湖南省自然科学杰出青年基金(08JJ1001)
- 作品数：2 被引量：9H指数：2
- 相关作者：袁华军海阔唐东升羊亿陈亚琦更多>>
- 相关机构：湖南师范大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”湖南省自然科学杰出青年基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 大面积α-Fe_2O_3纳米线及纳米带阵列的制备研究被引量：5
- 2009年
- 以铁箔为原材料和基片,通过控制热氧化过程中的宏观实验条件(载气流量及其组分、压强、温度分布和反应时间等),实现了α-Fe2O3一维纳米结构的可控生长,获得了大面积(10mm×10mm)、单分散性好、沿[110]方向生长的α-Fe2O3纳米带或纳米线阵列.对不同宏观实验条件下所制备的样品进行形貌和晶格结构表征和分析,认为热氧化过程中α-Fe2O3一维纳米结构的生长遵循类似气-固机制的顶端生长模式,生长点铁原子和氧原子比是控制α-Fe2O3一维纳米结构生长的关键因素.
- 海阔唐东升袁华军彭跃华罗志华刘红霞陈亚琦余芳羊亿
- 关键词：Α-FE2O3一维纳米结构热氧化法
- 化学气相沉积法制备Sn_2S_3一维纳米结构阵列被引量：4
- 2011年
- 运用化学气相沉积法(CVD),直接以Sn和S为原料分区加热蒸发,通过控制温度分布、气压、载气流量和金属铅纳米颗粒分布等宏观实验条件,成功制备大面积Sn2S3一维纳米结构阵列.扫描电子显微镜(SEM)图片显示:Sn2S3一维纳米结构的横向尺度在100nm左右,长约几个微米.X射线衍射(XRD)谱显示:所制备样品的晶体结构属于正交晶系,沿[002]方向生长.紫外-可见漫反射谱表明Sn2S3一维纳米结构是带隙为2.0eV的直接带隙半导体.讨论了温度分布和金属铅纳米颗粒对Sn2S3一维纳米结构生长的影响,并指出其生长可能遵循气-固(V-S)生长机理.
- 彭跃华周海青刘湘衡何熊武赵丁海阔周伟昌袁华军唐东升
- 关键词：一维纳米结构阵列化学气相沉积法
