...
1篇
四川大学
1篇
中国工程物理...
作者
1篇
黄宁康
1篇
展长勇
1篇
王春芬
1篇
范晓强
1篇
蒋勇
1篇
伍建春
1篇
邹宇
传媒
1篇
强激光与粒子...
年份
1篇
2013
共
1
条 记 录,以下是 1-1
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
多孔硅阵列结构的形貌研究
被引量:7
2013年
采用电化学腐蚀方法分别在HF+异丙醇(IPA)和HF+IPA+十六烷基三甲基氯化铵(CATC)溶液中制备多孔硅结构阵列,分别讨论HF酸浓度、CTAC、刻蚀电流、刻蚀时间对多孔硅阵列的形貌的影响。结果表明:在质量分数40%HF,H2O,IPA的体积比为7∶4∶29时得到优化的多孔硅阵列;腐蚀电流密度越大,孔壁越薄;初始的腐蚀会向外扩展直到形成的孔径达近10μm,在窗口8μm、间距5μm的硅片上腐蚀的孔壁表面出现小孔。CTAC的加入会使孔壁上刻蚀出小孔,并随着CTAC的增加,小孔的孔径减小,数量增加。
范晓强
蒋勇
展长勇
邹宇
伍建春
黄宁康
王春芬
关键词:
中子探测器
形貌
异丙醇
阳极氧化
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张