国家电网公司科技项目(ZL71-09-001)
- 作品数：3 被引量：14H指数：3
- 相关作者：金锐温家良刘明光雷海峰雷林绪更多>>
- 相关机构：国家电网公司北京交通大学更多>>
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- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 特高压直流碳化硅晶闸管阀损耗探讨被引量：9
- 2011年
- 碳化硅是发展最为成熟的新型宽禁带半导体材料,且碳化硅功率器件近期已开始代替常规的硅基器件。以典型的±800 kV,额定电流为5 kA的高压直流输电工程为实例,建立了换流阀基本组件的电气模型,用PSCAD/EMTDC仿真软件搭建了换流器仿真电路,研究碳化硅晶闸管在高压直流换流阀中的应用。对基于碳化硅晶闸管和普通硅晶闸管的直流换流阀电气特性和损耗进行仿真结果比较。计算结果表明:用碳化硅晶闸管来代替传统的硅晶闸管,可以在不同的触发角和工况下大幅减少系统的功率损耗。最后估算了在直流工程中使用碳化硅晶闸管阀带来的经济效益。
- 金锐雷林绪温家良邱宇峰
- 关键词：特高压直流输电晶闸管换流阀碳化硅结温
- 大功率4H-SiC GTO晶闸管研究被引量：3
- 2011年
- 此处主要从SiC-GTO晶闸管设计的3个因素进行了研究,包括:击穿电压设计、两个等效晶体管共基极电流放大系数设计以及少子寿命取值设计。通过ATLAS器件仿真得到器件的击穿特性、内部电场分布及正向I-V曲线。最后通过Silvaco-TCAD提供的MixedMode混合仿真组件,对设计的SiC-GTO进行了开关特性模拟,并与5SGS 16H4500对称型Si-GTO进行了比较,结果表明,所设计的大容量SiC-GTO也比当前Si-GTO具有更高的开关速度。
- 雷海峰金锐温家良刘明光
- 关键词：晶闸管击穿电压少子寿命开关特性
- 碳化硅肖特基二极管在升压斩波电路中的应用
- 本文对碳化硅肖特基二极管在升压斩波直流转换电路中的应用进行了深入研究。升压斩波电路由直流电源、输入滤波电感、主开关IGBT、二极管、电容和负载电阻组成。其中主电路中二极管分别使用普通硅二极管,超快恢复硅二极管,商业化碳化...
- 金锐雷海峰雷林绪温家良吴锐陈中圆韩建
- 关键词：碳化硅肖特基二极管反向恢复
- 文献传递
- 碳化硅肖特基二极管在升压斩波电路中的应用
- 本文对碳化硅肖特基二极管在升压斩波直流转换电路中的应用进行了深入研究。升压斩波电路由直流电源、输入滤波电感、主开关IGBT、二极管、电容和负载电阻组成。其中主电路中二极管分别使用普通硅二极管,超快恢复硅二极管,商业化碳化...
- 金锐雷海峰雷林绪温家良吴锐陈中圆韩建
- 关键词：碳化硅肖特基二极管反向恢复
- 文献传递
- SiC肖特基二极管在升压斩波电路中的应用分析被引量：3
- 2011年
- 对碳化硅(SiC)肖特基二极管(SBD)在升压斩波电路中的应用进行了深入研究。实验中分别对普通Si二极管和SiC SBD进行了比较,结果表明,SiC二极管具有良好的动态特性,其反向恢复电流约为普通Si二极管的1/4,同时对IGBT开通时的电流过冲有很好的抑制作用。此外,对载流子寿命对二极管反向恢复的影响进行了仿真分析,结果表明,缩短少数载流子寿命能很好地抑制反向恢复电流峰值,减小反向恢复时间。
- 雷海峰温家良金锐刘明光
- 关键词：肖特基二极管碳化硅反向恢复少子寿命
