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热氧化法制备α-Fe_2O_3纳米线的气敏特性及其机理被引量：1: 2014年; 家用燃气事故、汽车尾气和工业废气等问题日趋严重,传统气敏材料已很难满足对气体监测越来越高的要求,纳米结构α-Fe2O3因其热稳定性好、选择性好,以及无毒、抗腐蚀性强、环境友好、价格低廉等已成为最重要的气敏材料之一.采用简单的热氧化法成功制备了α-Fe2O3纳米线.纳米线平均直径为20～50 nm,长度可达1～5μm;以制备的α-Fe2O3纳米线为探测材料的气敏元件在50×10-6乙醇气氛中的最佳工作温度为383°C,灵敏度可达2.4,响应和恢复时间分别为13 s和6 s.基于α-Fe2O3纳米线制备的气敏元件在乙醇中的气敏机理为表面电阻控制型.; 钟明龙; 关键词：Α-FE2O3 纳米线气敏特性乙醇

我国钕铁硼永磁材料产业技术现状与发展趋势被引量：22: 2013年; 简述了我国钕铁硼永磁材料产业技术现状,针对存在的高磁能积、高矫顽力、产品一致性好烧结钕铁硼磁体生产工艺不稳定以及各向异性粘结钕铁硼磁体产业化技术不成熟等问题,提出了可通过改善烧结钕铁硼制备工艺、开发耐高温高矫顽力烧结钕铁硼以及加大各向异性粘结钕铁硼产业化技术研究来提升我国钕铁硼永磁材料产业技术水平。; 钟明龙刘徽平; 关键词：钕铁硼烧结磁体粘结磁体

Co_3O_4纳米片的简单热氧化法制备及其磁性能被引量：1: 2015年; 在空气气氛下,通过简单的电热板将氧化沉积在硅基片上的钴薄膜在553~723 K下加热24 h,制备出了大面积Co3O4纳米片,并对纳米片的形貌、晶体结构、生长机制及其磁性能进行了系统研究。结果表明：Co3O4纳米片垂直基片生长,其厚度约为25~80 nm,长度可达1μm,纳米片尺寸随热氧化温度升高而增加。与相应的块体材料对比,Co3O4纳米片的Néel转变温度TN显著降低,约为20 K。450℃热氧化形成的样品5 K时的磁滞回线具有明显交换偏置,交换偏置场约为9.6×10-3T。Co膜简单热氧化生成Co3O4纳米片的过程分为两步：首先在Co膜表面由里往外形成了Co O层和Co3O4层,随后Co3O4纳米片在外层的Co3O4氧化层上形核生长,并最终形成了未氧化的Co层/Co O层/Co3O4层/Co3O4纳米片层的多层结构。这种较低温度下热氧化生成Co3O4纳米片的生长过程是一种短程扩散生长机制,并受钴离子的向外扩散速率控制,生成的纳米片的形状与Co3O4晶体结构密切相关。; 钟明龙; 关键词：CO3O4 纳米片磁性材料

MoO_3微纳米片的简单制备及其光致发光性能: 2015年; 采用简单热氧化蒸发沉积法在ITO 玻璃基片上制备了大面积MoO3 微纳米片.制备出的微纳米片具有良好晶体结构,其长度、宽度和片层厚度分别可达100,1-5μm 和约100nm;微纳米片沿[001]方向生长,这是因为晶体各方向键合能的不同而具有不同的生长速度,其形成过程遵循气G固生长机制.光致发光谱显示室温下MoO3 微纳米片同时具有紫光发射峰、蓝光发射峰和绿光发光带,发射光强度随氧化沉积温度升高而增大,这是由于温度升高,微纳米片缺陷增加导致的.; 钟明龙; 关键词：MOO3 热蒸发光致发光

CuO纳米线的简单热氧化制备及其气敏特性被引量：3: 2013年; 传统金属氧化物气敏材料因其灵敏度低、选择性差、工作温度高等缺点已很难满足高性能气敏元件的要求,而纳米气敏材料具有高的比表面积,可显著改善材料的气敏特性.文中采用简单的电热板在330~430℃、空气气氛下、一步法成功制备出了具有良好单斜晶体结构的CuO纳米线,平均直径为20~30 nm,长度可达1~5μm;CuO纳米线气敏元件在100×10-6乙醇气氛中的最佳工作温度约为260℃,其灵敏度分别为1.36和1.64,恢复和响应时间均小于5 s.; 钟明龙; 关键词：CUO 纳米线气敏性能热氧化

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博士科研启动基金(jxxjbs13017)