中央高校基本科研业务费专项资金(CHD2012JC035)
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
- 相关作者：张林肖剑邱彦章程鸿亮杨霏更多>>
- 相关机构：长安大学中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金西安市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术更多>>
- SiC JFET功率特性的仿真与优化被引量：2
- 2012年
- 建立了常关型SiC结型场效应晶体管(JFET)功率特性的数值模型,研究了不同的结构和材料参数对器件功率特性的影响。仿真结果显示,沟道层、漂移层等各层的厚度及掺杂浓度对器件的开态电阻和击穿电压都有明显的影响;采用电流增强层可以明显提高器件的功率特性。研究结果表明,对SiC JFET的结构参数进行优化,可以有效提高器件的优值(FOM)。
- 张林杨霏肖剑邱彦章
- 关键词：碳化硅结型场效应晶体管
- SiC肖特基栅JFET功率特性的研究被引量：2
- 2012年
- 提出了一种新型结构的SiC结型场效应晶体管,采用肖特基接触替代P+型栅区,以降低SiC JFET的工艺复杂度,并提高器件的功率特性。建立了器件的数值模型,对不同材料和结构参数下的功率特性进行了仿真。结果表明,与PN结栅相比,肖特基栅结构可以有效降低SiC JFET的开态电阻;与常规结构的双极模式SiC JFET相比,在SiC肖特基栅JFET的栅极正偏注入载流子,同样可以有效降低器件的开态电阻,折中器件的正反向特性,但不会延长开关时间。
- 张林肖剑谷文萍邱彦章
- 关键词：碳化硅结型场效应晶体管
- Ni/4H-SiC SBD电离辐照探测器的实验研究被引量：3
- 2012年
- 研制了Ni/4H-SiC肖特基二极管电离辐照探测器,并采用不同的辐照源进行了测试。实验结果表明,对于低能电子和射线辐照,该探测器都有比较灵敏的电流响应。经过1 Mrad(Si)的射线辐照后,探测器的信号电流没有明显退化;分别经过1 Mrad(Si)的射线和100 Mrad(Si)的1 MeV电子辐照后,0 V和30 V辐照偏压下的探测器的暗电流仅有较轻微的退化。说明了该文研制的探测器具有暗电流低、灵敏度高和抗辐射容限高等优点,可以在强辐射环境中长时间应用。
- 张林肖剑邱彦章程鸿亮
- 关键词：电离肖特基
